光源原理课件lschap led第十章固态照明

10.2发光二极管10.3有机发光二极管 10.2发光二极管10.2.10提高LED 10.2.10hhext hhlamp ,导体层的体电阻(电子迁移率)等。460nm,84%;AlInGaP,>90% 10.2.10(1)塑形(Chipsha表面粗化(Surface(5)倒装技术(Flipchip)(7)激光剥离技术(LaserliftoffLLO) 10.2.10(1)塑-1999年MR.Krames倒金字塔形AlInGaPLED,Cex=55光效100-2001年,Cree公司GaN/SiCLEDCex=32% 10.2.10表面,光输出↑12.6% 10.2.10ηext=50%@650nm,η=100 10.2.10 和厚度的限制,ηint↑12%, 的光子晶体和PPS结合在同一LED器件上,输出光功率 10.2.102001年,Wierer等:GaN功率型倒装,, 10.2.10 影响因素温度密闭性压力工业大学Au/Au直接键合制作高亮度ODR 10.2.10剥离蓝宝石衬底提高蓝宝石GaNLED2003年OSRAMGaNLED,Sources:WongWSetal.ApplPhysLett751360 -反应器高温度工作(1500℃),减少Al(Ga)N薄膜与蓝宝石的晶错使得蓝宝石衬底上生长出了平整的AlN层,提高-AlN/AlGaN短周期超晶格,缓解掺Si的AlGaN电流扩散层与AlN-因InAlGaN材料会吸收部分紫外光表面改性,LED纳米像素结构-365~395nm,30%~60%;260~300nm,Source:LS-12, -LED阵列直径29mm具备6总输入功率350光通量10Source:LS-12,

10.3有机发光二极管 10.3有机发光二极管, 10.3.1OLED-发光层为8-羟基喹啉铝(Alq360nm)掺杂后得到蓝绿绿 -共轭高分子材料聚对亚苯基乙烯Poly(p-phenylenevinylene) -全,主动发光,视角大,响应速度快(μs),轻薄可折-低压直流驱动易与集成电路配合-易得蓝光材料 ETL:EETL:ElectronTransportingLayerEML:EMissiveLayerHTL:HoleTransporting

, OLEDearly SonyXEL-1,theworld'sfirstOLEDEcranOLED:A4.1inchprototypeflexibledisyfromSony

10.3.3OLEDSamsungSDI's40-inchOLEDpanel:Thickness8.9mmFullHDresolution1920×1080Contrastratio1,000,000:1Luminance200Source: PhilipsOLEDtabletopPhilipsOLED

PhilipsOLEDOsramtablelightwith

GERoll-to-roll

CRT110年PDP40年LCD401.2.5.3.3.

8.Source猛犸阅读未来你准备好了吗J]壹周悦读2009,856- 10.3.4图1~5:OLED;图6:Source:猛犸.阅读未来,你准备好了吗?[J].壹读,2009,(8):56-

6 5 SED:surface-conductionelectron-emitter FED:fieldemissiondis y,场发射显示器SED原理:多阴极C