正性光刻胶与5mask简介课件

OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestMetal1(GATE):镀上Mo(钼)，Al(铝)2.G:GateSiNx(氮矽化合物，绝缘层)

I:-Si(非结晶矽，通道层)

N:N+-Si(高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差,

使成为欧姆接触(ohmiccontact)

3.Metal2(source,drain):Mo(钼),Al

4.Passivation(Via):SiNx，保护层,把金属盖住,另有Via和ITO连通5.ITO(画素电极)1Array5mask简介工艺流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剥膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist显影蚀刻2023/6/9UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,显影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上层避免Al氧化2.38%TMAHAl蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剥离液：MEA+DMSO(7:3)2023/6/9GINprocessABGIN

sputterCVD（化学气相沉积）Photo(涂布,曝光,显影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42023/6/9Metalsputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,显影)WET(M2湿蚀刻)DET(N+蚀刻)STP(去光阻)ABMetal2

process2023/6/9ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,显影)DET(Pass蚀刻)STP(去光阻)Pass

process2023/6/9ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,显影)WET(ITO湿蚀刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2023/6/92Array4mask2023/6/92023/6/93正型PR成份介绍定义光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作用

a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；

b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2023/6/9成份

树脂感光剂溶剂添加剂粘附性、胶膜厚度曝光时间、光线强度赋予组合物流动性如防止PR反射等特性2023/6/94正型PR的工作原理Esterification2023/6/9UVN2Wolff重组H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2023/6/95PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光显影Post-bakeStripper2023/6/9EOPTestEOPTest：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2023/6/9MarginTestMarginTest：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影

后的CD变化2023/6/92023/6/9ThermalStabilityTestThermalStabilityTest：post-bask后PR形状的变化测试2023/6/9Stripper

TestStripper

Test：PR的剥离时间2023/6/9Resolution

TestResolution

Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性；