大三上光学与光电子测量

1 DE+B2S=E·辐射能：Q

w=辐射功率(radiantpowerRadiantflux)：PP=光度量色度量辐射强度(Radiantintensity)：II=辐出度(RadiantexitanceRadiantemittance)：M(W/m2)

M=辐射亮度(Radiance)：LM、I和L 余弦定律（Lambert‘scosineL= =Wcos

M=L

=

= E=QE=IcosQlE=MDAcosqcos lQl

M= ¥ = ¥

Ml

¥Ml

p=

l

0例如：H0 ¥ ConductionConductionConductionConductionConductionConduction puregermaniumat20°C：4.2×1022atoms/

，electrons/cm32.5×1013holes/

n型半导体。级在禁带中紧靠空带处,DED～10-2eV，极易Germaniumwith0.001%ofarsenicat20 electrons/nP＋在n电子……多数载流子（majoritycarriers

价的杂质元素（如B、Ga、In等）形成空穴型半导体，称p型半导体。+B-在p–E

Conduction Conduction ConductionEc Ev

§1.3M(l,T)=a(l,T)M和a只是波长l及温度T的普适函数，与黑体：a(l,T)=1 灰体：a(T)<(,T)=M非黑体/M黑体 )

¥Mb¥

0M

=

5 s=5.6697×10-8l=lmT=b=2897.8辐照常数：1353辐射峰值：0.48地表热辐射峰值：~10 温度不稳定性0.59K（3016K，1小时内和Re-C(2473.82℃)高温共晶点黑体 第章光辐射基础范围内受发光干扰工作温度优点 长，工作温度高，黑体特性好，不需要水缺点：机械强度低；工 短；表面辐射状况易受空气扰动；起燃繁典型参数：功耗45W、0.1A；工作温度T=1980K；尺寸φ3.1mm 护层）；尺寸φ6~50mm×5~100cm§1.4 10 压灯等。发光体较小，近似高亮度点光源，灯低压灯、高压灯 压

章章发光二极管是少数载流子在PN结区的注入与复合而产生发光的一种结型发光器件，实际上发光二极管就是一个由P型和N型半如果把受主材料掺杂到GaAs中，就可形成P型半

hqe

=NT

hqi

=NGNr光谱特性：发光二极管的材料直接决定着它的发光波长，目前已能制造出红、绿、黄、橙、蓝、红外等各种颜色的发光二极 转磁铁强迫高能团在环形的同步以接近于光速初代：在高能物理研究的上，同时二代：电子 CoherentLightSource，简称LCLS） 光源（ShanghaiSynchrotronRadiationfacility）是一台高性能的中能第三代同步辐 度约150纳米弧度，而第三代的光源，其发射度约4纳米弧度，二者相差近 的SPring-8(8GeV)、 环：40块弯转二极磁铁、16个6.5米的标准直线节和线站、软X射线扫描显微线站；2条基于弯转磁铁的光束线站高分辨衍射线站和X射线散射线站；还将建造一个基于软X射线光束线的X射线 性能价格比高：环的能量3.5GeV，在中能区光源中能量最高，性能优化在用途最广高偏振：在电