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lithography今Introduction光刻给你的朋友照像时,如何才能留下洁净室那美好的一瞬间,永久回忆?工艺流程1)光线:2)好的底片;3)好的相机:4)失真?光刻机5)本人天生面目?光刻胶掩膜版图形曝光与刻蚀令图形曝光(lithography,又译光刻术)利用掩膜版(mask)上的几何图形,通过光化学反应,将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上(称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻,resist,简称抗蚀剂)的一种工艺步骤这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域,如离子注入、接触窗(contactwindow)与压焊(bonding-pad)区。图形曝光与刻蚀刻蚀由图形曝光所形成的抗蚀剂图案,并不是电路器件的最终部分,而只是电路图形的印模。为了产生电路图形,这些抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上这种图案转移(patterntransfer)是利用腐蚀(etching)工艺,选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。ULS对光刻有哪些基本要求?心高分辨率在集成电路工艺中,通常把线宽作为光刻水平的标志,一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。心高灵敏度的光刻胶光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。产品的产量←→曝光时间确保光刻胶各项属性均为优异的前提下,提高光刻胶的灵敏度ULSI对光刻有哪些基本要求?令低缺陷缺陷关系成品率◆精密的套刻对准集成电路芯片的制作需要经过多次光刻,在各次曝光图形之间要相互套准。ULS的图形线宽在1um以下,通常采用自对准技术。令大尺寸硅片上的加工ULS的芯片尺寸为1~2cm提高经济效益和硅片利用率洁净室(1)多尘埃粒子模版上的图形图1lL尘埃粒子的位置对掩棋版图形的影响t洁净室(2)令洁净室的等级定义方式:(1)英制系统:·每立方英尺中直径大于或等于05um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值。(2)公制系统每立方米中直径大于或等于05um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值(以指数计算,底数为10)。洁净室(3)例子:(1)等级为100的洁净室(英制),直径大于或等于05um的尘埃粒子总数不超过100个/t3(2)等级为M35的洁净室(公制),直径大于或等于05um的尘埃粒子总数不超过1035(约3500个/m3)令100个/ft3=3500个/m3一个英制等级100的洁净室相当于公制等级M35的洁净室。洁净室(4)令对一般的IC制造普通房内空气区域,需要等级100中的尘埃粮子彰的洁净室,约比一般室内空气低4个数量级令在图形曝光的工作区域,则需要等级10或1的洁净室。尘块粒于大小(pm图112尘

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