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DELININSTITUTEOFTECHNOLOGY芈导体制造技术第12章金属化课程大纲解释金属化之专有名词。2.能列出和说明晶圆制造中6种金属。讨论每一种金属的特性要求及应用。3.能解释铜金属化在晶圆制造中之优点。描迒铜制程之挑战性。4.叙逝溅镀之优点及缺点。5.叙迒溅镀之物理特性及讨论不同的溅镀工具及应用。6.叙此金属CVD之优点及应用。7.解释铜电镀之原理8.描迒双镶嵌式制程之流程。多层金属化「金属内联机结构金属堆栈内联具有钨插塞之介质孔内联机结构层间介电质区域内联机(钨)国初始金属接触0.25微米CMOS横切面硅基板之扩散区传统及镶嵌式金属化传统内联机流程双镶嵌式流程盖D层及CMP盖LLD层及CMP氮化物蚀刻停止层案化及蚀刻氧化层介质孔-2蚀刻第二ⅡD层沈积及蚀刻穿层钨沈积+CMP铜无填金属-2沈积+蚀刻铜CMP图12.2铜金属化lETAL5(Cu)sAL4(Cu)METAL3(Cu)METAL1(MMicrographcourtesyofIntegratedCircuitEngineering)照片12成功的金属材料之需求导电性2.附着性3.沈积4.图案及不坦化5.可靠度6.腐蚀性7.应力及选用晶圆制造的金属(在20C)材料熔點(°C)電阻率(uQ2-cm)1412≈10多晶矽(Dopedpoly)1412≈500-525鋁(AI)6602.65銅(Cu)0831.678鎢(W)鈇(Ti)67060鉏(Ta)2620金(Pt)177210表12晶圆制造中所用的金属及合金铝铝铜铝一铜合金■阻障层金属■硅化金属金属插塞铝内联机金属-5接合垫(铝)上层氮化物ILD-6金属-4LD-5介质孔-4金属-3LD4K金属-4是位于其他介质孔、层间介电质和金属层之上图1

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