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西安電于抖六X1D⊥ANUN掌握光刻胶的组成+PR和-PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统ExplainrelationshipsofresolutionanddepthoffocustowavelengthandnumericalapertureJinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN|V光刻概述Photolithography临时性地涂覆光刻胶到硅片上把设计图形最终转移到硅片上IC制造中最重要的工艺占用40to50%芯片制造时间决定着芯片的最小特征尺寸JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN|V光刻需要■高分辨率Highresolution光刻胶高光敏性HighPRSensitivity■精确对准PrecisionalignmentJinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANPhotoresist(PR)-光刻胶■光敏性材料临时性地涂覆在硅片表面■通过曝光转移设计图形到光刻胶上■类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANPhotoresistNegativephotoresistPositivephotoresist负性光刻胶-负胶正性光刻胶-正胶曝光后不可溶解曝光后可溶解显影时未曝光的被溶解「显影时曝光的被溶解便宜高分辨率JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN负胶的缺点聚合物吸收显影液中的溶剂由于光刻胶膨胀而使分辨率降低其主溶剂,如二甲苯等会引起环境和安全问题JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN|V正胶Positivephotoresist曝光部分可以溶解在显影液中正影(光刻胶图形与掩膜图形相同)更高分辨率(无膨胀现象)在IC制造应用更为普遍JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN对光刻胶的要求■高分辨率ThinnerprfilmhashighertheresolutionThinnerprfilm,thelowertheetchingandionimplantationresistance高抗蚀性■好黏附性JinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN光刻工艺Photolithographhyprocess光刻基本步骤·涂胶Photoresistcoating对准和曝光Alignmentandexposure·显影DevelopmentJinchengZhang西安電于抖六X1D⊥ANUN|V光刻工序PreviousCleaationPRcoatingHSoftbakeHardbakeDevelopmentPEBTrack

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