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摩尔定律节点技术摩尔定律节点技术1MOSFET在做小时面临的主要问题短沟道效应之——DIBL（漏致势垒降低）MOSFET在做小时面临的主要问题短沟道效应之——DIBL（2如何解决问题？从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术但载流子迁移率下降，严重影响性能！沟道掺杂降低了PN结深度，从而减小漏源极对沟道的影响。如何解决问题？从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术但3从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术掺杂使得载流子迁移率下降？采用应变硅技术提高载流子迁移率！从减小漏极影响出发——沟道掺杂以及应变硅技术掺杂使得载流子迁4从减小漏极影响出发——SOI方案去除栅极无法控制的区域，减小源漏极影响区。——绝缘体上硅方案从减小漏极影响出发——SOI方案去除栅极无法控制的区域，减小5从增强栅极影响力出发——HK-GM技术增大栅极电容，加强对沟道控制。同时避免量子隧穿。——Hk介电层。从增强栅极影响力出发——HK-GM技术增大栅极电容，加强对沟6从增强栅极影响力出发的综合方案——FinFET将通道维度往Z轴上拉，栅极三面包围通道，强化控制！ ——FinFET，鳍式场效应管从增强栅极影响力出发的综合方案——FinFET将通道维度往Z7从增强栅极影响力出发的综合方案——FinFETFinFET可兼容吸收SOI技术、应变硅技术、HKMG技术的优点！摩尔定律进一步延续至14nm、10n

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