leap5操作说明书模版

Tutorial1

教程1高通密闭箱的设计重点单元〔转换器〕模型介绍箱体模型介绍系统曲线和指引曲线介绍参数曲线介绍单元模型的差异ES程序共同特征本例子介绍ES程序的一些共有特征，能解答很多初次使用箱体设计程序中的问题。本例子的焦点在于介绍针对同一单元而使用3种不同类型参数建立的单元模型〔分别是STD、TSL、LTD，LEAP5支持这3种类型的单元模型〕，并指出它们的仿真力量和差异。

SealedHighpassEnclosure目标本设计从最根底开头，箱体为简洁的使用15英寸低音单元的高通密闭箱。本例不留意怎么选择特定的低频响应 但固然要按状况指定箱体尺寸。主要任务是设置仿真必需的程序参数。初始数据如下-箱体：高通密闭箱-外形：长方形-宽度：23英寸-高度：24.75英寸-深度：13.5英寸-:无-单元:TL1603-:前障板中心ES程序能进展广泛的分析并供给大量的数据，同时会与真实的测量结果做比照。EnclosureShop 1ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1单元在对设计进展仿真前，单元模型必需放在单元库文件中，否则我们应先建立该单元的条目。本例需要使用的几个单元模型已经在Tutorial.Ltd库文件中。开头设计翻开EnclosureShop程序，跟着下文中的步骤一步一步来做。以下操作假定软件安装在C:\盘。首先我们建一个设计，然后保存到Tutorial－1文件夹中。选择File|New菜单.现在可以输入作者名字等信息选择Graph|Notes菜单.在Person域中输入名字,Company中输入公司名, Project中输入设计名.-点OK.File|SaveAs菜单.Projects-Enclosures\Tutorial-下，文件名为Tutor-1，按上述路径定位后，输入文件名，按Save进展保存。2 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosure现在最大化任一个图表窗口。在任一图表窗口的最大化按钮上单击屏幕将会如以下图中下方所示，当图表窗口最大化时，在工具栏处会消灭一个图表按钮选择栏，通过点击图表的按钮〔名字〕，即可在不同曲线之间切换。EnclosureShop 3ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1Transducer CalculateParameters AnalysisEnclosure Parameters 3DLayoutParametersEdit菜单Edit菜单是程序的掌握中枢，该菜单包括五个子项〔也可以用上图的工具按钮来访问〕，该五项供给任何设计中定义参数的核心功能。最初的参数定义通常会按从左至右的挨次来进展。Edit|TransducerParametersTransducerParameters〔单元参数〕该对话框供给单元的建立、编辑和库治理的功能，分左右两个窗口，左窗口显示库文件，同时右窗口显示当前选择的库中的可用单元。对话框下方的Graph按钮可查看某一选定的单元图表，这些图表是依据模型中各种参数计算出来的，左边的小按钮可以切换各种类型〔如SPL、IMP等。本例中所用到的三个单元模型都可以在Tutorial库中找到，它们是.15寸单元的三种类型的单元模型。留意：假设你安装程序的名目不C盘，则应指定单元库的文件夹。4 EnclosureShopApplicationManualTutorial1EnclosureShopApplicationManual

SealedHighpassEnclosure5SealedHighpassEnclosure Tutorial1在TL1603.LTD这里进入单元参数编辑模式，单元可以在这里被建立、引入、编辑，依据不同的模型各编辑项的可用状态会转变。Cancel按钮关闭编辑模.既然单元库中已经存在本例子所用的单元，我们临时不用建。同时我们要留意这里选择的单元模型并不会马上使用在我们后面的箱体中，但我们在这里必需要选择包含后面设计将使用的单元的库文件。核对目前在左窗口中已经选择Tutorial.LTD文件.Exit按钮关闭此对话框.6 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureModel菜单模型菜单用于选择设计的箱体模型，其菜单开放后和快捷工具按钮如上，包括了8个可选类型，其中最终一个是自定义的模型用于建筑随便的箱体结构。会突出显示，如上图我们选择的是高通密闭箱。稍后消灭的箱体参数对话框的内容将会随箱体模型的转变而转变。-核对我们选择了SealedHighpassEnclosure.Edit|EnclosureParameters编辑|箱体参数菜单项.该对话框定义设计箱体的参数，我们可以看到该对话框分为几个方框组：Shell/Chamber 〔外壳、内腔〕,Chamber〔内腔填充〕, Transducer〔单元〕. 不同的箱体模型对话框将会有不同的组和内容。〔〕〔〕.EnclosureShop 7ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1点黄色的文件夹图标.消灭单元选择对话框。在左边窗口选择Tutorial.LTD.在右边窗口选择名称为TL1603,LTDModel的单元.- 点Ok关闭.单元名称和其库文件名会消灭在箱体参数对话框中的Transducer〔单元〕方框组中。已选择的单元其参数会全部引入并包含到箱体参数内，因此就算原库文件或单元条目删除掉，该已选择的单元参数还是包含在箱体参数内。因此假设你以后更库文件的单元参数，你或许需要更你的箱体设计。Transducer方框组中其余参数不变，在Chamber方框组中，我们可定义箱体内部填充的吸音材料等，在本例中假设不填充任何材料。Vfill(VolumeFill，填充体积)0.0.8 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosure外壳/内腔方框组用于调整箱体的内外尺寸，由于本箱体很简洁只存在一个内腔，因此它们的规格是一样的。我们可以看到该域的数字为灰色表示不能直接输入体积，旁边有一个小立体方块，我们可点它来选择箱体的物理外形和尺寸。- 点击小立体方块.消灭体积参数对话框如左图，shape〔外形〕局部选择box〔长方体〕勾选Externaldimensions〔外部尺寸〕点击Length〔长度〕按钮使其单位为In〔英寸〕点击Volume〔体积〕按钮令单位为3.53Ft³。-点Ok关闭.

Ft³〔立方英尺〕在WallThickness〔板厚〕0.75Depth〔深度〕13.5Width〔宽度〕23Height〔高度〕26.5右方Occupied〔体积占用〕0.2Domain〔放置区域〕中定义该箱体的外部环境，这里我们可以指定特定的环境空间体积。本例子我们选择InfiniteBaffle〔无限大障板〕Infinite〔无限大〕的体积-核对已选择InfiniteBaffle.-Volume.Infinite点OK关闭.点Ok.EnclosureShop 9ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1Edit|AnalysisParameters菜单项.该对话框掌握设计中的分析参数，很多参数已经设为合理的值，但这里我们更改输入功率为1W。-在Power/Spk1。-点OK关闭.现在预备定义箱体的3D布箱体的三维空间，因此单元和倒相孔的位置、方向和主目标仿真点必需先定义好，这些功能可在3D布局参数对话框中完成。Edit|LayoutParameters〔布局参数〕菜单(或按F5).

会消灭如以下图的大窗口对话框，并模拟出一个三维的空间，其中灰色的大平面象征无限大障板〔我们在前面箱体参数设定放置区域为无限大障板〕，箱体嵌入障板中心，两个圆环状箭头分别表示水平和垂直极指向的路径，主目标位于两圆环的交点上。按下鼠标左键在3D图内拖动，我们可以旋转、移动观看角度和方位。在本例子中假设默认的位置已经正确，因此不用做任何的改动。-点OK关闭。10 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosureEnclosureShop 11ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1现在已经定义好分析所需要的全部参数，使用Edit|Calculate项我们可以分析并获得需要的结果和曲线Edit|Calculate(或按F9).分析的过程在右下角的状态栏中显示，依据仿真的简单程度一般分几个过程。本例中我们将箱体前障板嵌入无限大平面中，因此前障板边角的衍射变不用进展分析了，因此速度会很快。分析完毕后，系统曲线并不会马上显示〔指设计中〕，我们需要将其展现。Graph|SystemCurves图表|系统曲线菜单(或按F4).12

系统分析产生的图表称为系统曲线，本例子中将产生34条曲线〔其中有很多是极响应曲线〕，我们展现全部的曲线。ShowAll按钮,点OK关闭.EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureSPL图表选择按钮.选择Scale|Auto〔刻度|自动〕或Up/Dn上/下菜单来观看，屏幕将会类似以下图，该图表中将显示4条曲线，2条或许位于95DB四周而另两条高出很多。低的两条中，其中一条砖红色的是主仿真点〔即虚拟的测量MIC〕处的频率响应，另一条则是功率响应。本例子中主仿真点为单元轴响，距离为1米-------其实该点可以放置在空间任一点上，功率响应反映辐射在半场空间中的总声功率。我们可以看到由于单元的指向性，在频率趋向变高时总辐射功率变小，而在低频时由于辐射无指向的因此它跟轴响响应一样。同样我们在这两条曲线中可以看到，中高频局部由于箱体内腔的反射引起了响应的波动。SPL0H,0VSPLPwrEnclosureShop 13ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1使用刻度上移可以看到较高的两条曲线，绿色的那条曲线〔接近130db〕为内腔响应而接近117DB的那条为单元近场响应。留意内腔引起的急剧的首次反射〔550HZ四周〕影响了其余全部的响应曲线。ES会供给每一个腔体的响应和每一个单元、倒相孔的近场响应并将它们按规章进展叠加得到主目标和功率响应。通常为了避开混乱我们还会依据需要关闭一些曲线。分别点Impedance〔阻抗〕,Excursion〔位移Velocity〔速度Acceleration〔加速度图表按钮.同样会供给针对每一个单元或倒相孔的曲线，下几页的图是分析的一些结果。InternalChamber SpkrNear14 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureEnclosureShop 15ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial116 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure点极轴响应图表选择按钮.如以下图所示，留意这里实际上包括了水平和垂直两组，由于放置区域是无限大障板，因此他们是对称的而且水平和垂直是一样的。无限大障板引起的效应也很明显，在障板后部完全没有声辐射，全部的辐射只消灭在障板前半局部。面外形影响。同时极轴响应也可以规格化到它们的轴响响应上，这也是一种比较通用的观看极响应的方法，具体可以在分析参数中设置。EnclosureShop 17ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1与实际测量的的比照LMS系统进展测量，测量的结果位于Tutorial-ES间的相关性。Utilities|ImportCurveData〔有用工具|导入曲线数据菜单〕.

消灭如左图的对话框，可以导入SPL曲线.Tutorial-1文件夹引曲线条目〕为#1直轴数据〕为SPL，单位为dB.执行〕按钮.现在导入阻抗数据IMP_Sealed文件-GuideCurveentry#5-设置LeftVerticaldataImp，单位为Lin/Log.点Execute按钮.现在导入加速度曲线点选Ams_Sealed文件,选择GuideCurveentry为#7,设置LeftVert为Accel.点Execute按钮.现在导入速度曲线点选Vms_Sealed文件,选择entry为#8, Execute按钮.现在导入位移数据.点选Xms_Sealed文件,选择entry为#9, 设置LeftVert为Excur.点Execute按钮.Exit关闭对话框.18 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure选择Graph|GuideCurves图表|指引曲线菜单项.指引曲线库将类似以下图所示Ok关闭该对话框.Acceleration图表选择按钮.如下页图所示，将显示2条加速度曲线，它们在整个频率范围内显示出极好的全都性，特别是在200HZ以下格外吻合，但在500HZ四周消灭了一系列的谷值，这是反映该段频率四周内腔引起了驻波由于本箱体并没有采用内部阻尼材料。在更高的频率上振膜已经不再类似活塞运动了。Velocity图表选择按钮.如下页图所示，将显示2条速度曲线，同样它们在整个频率范围内显示出极好的全都性，特别是在200HZ以下格外吻合，内腔在500HZ四周引起了驻波，在格外高的频率上，得到的已经是设备和加速计本身的本底噪音。EnclosureShop 19ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1SimulationSimulationMeasurementMeasurementSimulation20 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure点Excursion.200HZ以下格外接近，内腔的谐振消灭在500HZ四周。Impedance.模拟和实际测量的阻抗曲线如下页的以下图所示，整个频率范围内都格外接〔500-1000HZ间〕点SPL图表选择按钮.大量的曲线消灭在SPL图表内，为更好进展比照，我们可以单独看模拟和实际测量的每一种SPL曲线。Graph|SystemCurves菜单项.#2,#28,#29号曲线，点OK关闭对话框Graph|GuideCurves菜单项.#2,#3号曲线，点OK关闭对话框。当调整好刻度后，轴向响应的比照方下页的上图所示，在格外低的频率下测量结果中包含了噪音干扰，该测量在仓库进展，因此整个频率范围内都消灭了小量反射的影响，但总体走向是格外全都的。Graph|SystemCurves菜单项.取消勾选#1并勾选#29号曲线，点OK关闭对话框Graph|GuideCurves菜单项.取消勾选#1,勾选#3号曲线，点OK关闭对话框EnclosureShop 21ApplicationManual SealedHighpassEnclosure Tutorial1MeasurementMeasurementSimulationMeasurementSimulation22 EnclosureShopApplicationManual Tutorial1 SealedHighpassEnclosureOn-AxisOn-AxisResponseMeasurementSimulationNear-FieldResponseMeasurementSimulationEnclosureShop 23ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1当调整好刻度后，近场响应的比照方上页的以下图所示，测量结果是将测量MIC格外靠近振膜外表〔0.1英寸〕来获得的，在高频段测量结果变得无规章，同时我们也可以看到内腔谐振影响了500-1000HZ的近场测量结果，无论如何两者250HZ以下是格外全都的。Graph|SystemCurves菜单项.#29#28号曲线，点OK关闭对话框Graph|GuideCurves菜单项.取消勾选#3勾选#2号曲线，点OK关闭对话框当调整好刻度后，内腔体响应的比照方以下图所示，测量MIC放置在腔体内以获得测量结果，我们可以看到在腔体内发生了巨大的反射，模拟的结果对这些反射进展了恰当的表示。ChamberResponseMeasurementSimulation24 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureTSL模型的分析3TSL模型来看看。首先我们保持此用LTD模型的文件，然后将使用TSL模型后的文件另外保存。File|Save(或按CTRL-S)File|SaveAs菜单项Tutor-1_TSL.led，点OK保存。EnclosureParameters体参数对话框以转变箱体使用的单元Edit|EnclosureParameters菜单项点小文件夹按钮.在右窗口选择TL1603,TSLModel.点Ok按钮再点Ok关闭箱体参数对话框既然我们更改了单元，就必需重进入3D布局对话框〔就算箱体构造和单元布局不转变的状况下也必需进入〕，这是由于振膜模型是在布局对话框里建立的。Edit|LayoutParameters(F5).点OK(ENTER).现在可以用的TSL模型来进展分析了.Edit|Calculate(F9).EnclosureShop 25ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1我们的主要兴趣在轴响响应上，因此我们可关闭掉当前的腔体响应并显示轴向及测量曲线。Graph|SystemCurves菜单项.取消勾选#28勾选#1号曲线，点OK关闭对话框。Graph|GuideCurves菜单项.取消勾选#2勾选#1#1号曲线，点OK关闭对话框。当调整好刻度后，比照方以下图所示，可能不太明显的是，模拟结果中70HZ的隆起有点变低了，测量结果比模拟的结果高了一点，其他的结果则类似承受LTD模型，下一个阻抗曲线的比照图更能直观地反映接近谐振频率四周的不同。26 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosureImpedance.以下图的阻抗比照更能反映使用TSL模型后测量和模拟结果的差异，在谐振频率四周的模拟结果比实际测量的低了不少，但中高频还是比较吻合的。明显地LTD和TSL模型之间的不同发生在谐振频率四周，它们之间的转变反映了它们准确模拟Rms的力量。TSLRmsRms原定义是在28HZ〔自由场谐振频率〕时的值，但当单元安装到密闭箱后谐振频率上升至55HZ，但28HZ和55HZ时的等效Rms值并不一样，因此产生了阻抗的误差由于悬LTD模型更能正确反映Rms。EnclosureShop 27ApplicationManualSealedHighpassEnclosure Tutorial1STD模型的分析现在我们看看STD模型，这其实就是标准通用的扬声器低频模型。TSL模型的文件，现在承受STD模型后我们保存为另外的文件名。File|Save(CTRL-S)File|SaveAs菜单项转变文件名为Tutor-1_STD.led。点OKEnclosureParameters体参数对话框以转变箱体使用的单元Edit|EnclosureParameters菜单项点小文件夹按钮.在右窗口选择TL1603,STDModel.点Ok按钮再点Ok关闭箱体参数对话框既然我们更改了单元，就必需重进入3D布局对话框〔就算箱体构造和单元布局不转变的状况下也必需进入〕，这是由于振膜模型是在布局对话框里建立的。Edit|LayoutParameters(F5).点OK关闭现在可以用的STD模型来进展分析了Edit|Calculate(F9).28 EnclosureShopApplicationManualTutorial1 SealedHighpassEnclosure以下图的阻抗比照了反映使用STD模型后测量和模拟结果的差异，在整个频率范围内都消灭了较大的差异。标准的STD模型缺乏准确反映磁路阻抗的力量，由于其承受了固定的音圈电感Levc和固定的音圈电阻Re