LED厂商专利布局课件

LED厂商专利布局LED厂商专利布局芯片专利网之六大势力•Nichia-Buffer,Electrode,Activation,andWhite…..•Cree-Buffer

,SiC,Electrode•PhilipLumileds-Electrode,WaferBonding,andFlip-Chip•Osram-White

ThinGaNToyotaGosei-Buffer,ElectrodeandWhiteEpistarandTaiwan-bufferITOElectrode芯片专利网之六大势力•Nichia-Buffer,ElectLED制程介绍EpiprocessSapphireBufferlayerU-GaNN-GaNQuantunwellP-GaNActivationChipprocessMesaetchingP-contactmetalcoatingP,NpadmetalcoatingInsulatingcoatingBacksidelappingandpolishingDicingorscribingProbingandsortingLED制程介绍EpiprocessEpi的核心专利SubstrateCreeSiCNishiaPatternSapphireSemiledmetalsubstrateBufferNishiaLowTGaNTGAlNEpistarSiN/InAlGaNP-GaNactivationNishiaThermal(insitupost)TGLEEBI(Electronbeam)EpistarMicrowaveEpi的核心专利SubstrateChip的核心专利ElectrodeCreeSiCVerticalelectrodeNishia对角线电极TG对边电极Epistar螺旋状PhilipLuminled平行电极爪状电极Bridgelux蝴蝶状P

contactmetalNishiaNi/AuandRuEpistarITO&TCOPhilipluminledAgTG

TaNTiNTaTiNChip的核心专利ElectrodeChip的核心专利其他核心专利Cree倒梯形Nishia金属网状电极(mesh)PhilipLuminledFlipchipSemiled电镀铜或其他金属材料基板Osram薄膜氮化镓(ThinGaN)晶能光电&名古屋工业大学

SiSubstrateChip的核心专利其他核心专利白光LED制造技术1、RGB三芯片混光；2、直接制造白光芯片；3、紫外芯片＋RGB荧光粉；4、蓝光芯片＋黄光荧光粉蓝光芯片＋YAG/TAG荧光粉蓝光芯片＋硅酸盐荧光粉

目前市场以第4种方法为主涉及的专利主要有封装技术专利、蓝光芯片专利、黄光荧光粉专利。白光LED制造技术1、RGB三芯片混光；黄光荧光粉专利一黄光荧光粉专利有YAG、TAG、BYG和硅酸盐专利黄光荧光粉专利一黄光荧光粉专利有YAG、TAG、BYG和硅酸硅酸盐专利—黄光荧光粉专利二以上几家都申请的是硅酸盐专利，但大家的具体成分不尽相同。注：带有红色标记（年份）的专利号只是专利申请号，尚未授权。硅酸盐专利—黄光荧光粉专利二以上几家都申请的是硅酸盐专利，但NICHIA（日亚）日亚化工日亚化工是GaN系的开拓者，在LED和激光领域居世界首位以蓝色LED的开发而闻名于全球，是世界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70%的比例，在全球则占据36%的市场份额。NICHIA（日亚）日亚化工日亚化工是GaN系的开拓者，在L日亚化学核心专利分类表晶片双束流US7335262US5433169欧姆电极US5652434US5767581US6610995衬底US6153010缓冲层US5290393US6876009活性层US5777350US7095051晶片结构US6337493US6657234US6838693荧光粉YAGUS5998925US6069440氮化物US7258816US6780346US6905635封装大功率US6924514US7045905US6943433日亚化学核心专利分类表晶片双束流US7335262US543US7335262MOVPE装置(双束流磊晶，平行束气体送金属原料气，垂直束气体送惰性气体）US5433169用有机金属化学气体沉淀法在蓝宝石衬底上沉淀氮化镓基化合物半导体晶体层的方法US5652434在蓝宝石衬底上形成N型GaN层，在GaN层上沉淀金属材料铝，钛沉淀形成欧姆电极US5767581US6153010在蓝宝石衬底上生长一种晶体缺陷极少的氮化物晶体，该氮化物晶体可用作衬底US5777350N层为InAlGaN和P层为AlGaN的单量子阱或多量子阱氮化物晶体结构US5998925蓝光晶片发光激发钇铝石榴石荧光粉发光混合成白光US6780346氮化镓荧光粉制备方法（将锌化合物和镓化合物混合后在高温下锻烧，通入氨气，形成氮化镓荧光粉）US6924514大功率LED的封装工艺US6943433US7045905日亚化学核心专利分类表US7335262MOVPE装置(双束流磊晶，平行束气体送金首尔半导体之专利来源专利号Patent#:原专利权人Assignor执行日期ExecDt:US5075742FRANCETELECOMSA01/10/2007US5321713APAENTERPRISES,INC.06/09/2006US5146465APAENTERPRISES,INC.06/09/2006US7282743SAKAI,SHIRO05/14/2007NITRIDESEMICONDUCTORSCO.,LTD.05/10/2007US20070138500SAKAI,SHIRO05/14/2007NITRIDESEMICONDUCTORSCO.,LTD.05/10/2007Source:科技政策研究與資訊中心,STPI,2007/12.截至2007年6月30日止,首尔半导体拥有1,251项专利权及100项牌照,

包括美国专利13件；台湾专利件数为10；早期公开专利为27；在WIPO之40件专利与在韩国之241件专利其技术来源声称是综合了已经得到的美国及日本多家大学、研究机构及公司授权许可的很多专利技术，购买之美国专利见下表注：其中US5075742专利权移转结果显示，包括三次转移纪录。分别为发明人GERARD,JEAN-MICHEL与WEISBUCH,CLAUDE移转给FRENCHSTATE、FRENCHSTATE移转给FRANCETELECOM、FRANCETELECOM再转给首尔。首尔半导体之专利来源专利号Patent#:原专利权人Ass主要涉案专利US5075742与US5321713專利號專利名稱專利權人全文下載US5075742SemiconductorstructureforoptoelectroniccomponentswithinclusionsFrenchStaterepresentedbytheMinisterofthePost,TelecommunicationsandSpace[pdf下載]US5321713AluminumgalliumnitridelaserMuhammadA.Khan,JamesM.VanHove,DonaldT.Olson[pdf下載]Source:科技政策研究與資訊中心,2007/12.主要涉案专利US5075742与US5321713專利號專利Osram拥有有别于日亚(蓝光+YAG荧光粉)的蓝光+TAG荧光粉白光专利技术开发出采用SiC衬底的GaN型光电器件全球第二大LED厂，2007年宣布在马来西亚与德国扩产Osram主要的经营领域在欧洲市场及汽车用白光LED市场，在大尺寸LCD背光源、白光照明和车用LED产品上具有优势在专利问题上，Osram积极采取相互授权，以及“收权利金”方式，来回避专利问题，平息彼此纠纷，扩大产品的市场份额，巩固原有的市场机会与利益。授权亿光、光宝、宏齐、PerkinElmer（美国）、Rohm,SamsungElectro-Mechanics,Citizen,SeoulSemiconductor等等Osram拥有有别于日亚(蓝光+YAG荧光粉)的蓝光+TAGLuminationGELcore是GE照明与EMCORE公司的合资公司，创建于1999年1月，2007年2月，GELcore改名Lumination公司致力于高亮度LED产品的研发和生产涉足所有GaNLED相关产品，现有的产品包括大功率LED交通信号灯、大型景观灯、其他建筑、消费和特殊照明应用等LuminationGELcore是GE照明与EMCORE公白光LED专利授权现况白光LED专利授权现况当前的专利局面目前全球初步形成以亚洲、北美、欧洲三大区域为中心的LED产业格局，以日本日亚、丰田合成、美国Cree、Lumileds和欧洲Osram为专利核心的技术竞争格局，五大企业之间通过交互授权避免专利纠纷，其它企业则通过获得这些企业的单边授权避