电子行业存储板块市场前景及投资研究报告：利基DRAM合约价跌幅扩大利基NAND合约价

证券研究报告2022年8月8日存储板块追踪四：利基DRAM合约价跌幅扩大但仍处高位利基NAND合约价跌幅缩小1目

录一、DRAM价格追踪：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌1.1主流：需求疲软，合约价、现货价跌幅扩大1.2利基：合约价环比跌幅扩大，DDR3现货价跌幅收窄二、NAND价格追踪：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌三、要闻&公告：江波龙首日上市大涨78%，A股Q2业绩亮眼四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化2DRAM：DDR4是目前主流，DDR5值得期待◼

DRAM细分市场：DRAM不断迭代，目前DDR4是主流产品➢

按照RAM和CPU的时钟频率是否同步，DRAM可分为同步DRAM（Synchronous

DRAM，简称SDRAM）和异步DRAM。SDRAM目前已迭代了六代，分别是SDR（Single

Data

Rate

SDRAM）、DDR1(Double

Data

Rate

1

SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。每次迭代，芯片性能显著提升。目前DRAM主流是DDR4，2021年占90%，DDR-DDR3合计占比10%图：DRAM细分产品市场规模占比DDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%200620082010201220142016201820202022e3：ICInsights，Statistia，中泰证券研究所DRAM：大陆聚焦利基，重点关注◼

大陆目前发力利基，重点关注➢

兆易创新2021年量产19nm

4Gb

DDR4,根据公司DRAM

Roadmap，目前17nm

2Gb

DDR3已量产，预计17nm

4Gb

DDR3于今年下半年量产，17nm制程领先全球海外厂商的DDR3产品，北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大，DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份在DDR3方面有所布局。➢

利基DRAM：Specialty

DRAM，按照Dramexchange现在的划分，包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒➢

主流DRAM：Commodity

DRAM，代表产品包括8Gb以上的DDR4、DDR5颗粒和DDR4、DDR5模组图：目前Dramexchange中的利基DRAM与主流DRAMDDR2DDR3DDR4DDR5DDR31Gb64M*16DDR32Gb128M*16DDR34Gb256M*16DDR2512Mb32M*16DDR21Gb64M*16DDR44Gb256M*16DDR48Gb512M*16利基DRAM主流DRAMDDR48Gb1G*8DDR416Gb2G*8DDR48GBU-DIMNDDR48GBSO-DIMMDDR416GBU-DIMMDDR416GBSO-DIMMDDR516Gb2G*8DDR58GBU-DIMMDDR58GBSO-DIMMDDR516GBU-DIMMDDR516GBSO-DIMM4：DRAMeXchange，中泰证券研究所DRAM：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌◼

需求疲软叠加传统旺季不旺，7月主流DRAM价格环比转跌，跌幅达13%-20%；利基DRAM合约价环比跌幅5-12%，跌幅较6月进一步扩大。➢

1）主流DRAM：7月主流DRAM合约环比跌幅13%-20%。➢

2）利基DRAM：利基DRAM价格自5月开始小幅下跌，跌幅0-3%，6月跌幅扩大，跌幅1-4%，7月环比跌幅进一步扩大至5%-12%。图：DRAM合约价（美金）2022年7月月同比-29.8%2022年6月

2022年5月

2022年4月类型型号价格2.9月环比-14.0%-15.8%-13.2%月环比0.0%0.0%月环比-1.8%-1.8%-1.7%月环比0.0%0.0%DDR48Gb1Gx8DDR416Gb2Gx8DDR48GB

U-DIMM5.925.0-28.2%0.0%0.0%DDR416GB

U-DIMMDDR516Gb

2Gx8DDR58GB

U-DIMMDDR516GB

U-DIMM48.87.0-15.3%-19.6%-18.8%-17.6%0.0%0.0%0.0%0.0%-1.7%-9.1%-8.0%-8.3%0.0%0.0%0.0%0.0%主流DRAM32.563.4DDR44Gb256Mx16DDR48Gb512Mx16DDR34Gb256Mx16DDR32Gb128Mx16DDR31Gb64Mx16DDR21Gb64Mx162.13.42.42.21.61.5-22.3%-31.4%-12.2%-3.1%-14.6%-18.2%-7.8%-5.6%-10.2%-8.4%-7.6%-11.9%-2.1%-1.1%-3.6%-3.3%-3.9%-4.0%-1.3%0.0%-0.8%-3.0%1.8%3.3%1.1%1.7%-0.7%-0.8%-1.7%-1.7%利基DRAMDDR2512Mb32Mx161.2-21.9%-11.3%-3.6%-2.8%2.2%注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；价格数据2022年7月29日更新：Dramexchange，中泰证券研究所5DRAM：利基合约价跌幅扩大但仍处高位，现货价继续下跌◼

截至2022年7月29日，现货价继续下跌，7月主流DRAM跌幅较6月有所扩大，跌幅达5%-11%，利基跌幅较6月有一定缩小。➢

1）主流DRAM：7月主流DDR4的跌幅5-11%，进一步扩大。➢

2）利基DRAM：7月利基DDR4跌幅4-10%；7月2Gb\4Gb

DDR3

跌幅达8-9%，跌幅较6月的9-12%略缩小。图：DRAM现货价（美金）22/7/29变化幅度类型型号价格7/22-7/29

7/1-7/29

6/1-6/30

5/1-5/31DDR416Gb2Gx82666MbpsDDR48Gb1Gx82666MbpsDDR48Gb512Mx162666Mbps6.22.9-1.9%-1.3%-5.2%-1.1%-3.2%-2.2%-2.2%主流DRAM-10.1%2.81.71.91.7--3.1%-1.8%-3.6%-2.9%--9.3%-4.0%-8.0%-8.3%--9.3%-2.2%-9.5%-11.3%-0.6%-3.9%-5.8%-4.1%-4.7%-1.5%DDR44Gb256Mx162400/2666MbpsDDR34Gb256Mx161600/1866Mbps利基DRAMDDR32Gb128Mx161600/1866MbpsDDR31Gb64Mx161600/1866Mbps注：价格数据2022年7月29日更新：Dramexchange，中泰证券研究所6主流：需求疲软，合约价、现货价跌幅扩大◼

DDR4芯片：7月合约价继续下跌，环比跌幅14%-16%，现货价格跌幅5-11%，跌幅较6月的1%-4%明显扩大。➢

1）合约价：今年7月，DDR4

8Gb（1Gx8）的价格为$2.88，同比-29.75%，环比-14.03%，价格自从去年9月的$4.01开始下跌，今年1月跌至$3.41，相较9月的价格跌幅达到17%，后连续三个月价格稳定，但5月出现下滑，6月止跌，7月继续下跌、跌至$2.88；DDR4

16Gb（2Gx8）的价格从去年9月的$8.45开始下跌，截至7月，跌至$5.85，环比跌幅-15.83%，。➢

2）现货价：截止7月29日，DDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps的价格为$2.94，7月下跌10.09%，近一周降低1.34%；DDR416Gb(2Gx8)2666

Mbps的价格为$6.21，7月下跌5.19%，近一周降低1.90%。图：典型主流DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR48Gb1Gx8DDR416Gb2Gx8DDR4

16Gb（2Gx8）2666

MbpsDDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.00DDR48Gb1Gx82400Mbps111098765432107：Dramexchange，中泰证券研究所主流：需求疲软，合约价、现货价跌幅扩大◼

DDR4模组：7月合约价环比下跌13%-16%。➢

合约价：今年7月，DDR48Gb

U-DIMM的合约价格为$25.00，同比-28.16%，环比-13.19%，价格自从去年9月的$34.80开始下跌，今年1月跌至$29.30，相较9月价格跌幅达到16%，后连续三个月价格稳定，5月价格下滑，6月止跌，7月继续下跌；DDR4

16GbU-DIMM的合约价格为$48.80，环比-15.28%。图：典型主流DDR4模组的合约价（美金/个）DDR48GB

U-DIMMDDR416GB

U-DIMM80706050403020100注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，PCDRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入8：Dramexchange，中泰证券研究所主流：需求疲软，合约价、现货价跌幅扩大◼

DDR5芯片&模组：7月合约价继续下跌，下跌跌幅17%-20%。➢

1）芯片合约价：今年7月，DDR5

16Gb（2Gx8）的合约价为$6.99，环比-19.56%，今年1月价格为$10.24，2月价格下降7%至$9.56，后价格稳定，5月打破止跌态势环比下跌9.1%，6月止跌，7月继续下跌，环比-19.56%。➢

2）模组合约价：今年7月，DDR5

16Gb

U-DIMM合约价继续下跌，跌至$63.44，环比-17.61%；DDR5

8Gb

U-DIMM合约价继续下跌，7月合约价为$32.50，环比-18.75%。图：典型主流DDR5芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR5模组的合约价（美金/个）DDR516Gb

2Gx8DDR58GB

U-DIMMDDR516GB

U-DIMM1210810090807060504030201006420注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；模组主要用于服务器，服务器DRAM主要是在合约市场进行交易，现货市场占比小，没纳入9：Dramexchange，中泰证券研究所利基：合约价环比跌幅扩大，DDR3现货价跌幅收窄◼

DDR4芯片：7月利基DDR4合约价环比下跌5-8%，跌幅扩大，现货价持续下行。➢

1）合约价：今年7月，DDR4

8Gb（512Mx16）的合约价为$3.35，同比-31.35%，环比-5.63%，而6月环比跌幅达1.11%，7月环比跌幅扩大；DDR4

4Gb（256Mx16）的合约价为$2.12，同比-22.34%，环比-7.83%，而6月环比跌幅为2.13%，7月环比跌幅扩大。➢

2）现货价：截止7月29日，DDR4

8Gb（512Mx16）2666

Mbps的现货价为$2.82，7月下跌9.32%，近一周下跌3.09%；DDR44Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps的现货价为$1.68，7月下跌4.00%，6月下跌2.23%，跌幅收窄，近一周下跌1.75%。图：典型利基DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型利基DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR4

8Gb（512Mx16）2666

MbpsDDR48Gb512Mx16DDR44Gb256Mx16DDR4

4Gb（256Mx16）2400/2666

Mbps9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.007654321010：Dramexchange，中泰证券研究所利基：合约价环比跌幅扩大，DDR3现货价跌幅收窄◼

DDR3芯片：7月合约价继续下跌，环比跌幅7-11%，6月跌幅为3%-4%，跌幅明显扩大，但仍处高位；现货价继续下跌，但月跌幅收窄，7月下跌7%-9%，6月下跌9%-12%。➢

1）合约价：7月DDR3

4Gb（256Mx16）的合约价为$2.38，同比-12.18%，环比-10.19%，6月环比跌幅为3.64%，7月跌幅扩大；DDR3

2Gb（128Mx16）的合约价为$2.18，同比-3.11%，环比-8.40%，6月环比跌幅为3.25%，7月跌幅扩大；DDR3

1Gb（64Mx16）的合约价为$1.58，同比-14.59%,环比-7.60%，6月环比跌幅为3.93%，7月跌幅扩大。➢

2）现货价：截止7月29日，DDR3

4Gb（256Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.85，7月现货价下跌7.96%，6月跌幅达9.46%，跌幅有所缩小，近一周下跌3.65%；DDR3

2Gb（128Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.65，7月下跌8.3%，6月下跌11.33%，跌幅有所缩小，近一周下跌2.94%。图：典型利基DDR3芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR3芯片的合约价（美金/颗）DDR34Gb256Mx16DDR32Gb128Mx16DDR31Gb64Mx16DDR34Gb256Mx161600/1866MbpsDDR32Gb128Mx161600/1866MbpsDDR31Gb64Mx161600/1866Mbps3.53432102.521.510.5011：Dramexchange，中泰证券研究所利基：合约价环比跌幅扩大，DDR3现货价跌幅收窄◼

DDR2芯片：7月合约价格环比下跌11-12%，6月环比跌幅3%-4%，7月跌幅扩大。➢

合约价：今年7月DDR2

1Gb（64Mx16）的合约价为$1.48，同比-18.23%，环比-11.9%，6月环比跌幅为4%，7月跌幅扩大；DDR2

512Mb（32Mx16）的合约价为$1.18，同比-21.85%，环比-11.28%，6月环比跌幅为3.62%，7月跌幅扩大。图：典型利基DDR2芯片的合约价（美金/颗）DDR21Gb64Mx16DDR2512Mb32Mx162.001.801.601.401.201.000.800.600.400.200.00注：利基DDR2市场小，在现货市场占比小，故无现货价格：Dramexchange，中泰证券研究所12利基：DDR3、DDR4仍倒挂，合约价差进一步缩小◼

DDR3结构优化，DDR3与DDR4价格出现倒挂，7月合约价差0.26美金，价差较6月有所缩小。➢

1）合约价：过去4Gb

DDR4价格高于4Gb

DDR3，2021年12月价格打平，自今年1月价格开始倒挂，5月价差扩大至0.4美金，6月价差为0.35.7月价差为0.26，价差进一步缩小，4Gb

DDR3价格环比下降幅度大于4Gb

DDR4。➢

2）现货价：2021年10月中旬，4Gb

DDR3与4Gb

DDR4价格基本打平，后开始出现倒挂，价差最大可达0.52，目前4Gb

DDR3与4GbDDR4的现货价价差进一步缩小，截至7月29日，4GDDR3价格

$1.85，4GDDR4价格$1.68，4GDDR3价格较4GDDR4高0.17美金。图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

合约价对比（美金/颗）图：4G

DDR4

VS

4G

DDR3

现货价对比（美金/颗）DDR4与DDR3差值DDR4

4Gb（256Mx16）2400/2666

MbpsDDR34Gb256Mx161600/1866MbpsDDR4与DDR3差值DDR44Gb256Mx16DDR34Gb256Mx164.54.03.53.02.52.01.51.00.50.01.0554433221101.50.81.00.60.50.40.20.00.0(0.5)(1.0)(1.5)(0.2)(0.4)(0.6)2017/82018/82019/82020/82021/813：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌二、NAND价格追踪：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌1.1主流：MLC合约、现货价继续下跌，3D

TLC现货价跌幅扩大1.2利基：SLC合约价跌幅缩小，现货价继续下跌三、要闻&公告：江波龙首日上市大涨78%，A股Q2业绩亮眼四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化14NAND：2D到3D大势所趋，TLC、QLC渐成主流◼

NAND细分市场：3D渗透率提高，TLC、QLC为主要颗粒类型➢

1）NAND分类：根据结构，NAND分为2D

NAND、3D

NAND，根据颗粒类型，NAND分为SLC/MLC/TLC/QLC，SLC每单元存储1

bit数据、MLC的存储2个bit、TLC的存储3个bit、QLC的存储4个bit➢

2）2D到3D大势所趋：2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D

NAND成为发展主流。2019年，3D

NAND的渗透率为72.6%，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D

NAND将占闪存总市场的97.5%➢

3）TLC、QLC为市场主流：目前TLC、QLC是NAND的主流产品，合计占95%的份额，根据Gartner数据，2019年SLC

NAND市场16.7亿+美金，占NAND市场的3%-4%左右图：NAND细分产品市场规模2D收入（十亿美金）

3D收入（十亿美金）图：NAND细分产品市场规模占比SLC

MLC

TLC

QLC706050403020100100%80%60%40%20%0%15：Internationalbusinessstrategies，联芸科技市场闪存市场研究中心，中泰证券研究所NAND：主流占大头，大陆发力SLC

NAND◼

NAND：主流占大头，利基产品是大陆设计公司现阶段的重点，长存定位主流➢

1）NAND分成利基与主流：SLCNAND、MLC/TLC

NAND

<=4GB是利基产品，MLC/TLC

NAND>4GB是主流产品➢

2）SLC

NAND是大陆设计公司发力点：根据Gartner数据统计，2019

年SLC

NAND

全球市场16.7亿美元，在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域，2021年市场预计达到

21.4亿美元，占NAND市场的3%-4%；台系厂商华邦、旺宏占据SLC

NAND的主要份额，目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLC

NAND，长江存储做主流NAND（3D

NAND256Gb\512Gb\1.33Tb）图：目前Dramexchange记录价格的利基NAND与主流NAND类别NAND产品SLC16Gb2Gx8SLC8Gb1Gx8SLC4Gb512Mx8SLC2Gb256Mx8SLC1Gb128Mx8MLC256Gb32Gx8MLC128Gb16Gx8MLC64Gb8Gx8MCL32Gb4Gx83DTCL1Tb利基NAND主流NAND3DTCL512Gb3DTCL256Gb16：Dramexchange，兆易创新年报，中泰证券研究所NAND：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌◼

需求疲软，7月合约价继续下跌，跌幅2-4%，利基NAND跌幅2%-4%，跌幅较6月的5%-7%有所缩小➢

1）主流NAND：MLC

NAND7月合约价环比跌幅2%-4%，64Gb、128Gb跌幅扩大，32Gb跌幅缩小。➢

2）利基NAND：SLC

NAND6月合约价下跌跌幅3-7%，7月合约价环比跌幅2-4%，跌幅明显缩小。图：NAND合约价（美金）2022年7月月同比-6.7%-6.4%-7.0%-4.2%-4.0%-6.1%-3.3%-4.5%-1.0%2022年6月

2022年5月

2022年4月类型型号价格月环比-3.9%-3.6%-2.1%-3.1%-2.6%-3.0%-3.3%-3.1%-2.9%月环比-2.9%-2.9%-5.0%-5.7%-6.0%-6.5%-5.7%-5.8%-3.7%月环比0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%月环比0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%2.1%1.5%2.9%MLC

128Gb（16Gx8）

4.5主流NANDMLC

64Gb（8Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）SLC

32Gb(4Gx8)SLC

16Gb(2Gx8)SLC

8Gb(1024Mx8)SLC

4Gb(512Mx8)SLC

2Gb(256Mx8)SLC

1Gb(128Mx8)3.22.812.06.33.21.81.31.0利基NAND注：价格数据2022年7月29日更新：Dramexchange，中泰证券研究所17NAND：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌◼

截至2022年7月29日，近一月NAND现货价继续下跌，主流NAND跌幅0-21%，利基NAND（除SLC

2Gb）跌幅0-5%。➢

1）主流NAND：近一个月MLCNAND

现货价跌幅0-8%，3DTLC

NAND现货价跌幅2%-21%。➢

2）利基NAND：近一个月，除

SLC

2Gb

外，其他

SLC

NAND

现货价下跌，跌幅0-5%，相较6月（跌幅0-8%）有一定缩小；SLC2Gb

7月现货价转涨，涨幅0.8%；SLC

1Gb

7月现货价打破6月止跌态势，近一月跌幅1.7%，近一周未下跌。图：NAND现货价（美金）22/7/29变化幅度类型型号价格

7/22-7/29

7/1-7/29

6/1-6/30

5/1-5/31MLC

256Gb(32GBx8)MLC

128Gb(16GBx8)MLC

64Gb(8GBx8)MLC

32Gb(4GBx8)3D

TLC

1Tb14.36.64.02.214.65.32.511.43.51.81.31.1-0.4%-5.9%0.0%-3.3%-9.7%0.9%1.0%-8.0%

-11.8%-0.2%0.0%-0.5%0.0%0.8%主流NAND0.0%0.2%-4.9%-0.6%-0.4%-1.6%-1.1%0.0%-20.1%-2.7%-3.1%-2.4%-4.2%-1.1%0.8%-5.1%-2.7%-3.7%-1.7%-3.7%-5.3%-7.4%0.0%0.0%3D

TLC

512Gb-2.3%-3.3%-0.6%-1.1%0.8%3D

TLC

256GbSLC

16Gb(2GBx8)SLC

8Gb(1GBx8)SLC

4Gb(512MBx8)SLC

2Gb(256MBx8)SLC

1Gb(128MBx8)利基NAND0.0%6.6%0.0%-1.7%-0.3%注：价格数据2022年7月29日更新：Dramexchange，中泰证券研究所18主流：MLC合约、现货价继续下跌，3D

TLC现货价跌幅扩大◼

MLC

NAND：7月合约价继续下跌，跌幅2%-4%，现货价跌幅0-8%，跌幅有所缩小。➢

1）合约价：今年7月，MLC

128Gb(16Gx8)的合约价为$4.49，同比-6.65%，环比-3.85%；MLC

64Gb（8Gx8）的合约价为$3.22，同比-6.40%，环比-3.59%；MLC

32Gb（4Gx8）的合约价为$2.79，同比-7.00%，环比下降2.11%。这3款NAND从2021年7月起价格坚挺、价格无变化，今年6月打破平稳态势，7月份继续下跌。➢

2）

现

货

价

：

截

止

7月

29日

，

MLC

256Gb(32GBx8)的

现

货

价

为

$14.29，

近

一

月

下

跌

3.32%，

近

一

周

下

跌

0.42%；

MLC128Gb(16GBx8)的现货价为$6.58，近一月下跌7.97%，近一周下跌5.93%；MLC

64Gb(8GBx8)的现货价为$4.02，近一月下跌0.25%，近一周无变化；MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.16，近一月、近一周价格无变化，其现货价已连续2月未下跌。图：MLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）图：MLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）MLC

128Gb（16Gx8）MLC

32Gb（4Gx8）MLC

64Gb（8Gx8）MLC256Gb(32GBx8)MLC64Gb(8GBx8)MLC128Gb(16GBx8)MLC32Gb(4GBx8)7654321018161412108642019：Dramexchange，中泰证券研究所主流：MLC合约、现货价继续下跌，3D

TLC现货价跌幅扩大◼

3D

TLC

NAND：终端需求疲弱，近一个月现货价继续下跌，跌幅3-21%，较6月跌幅2-6%有所扩大。➢

现货价：截止7月29日，3D

TLC

1Tb的现货价为$14.55，近一个月下跌20.05%、近一周下跌4.90%；3D

TLC

512Gb的现货价为$5.25，近一月下跌2.68%，近一周下跌0.57%；3DTLC

256Gb的现货价为$2.53，近一月下跌3.07%，近一周下跌0.39%。图：3D

TLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）3DTLC1Tb3D

TLC512Gb3DTLC256Gb252015105020：Dramexchange，中泰证券研究所利基：SLC合约价跌幅缩小，现货价继续下跌◼

SLC

NAND：7月合约价继续下跌，环比跌幅2-4%，相较6月跌幅缩小，绝大部分利基产品现货价仍下跌，近一月跌幅1-5%。➢

（1）合约价：今年7月，SLC

32Gb(4Gx8)的合约价为$12.02，同比-4.22%，环比-3.06%；SLC

16Gb(2Gx8)的合约价为$6.25，同比-3.99%，环比-2.65%%；SLC8Gb(1024Mx8)的合约价为$3.22，同比-6.12%，环比-3.01%；SLC4Gb(512Mx8)的合约价为$1.75，同比-3.31%，环比-3.31%；SLC

2Gb(256Mx8)的合约价为$1.27，同比-4.51%，环比-3.05%；SLC

1Gb(128Mx8)的合约价为$1.0，同比-0.99%，环比-2.91%➢

（2）现货价：截止7月29日，SLC

16Gb(2GBx8)的现货价为$11.4，近一月下跌2.40%，近一周下跌1.55%；SLC

8Gb(1GBx8)的现货价为$3.46，近一月下跌4.18%，近一周下跌1.15%；SLC4Gb(512MBx8)的现货价为$1.76，近一月下降1.12%，近一周无变化；SLC

2Gb(256MBx8)的现货价为$1.27，近一月上涨0.8%，近一周无变化；SLC

1Gb(128MBx8)的现货价为$1.14，打破6月止跌态势，7月下跌1.7%，近一个周无变化。图：SLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）图：SLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）SLC32Gb(4Gx8)SLC4Gb(512Mx8)SLC16Gb(2Gx8)SLC2Gb(256Mx8)SLC8Gb(1024Mx8)SLC1Gb(128Mx8)SLC16Gb(2GBx8)SLC2Gb(256MBx8)SLC8Gb(1GBx8)SLC4Gb(512MBx8)SLC1Gb(128MBx8)201510514121086420021：Dramexchange，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌二、NAND价格追踪：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌三、要闻&公告：江波龙首日上市大涨78%，A股Q2业绩亮眼四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化22要闻：江波龙首日上市大涨78%，旺宏Nor汽车+泛工业增长强劲◼

DDR6内存已投入研发，2024年面世➢

7月17日，三星证实，已经投入下一代DDR6内存的早期开发阶段，该内存将使用MSAP技术，三星预计DDR6设计将在2024年完成。在规格方面，DDR6

内存将是现有

DDR5

内存的两倍，传输速度高达

12,800

Mbps（JEDEC

)

，超频速度超过17000

Mbps，每个模块的内存通道数量也将增加一倍，四个16位通道由64个内存库连接。➢/s/nAllK4cZUxzxwnwR6GwVMA◼

旺宏：Q2盈利历史新高，nor汽车+泛工业增长强劲➢

从月度营收看，4月开始下滑，MoM-9%，5月继续下滑，MoM-9%，6月反弹，MoM+10%。Q2营收达113亿新台币，YoY-1%，QoQ-2%。Q2营业毛利率48.2%，YoY+9.1pct，QoQ-0.1pct。➢

Q2营业净利率26.3%，YoY+6.1pct，QoQ-1.4pct。其中，NOR：由于大陆疫情及汽车零部件短缺，22Q2出货量较上季减少10%，但欧美及日本市场需求稳定，且持续聚焦高容量，高容量营收占比50%+；ASP受高阶应用需求、持续维持较高水平；车用电子营收YoY+49%，工规/医疗/航天营收YoY+60%，消费电子面临衰减、YoY-20%，预计高品质、高性能、高容量、高安全性的NOR价格没有下降压力，非消费电子的NOR产品有选择性涨价空间。➢.tw/zh-tw/about/investor-relations/Pages/quarterly-results.aspx◼

江波龙：首日上市大涨77.83%，总市值达408.74亿元➢

8月5日，国内存储厂商江波龙（

301308.SZ

）在创业板上市，收盘报99元/股，涨幅为77.83%，市值为408.7亿元。IPO发行价为每股55.67元，发行4200万新股，募资总额为23.38亿元。保荐人为中信建投和汇丰前海。此次募集资金将用于存储产业园建设、企业级及工规级存储器研发、以及补充流动资金。➢/2022-08-05/101922777.html◼

SK海力士：成功研发238层4D

NAND闪存，计划2023年上半年投入量产➢

8月3日海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND。目前已向客户送了238层

512Gb

TLC

4D

NAND样品，并计划在2023年上半年正式量产。4D架构采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge

Trap

Flash)*和PUC(Peri.

Under

Cell)*

技术，相较3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。➢/s/rpPUD3-xsqVS4UOTh7apxw23：公开信息，中泰证券研究所重要公告：兆易创新、北京君主、普冉股份Q2业绩亮眼◼

兆易创新：Q2归母净利润环比增长22%，符合预期➢

22H1:预计归母净利润15.2亿元，同比+93%；预计扣非14.61亿元，同比+97%。➢

22Q2：预计归母净利润8.34亿元，同比+72%，环比+22%；预计扣非8.06亿元，同比+74%，环比+23%。产品&客户结构持续优化，工业、汽车占比持续提升，多元化供应链布局克服疫情对供应链的影响，实现收入和净利润快速增长。◼

北京君正：行业市场需求向好，上半年业绩亮眼➢

22H1：预计归母净利润4.9-5.4亿元，同增37%-51%；实现扣非归母净利润4.7-5.2亿元，同增38%-53%。➢

22Q2：预计归母净利润2.5-3.1亿元，同增8%-30%，环增10%-32%；实现扣非归母净利润2.4-2.9亿元，同增9%-32%，环增7%-30%。◼

普冉股份：景气向下叠加费用端短期承压，Q2扣非仍环增50%+➢

22H1：预计营收5.6~5.8亿元，同比+10%~13%；预计归母净利润1.0-1.1亿元，同比-9%~-0.5%；实现扣非1.0~1.1亿元，同比-9%~-0.1%。➢

22Q2：预计营收3.4~3.6亿元，同比+23%~29%，环比+51%~59%；实现归母净利润0.6~0.7亿元，同比-19%~-5%，环比+45%-69%；扣非0.6-0.7亿元，同比-15%~-1%，环比+56%~82%。2021年10月完成股权激励计划，22H1摊销股份支付费用1102万元，而去年同期为零，另外公司2021

年享受免征企业所得税，2022

年起减按

10%的税率征收企业所得税，所得税费用较去年同期有所增长。24：Wind，中泰证券研究所目

录一、DRAM价格追踪：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌二、NAND价格追踪：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌三、要闻&公告：江波龙首日上市大涨78%，A股Q2业绩亮眼四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化25投资建议◼

大陆存储大市场&低自给率，

空间广阔，建议关注兆易创新（大陆存储龙头）、聚辰股份（大陆EEPROM龙头）、北京君正（大陆车载存储龙头）、澜起科技（内存接口芯片龙头）、东芯股份（大陆SLC

NAND龙头）、普冉股份（从小容量到大容量，打开成长空间）等26风险提示◼

下游需求不及预期：存储公司下游应用领域广泛，客户众多，若疫情反复或其他影响致使经济不及预期，可能会给公司营收不及预期的风险◼

产能瓶颈的束缚：存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响，产能释放不及预期，进而影响公司业绩◼

大陆厂商技术进步不及预期：存储产品技术难度大，若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩◼

中美贸易摩擦加剧：目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化，存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险◼

研报使用的信息更新不及时：研报使用信息为公开信息和调研数据，可能因为信息更新不及时产生一定影响◼

第三方数据库数据信息可信性风险：存储价格使用了第三方数据库，存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险27目

录一、DRAM价格追踪：利基合约价跌幅扩大仍处高位，现货价继续下跌二、NAND价格追踪：利基合约价跌幅缩小，现货价继续下跌三、要闻&公告：江波龙首日上市大涨78%，A股Q2业绩亮眼四、投资建议&风险提示附录

跟踪逻辑：存储大市场强周期，价格反应景气度变化28存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

全球半导体产业大市场、强周期性➢

1）市场规模：2021年全球市场规模达到5531亿美金，同比+26%，WSTS预计2022年将继续增长，市场规模有望达6284亿美金，同比+14%，2023年市场规模达到6632亿美金，同比+6%➢

2）周期性：从1980年开始，全球半导体产业历经8轮周期，从2019年开始处于第9轮周期，目前处于上行阶段，近几轮周期一般持续3-4年，本次周期疫情打乱节奏，周期时间有拉长的趋势图：全球半导体市场规模强周期属性（亿美金）全球半导体市场规模(亿美金）yoy70006000500040003000200010000140%120%100%80%60%40%20%0%1996|20002001|20072008|20102011|20142015|20181985|19881989|19952019|Now1980|1984-20%-40%-60%注：全文数据2022年5月16日更新：WSTS，中泰证券研究所29存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

存储占比大叠加周期波动大，对行业整体周期波动影响最为明显➢

规模占比：存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类➢

周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类图：半导体各细分市场占比图：半导体各细分市场yoy分立、光电器件、传感器

集成电路分立、光电器件、传感器微型元件模拟芯片逻辑芯片模拟芯片

微型元件逻辑芯片

存储器存储器40%35%30%25%20%15%10%5%60%40%20%0%0%-20%-40%30：WSTS，中泰证券研究所存储：半导体top2细分产品，周期波动大是典型特征◼

存储是半导体细分产品成长性最优赛道➢

成长性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升图：全球半导体细分市场CAGR存储器逻辑芯片微型元件模拟芯片2016-21年CAGR2011-21年CAGR2002-21年CAGR0%2%4%6%8%

10%

12%

14%

16%31：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪◼

2021年DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪➢

从细分产品看：DRAM、NAND占据主要份额，2021年占比分别为61、36%，合计占比97%➢

跟踪存储的景气度变化重点跟踪DRAM和NAND景气度变化图：全球存储细分市场占比DRAMNANDNor等100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022e2023e32：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪◼

DRAM周期波动幅度最大，成长性最优➢

周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场➢

成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升图：全球存储细分市场规模增速DRAM

NAND

NOR及其他图：全球存储细分市场CAGR存储器DRAMNANDNOR及其他存储器80%60%40%20%0%2016-21年CAGR2011-21年CAGR2009-21年CAGR-20%-40%-60%-10.0%

-5.0%0.0%5.0%10.0%

15.0%

20.0%33：WSTS，中泰证券研究所存储：DRAM和NAND合计占比97%，重点跟踪DVD，CD，CD-ROM等光学存储半导体存储磁性存储SRAM：静态随机存储器显存平台：GDDR1-4RAM：随机存储器，断电数据会丢失异步存储：FPDRAM,EDO

DRAMDRAM：动态随机存储器同步存储：SDRAM笔记本平台：等LPDDR～930亿美元伪静态随机存储器：PC平台：PSRAMSDR,DDR1-4EEPROMPROMEPROM掩膜ROM串行

NOR～

31亿美元ROM：只读存储器，断电数据不会丢失存储器NOR

FLASH并行

NOReMMCFLASH～591亿美元嵌入式存储NANDFLASH:eMMC,SSD,USB3.0UFS～

560亿美元SATA接口固态硬盘（SSD）3D-XpointRRAM:阻变MRAM:磁阻NVMe接口SD/MicroSD等存储卡移动存储闪存盘新型RAM：断电数（“U盘”）据不会丢失FRAM:铁电PCM:相变磁带、软盘、机械硬盘等注：2021年数据：SIA,ICInsights，中泰证券研究所驱动力：智能手机+服务器+PC是三大下游应用◼

三大驱动力：智能手机+服务器+PC➢

DRAM：智能手机占比39%，是第一大市场，2021年服务器占比34%，是第二大市场，PC占比13%，萎缩明显➢

NAND：2020年手机占比37%、PC

SSD占比28%，企业级SSD占比18%➢

智能手机端，出货量增速有限，单机容量提升是主要推动力。服务器端，受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起，服务器出货量及单机容量提升推动增长图：DRAM下游应用构成（按需求量）Server

Mobile

PC

其他图：NAND下游应用构成（按需求量）HandsetsPCSSDGameConsoleEnterpriseSSDUFD+MemoryCard

Others100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100%80%60%40%20%0%17%28%18%28%20%29%22%27%40%37%35%34%201920202021e2022e35：Dramexchange，SIA，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断◼

韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中➢

CR3：DRAM

94%、NAND

67%、Nor

64%，DRAM集中度最高，Nor集中度最低➢

DRAM：2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%➢

NAND：六大厂商垄断，2021年六大厂商合计市占率高达93%➢

Nor：主要被台系厂商垄断，2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%，占半壁江山，兆易创新市占率18%，全球第三。图：DRAM、NAND、Nor竞争格局对比（2021年数据）NorFlashNANDFlashDRAM三星美光海力士南亚科技华邦三星美光其他铠侠海力士旺宏赛普拉斯半导体美光科技华邦电兆易创新其他力晶Solidigm

西部数据其他3%14%26%34%7%23%6%43%11%18%26%13%28%19%11%36：Trendforce,CINNOResearch，中泰证券研究所；存储：海外大厂寡头垄断◼

DRAM全球三大寡头，大陆还看长鑫➢

三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势➢

格局稳定：2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自2013年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上图：DRAM竞争格局历经洗牌DRAM厂商数量截至2018年，三星、海力士、美光三足鼎立，合计市占率94%252015105037：WSTS，IDC，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断图：三星、海力士、美光全球DRAM市占率变化情况三星海力士美光60%40%20%0%2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021图：DRAM行业集中度持续提升Top3厂商合集市占率其他厂商合计市占率150%100%50%0%2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

202138：IDC，Dramexchange，中泰证券研究所存储：海外大厂寡头垄断◼

NAND：全球六大龙头竞争，格局稳定➢

NAND市场集中度不断提高。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%、14%、13%、11%、6%，CR6达到93%图：1996年全球NAND厂商多半已退出市场图：全球NAND目前由6家厂商垄断铠侠

海力士

美光

Solidigm三星西部数据其他3%4%6%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%IntelADM8%36%AtmelOther10%FujitsuSharpSST12%SGD-Thomson21%39：ICE，Trendforce，中泰证券研究所；注：2020年海力士收购英特尔的NAND和SSD业务，2021年12月Solidigm

宣布正式成立，成为海力士在美国的独立子公司，大陆DRAM：第二大市场&自给率极低，长鑫引领发展◼

DRAM：大陆市场最大但自给率极低，长鑫引领发展➢

第二大市场：根据2019年数据，中国是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的39%➢

自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0➢

长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAM

IDM厂商，2016年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。2019年19nm8Gb

DDR4投产，2022年预计将试产17nm

DDR5；2021年中国大陆DRAM产能占全球4%，长鑫产能占全球DRAM3%，引领大陆发展图：中国是全球第二大DRAM市场（2019年）图：长鑫制程紧跟海外大厂步伐2015201620172018201920202021

2022e三星海力士美光18%18nm1Ynm1Znm1Anm美国21nm20nm1Xnm1Ynm1Znm1Anm4%39%中国欧洲日本其他5%1Xnm20nm38nm1Ynm1Znm1αnm南亚1Xnm华邦25nm20nm34%长鑫存储1Xnm/19nm17nm40：Yole

Research，

Dramexchange，中泰证券研究所大陆NAND：第一大市场&自给率极低，大陆还看长存◼

NAND大陆需