传感器技术-第4章 光电传感器原理与应用

第四章光电传感器原理与应用4.1光电效应和光电器件4.2光电码盘8/20/20231光电式传感器原理首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电器件变换成电信号。辐射源光学通路光电器件输出被测量被测量特性

频谱宽、非接触测量、体积小、重量轻等8/20/20232光电式传感器的基本组成光电式传感器由光路及电路两大部分组成，光路部分实现被测信号对光量的控制和调制，电路部分完成从光信号到点信号的转换；光学元件：透镜、滤光片、光阑、光楔、棱镜、反射镜、光通量调制器、光栅及光导纤维等。实现光参数的选择、调制和处理。可以测量光学量或测量已先行转换为光学量的其它被测量，然后输出电信号。测量光学量时，光电元件作为敏感元件使用。光电元件：光电管、光敏电阻、光电二极管、光电晶体管、光电池等。实现检测照射其上的光通量。8/20/20233光电式传感器的基本组成测量非光学量时，光电元件作为转换元件使用，需要配以光源和调制件。常用光源：白炽灯、发光二极管和半导体激光器等，实现提供恒定的光照条件。调制件：是用来将光源提供的光量转换成能与被测量相对应变化的光量元件，调制件的结构由被测量及测量原理而定。8/20/202344.1光电效应和光电器件外光电效应:

在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。如光电管、光电倍增管内光电效应:在光线作用下能使物体电阻率改变的现象，如光敏电阻等属于这类光电器件。阻挡层光电效应(光生伏特效应):在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池、光敏晶体管等8/20/20235

1.外光电效应

一束光是由一束以光速运动的粒子流组成的，这些粒子称为光子。光子具有能量，每个光子具有的能量由下式确定：E=hυ式中：h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s)

υ——光的频率（s-1）。光电效应：当光照射物体时，物体受到一连串具有能量的光子的轰击，物体中的电子吸收入射光子的能量，而发生相应的效应（如发射电子、电导率变化或产生电动势）。8/20/20236所以光的波长越短，即频率越高，其光子的能量也越大；反之，光的波长越长，其光子的能量也就越小。在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。光照射物体，可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物体，物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功A0时，电子就会逸出物体表面，产生光电子发射，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。8/20/20237式中：m——电子质量；

v0——电子逸出速度。

上式为爱因斯坦光电效应方程式,由式可知：光子能量必须超过逸出功A0，才能产生光电子；入射光的频谱成分不变，产生的光电子与光强成正比；光电子逸出物体表面时具有初始动能 ，因此对于外光电效应器件，即使不加初始阳极电压，也会有光电流产生，为使光电流为零，必须加负的截止电压。

根据能量守恒定理8/20/20238在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应。光电效应又有以下两类：

（2）内光电效应又称光电导效应。在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量，若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度，就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。（3）光生伏特效应在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池。8/20/20239光电效应和光电器件4.1.1光电管4.1.2光电倍增管4.1.3光敏电阻4.1.4光敏二极管和光敏晶体管4.1.5光电池4.1.6光电式传感器的应用上一页下一页返回8/20/2023104．1．1光电管当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子，电子被带正电位的阳极所吸引，在光电管内就有电子流，在外电路中便产生了电流。上一页下一页返回8/20/202311真空光电管的伏安特性充气光电管的伏安特性充气光电管:构造和真空光电管基本相同，优点是灵敏度高.所不同的仅仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体其灵敏度随电压变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差上一页下一页返回8/20/2023124．1．2光电倍增管在入射光极为微弱时，光电管能产生的光电流就很小，光电倍增管：放大光电流组成：光电阴极+若干倍增极+阳极上一页下一页返回8/20/2023138/20/202314光电倍增管的结构与工作原理光电阴极光电倍增极阳极倍增极上涂有Sb-Cs或Ag-Mg等光敏材料，并且电位逐级升高 阴极发射的光电子以高速射到倍增极上，引起二次电子发射 二次电子发射系数σ=二次发射电子数／入射电子数 若倍增极有n，则倍增率为σni为光电阴极的光电流上一页下一页返回8/20/202315几种光电倍增管的外形8/20/2023164．1．3光敏电阻1.光敏电阻的工作原理及结构2．光敏电阻的主要参数3．光敏电阻的基本特性上一页下一页返回8/20/202317光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。1.光敏电阻的工作原理及结构8/20/202318当无光照时，光敏电阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小当有光照时，光敏电阻值(亮电阻)急剧减少，电流迅速增加上一页下一页返回一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级，亮电阻值在几千欧以下。

8/20/202319光敏电阻的结构光敏电阻的结构很简单，图（a）为金属封装的硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体物质，称为光导层。半导体的两端装有金属电极，金属电极与引出线端相连接，光敏电阻就通过引出线端接入电路。上一页下一页返回8/20/202320光敏电阻结构(a)光敏电阻结构；(b)光敏电阻电极；(c)光敏电阻接线图为了提高灵敏度，光敏电阻的电极一般采用梳状图案，如图（b）所示。8/20/2023211.玻璃2.光电导层3.电极4.绝缘衬底5.金属壳6.黑色绝缘玻璃7.引线光敏电阻的灵敏度易受潮湿的影响，因此要将光电导体严密封装在带有玻璃的壳体中。光敏电阻结构

8/20/2023228/20/202323灵敏度高，光谱特性好，光谱响应从紫外区一直到红外区。而且体积小、重量轻、性能稳定如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小：

8/20/2023242．光敏电阻的主要参数 （1）暗电阻和暗电流光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。（2）亮电阻光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。（3）光电流亮电流与暗电流之差，称为光电流。上一页下一页返回8/20/2023253．光敏电阻的基本特性

（1）伏安特性（2）光照特性（3）光谱特性（4）响应时间和频率特性（5）温度特性上一页下一页返回8/20/202326（1）伏安特性

在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系在给定的偏压情况下，光照度越大，光电流也就越大；在一定光照度下，加的电压越大，光电流越大，没有饱和现象。图中虚线为允许功耗曲线，由此确定光敏电阻正常工作电压。8/20/202327（2）光照特性

光敏电阻的光电流与光强之间的关系由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。8/20/202328（3）光谱特性光谱光波：波长为10—106nm的电磁波可见光：波长380—780nm紫外线：波长10—380nm波长300—380nm称为近紫外线波长200—300nm称为远紫外线波长10—200nm称为极远紫外线红外线：波长780—106nm波长3μm（即3000nm）以下的称近红外线波长超过3μm的红外线称为远红外线。远紫外近紫外可见光近红外远红外极远紫外0.010.11100.050.55波长/μm8/20/202329光敏电阻对不同波长的光，灵敏度是不同的在选用光敏电阻时，要根据光源考虑。

光敏电阻光敏特性8/20/202330（4）响应时间和频率特性光电导的弛豫现象：光电流的变化对于光的变化，在时间上有一个滞后。通常用响应时间t表示。

上一页下一页返回8/20/202331光敏电阻的频率特性不同材料的光敏电阻具有不同的响应时间，所以它们的频率特性也就不尽相同。

上一页下一页返回8/20/202332（5）温度特性光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时，它的暗电阻和灵敏度都下降。硫化镉光敏电阻的温度特性温度系数:定义为：在一定光照下，温度每变化1℃，光敏电阻阻值的平均变化率上一页下一页返回8/20/202333温度对光谱特性影响随着温度升高，光谱响应峰值向短波方向移动。因此，采取降温措施，可以提高光敏电阻对长波光的响应。硫化铅光敏电阻的光谱温度特性上一页下一页返回8/20/2023344.1.4光敏二极管和光敏晶体管1．工作原理2．基本特性上一页下一页返回8/20/2023351．工作原理光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射。

8/20/202336光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态，在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流光敏二极管接线图8/20/202337光的照度越大，光电流越大。因此光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。

光敏二极管结构简图和符号

8/20/202338PNRE+-If普通二极管8/20/202339PNRE-+Is光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。光敏二极管8/20/202340RE-+I当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。PN当光照射时，光敏二极管处于导通状态。8/20/2023418/20/2023428/20/202343光敏晶体管光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，如下图（a）所示，只是它的集电极一边做得很大，以扩大光的照射面积。光敏晶体管接线如图（b）所示。8/20/202344普通三极管ICIBeEBECIERCRbcbNNP8/20/202345光敏三极管ICIBeEBECIERCRbcbNNP基区很薄，基极一般不接引线；集电极面积较大。8/20/202346ICeECIERCcNNPb具有两个pn结。把光信号转换为电信号同时，又将信号电流加以放大。当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压。8/20/202347光敏晶体管当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高。这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。ICeECIERCcNNPb8/20/202348光敏晶体管的光电灵敏度虽然比光敏二极管高得多，但在需要高增益或大电流输出的场合，需采用达林顿光敏管。它是一个光敏晶体管和一个晶体管以共集电极连接方式构成的集成器件。由于增加了一级电流放大，所以输出电流能力大大加强，甚至可以不必经过进一步放大，便可直接驱动灵敏继电器。达林顿光敏管的等效电路

8/20/202349红外线,光敏晶体管光敏晶体管8/20/2023502．基本特性（1）光谱特性（2）伏安特性（3）光照特性（4）温度特性（5）频率响应上一页下一页返回8/20/202351（1）光谱特性入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降硅和锗光敏二极（晶体）管的光谱特性可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管。在红外光进行探测时，则锗管较为适宜。硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm。8/20/202352（2）伏安特性硅光敏管的伏安特性为硅光敏二极管的伏安特性。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。为硅光敏晶体管的伏安特性。由于晶体管的放大作用，在同样照度下，其光电流比相应的二极管大上百倍。8/20/202353（3）光照特性硅光敏管的光照特性光敏二极管的光照特性曲线的线性较好上一页下一页返回(a)光敏二极管(b)光敏三极管近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。故光敏三极管既可做线性转换元件，也可做开关元件8/20/202354（4）温度特性其暗电流及光电流与温度的关系温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。

上一页下一页返回8/20/202355（5）频率响应具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系

硅光敏晶体管的频率响应上一页下一页返回8/20/2023564．1．5光电池光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用时实质就是电源，电路中有了这种器件就不需要外加电源。

1.工作原理

2．基本特性上一页下一页返回8/20/2023571.工作原理直接将光能转换为电能的光电器件，是一个大面积的pn结。当光照射到pn结上时，便在pn结的两端产生电动势(p区为正，n区为负)。用导线将pn结两端用导线连接起来，就有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至n区。若将电路断开，就可以测出光生电动势。RLI---mAV+++PN8/20/202358

光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。当光照射到PN结的一个面，例如P型面时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴，电子-空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。RLI---mAV+++PN8/20/202359光电池有硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池等。目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池和硒光电池。硅光电池的价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光。硒光电池的光电转换效率低、寿命短，适于接收可见光。砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性与太阳光谱最吻合，且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。适于宇宙飞船、卫星、太空探测器等方面应用。8/20/202360硅光电池原理图(a)结构示意图；(b)等效电路8/20/2023612．基本特性(1)光谱特性(2)光照特性(3)频率响应(4)温度特性(5)稳定性上一页下一页返回8/20/202362（1）光谱特性光电池对不同波长的光，灵敏度是不同的上一页下一页返回不同材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8μm附近，硒光电池在0.5μm附近。硅光电池的光谱响应波长范围为0.4-1.2μm，而硒光电池只能为0.38-0.75μm。硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。8/20/202363(2)光照特性不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的。短路电流与光照度成线性关系；开路电压（即负载电阻RL无限大时）与光照度是非线性的，并且当照度在200lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜用作电压源。

上一页下一页返回8/20/202364光电池的短路电流短路电流：外接负载电阻相对于它的内阻来说很小情况下的电流值。

负载越小，光电流与照度之间的线性关系越好，而且线性范围越宽8/20/202365(3)频率响应指输出电流随调制光频率变化的关系

硅光电池具有较高的频率响应，用于高速计数的光电转换8/20/202366(4)温度特性开路电压和短路电流随温度变化的关系。关系到应用光电池的仪器的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标硅光电池的温度特性(照度1000lx)开路电压随温度升高而下降的速度较快，而短路电流随温度升高而缓慢增加。由于温度对光电池的工作有很大影响，因此把它作为测量元件使用时，最好能保证温度恒定或采取温度补偿措施。8/20/202367(5)稳定性当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时，光电池的性能是相当稳定的 硅光电池的性能比硒光电池更稳定影响性能和寿命因素： 光电池的材料及制造工艺 使用环境条件上一页下一页返回8/20/2023684．1．6光电式传感器的应用模拟式传感器脉冲式传感器上一页下一页返回8/20/2023691．烟尘浊度监测仪

防止工业烟尘污染是环保的重要任务之一。为了消除工业烟尘污染，首先要知道烟尘排放量，因此必须对烟尘源进行监测、自动显示和超标报警。烟道里的烟尘浊度是用通过光在烟道里传输过程中的变化大小来检测的。如果烟道浊度增加，光源发出的光被烟尘颗粒的吸收和折射增加，到达光检测器的光减少，因而光检测器输出信号的强弱便可反映烟道浊度的变化。上一页下一页返回8/20/202370平行光源光电探测放大显示刻度校正 报警器吸收式烟尘浊度检测系统原理图烟道8/20/2023712．脉冲式光电传感器 光电器件的输出仅有两个稳定状态，也就是“通”与“断”的开关状态。 光电器件受光照时，有电信号输出，光电器件不受光照时，无电信号输出。属于这一类的大多是作继电器和脉冲发生器应用的光电传感器，如测量线位移、线速度、角位移、角速度(转速)的光电脉冲传感器等等。上一页下一页返回8/20/202372光电式数字转速表上一页返回8/20/202373231231(a)(b)光电数字式转速表工作原理图

下图是光电数字式转速表的工作原理图。图(a)是在待测转速轴上固定一带孔的转速调制盘，在调制盘一边由白炽灯产生恒定光，透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速由该脉冲频率决定。

在待测转速的轴上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，它们具有不同的反射率。当转轴转动时，反光与不反光交替出现，光电敏感器件间断地接收光的反射信号，转换为电脉冲信号。8/20/2023743.光电池应用

光电池主要有两大类型的应用： 1）将光电池作光伏器件使用，利用光伏作用直接将大阳能转换成电能，即太阳能电池。这是人们探索新能源的一个重要研究课题。

太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设施、太阳电池地面发电站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。随着太阳电池技术不断发展，成本会逐渐下降，太阳电池将获得更广泛的应用。8/20/202375太阳电池电源

太阳电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流－交流变换器，太阳电池电源系统框图如图。

调节控制器逆变器交流负载太阳电池方阵直流负载阻塞二极管阻塞二极管是用来控制光伏系统中电流的。任何一个独立光伏系统都必须有防止从蓄电池流向阵列的反向电流的方法或有保护或失效的单元的方法。

8/20/202376 2）将光电池作光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间短等特性，但不必需要像太阳电池那样的光电转换效率。 这一类光电池需要特殊的制造工艺，主要用于光电检测和自动控制系统中。8/20/2023774.1光电效应和光电器件4.1.1光电管4.1.2光电倍增管4.1.3光敏电阻4.1.4光敏二极管和光敏晶体管4.1.5光电池4.1.6光电式传感器的应用8/20/2023784.1.1光电管——原理及结构当阴极受到适当波长的光线照射时便发射电子，电子被带正电位的阳极所吸引，在光电管内就有电子流，在外电路中便产生了电流。8/20/202379真空光电管的伏安特性充气光电管的伏安特性充气光电管:构造和真空光电管基本相同，优点是灵敏度高，所不同的仅仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体。其灵敏度随电压变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差，在测试中一般选择真空光电管。4.1.1光电管——伏安特性光电管的工作点应选择在光电流与阳极电压无关的区域！8/20/2023804.1.2光电倍增管在入射光极为微弱时，光电管能产生的光电流就很小，光电倍增管：放大光电流组成：光电阴极+若干倍增极+阳极8/20/202381光电倍增管的结构与工作原理光电阴极光电倍增极阳极 倍增极上涂有Sb-Cs或Ag-Mg等光敏材料，并且电位逐级升高

阴极发射的光电子以高速射到倍增极上，引起二次电子发射二次电子发射系数σ=二次发射电子数／入射电子数 若倍增极有n个，则倍增率为σn8/20/2023824.1.3-1光敏电阻的工作原理及结构当无光照时，光敏电阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小当有光照时，光敏电阻值(亮电阻)急剧减小，电流迅速增加8/20/202383光敏电阻的结构1.玻璃2.光电导层3.电极4.绝缘衬底5.金属壳6.黑色绝缘玻璃7.引线光敏电阻的灵敏度易受潮湿的影响，因此要将光电导体严密封装在带有玻璃的壳体中。半导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层。光敏电阻的电极一般采用梳状，可提高光敏电阻的灵敏度。8/20/2023844.1.3-2光敏电阻的主要参数暗电阻和暗电流：光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值称暗电阻，此时流通的电流称暗电流。亮电阻和亮电流：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流通的电流称暗电流。光电流：亮电流与暗电流之差，称为光电流。一般光敏电阻的暗电阻越大，亮电阻越小，则性能越好。暗电阻一般在兆欧数量级，亮电阻一般在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比一般在10^2~10^6之间。8/20/2023854.1.3-3光敏电阻的基本特性（1）伏安特性

（2）光照特性（3）光谱特性（4）响应时间和频率特性（5）温度特性8/20/202386（1）伏安特性在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系在给定的偏压情况下，光照度越大，光电流也就越大；在一定光照度下，加的电压越大，光电流越大，没有饱和现象；光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的，耗散功率又和面积以及散热条件等因素有关。8/20/202387

（2）光照特性光敏电阻的光电流与光强之间的关系由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。8/20/202388（3）光谱特性光敏电阻对不同波长的光，灵敏度是不同的8/20/202389选用光敏电阻时，应结合元件和光源的种类考虑！8/20/202390（4）响应时间和频率特性光电导的弛豫现象：光电流的变化对于光的变化，在时间上有一个滞后。通常用响应时间t表示。8/20/202391不同材料的光敏电阻具有不同的响应时间，所以它们的频率特性也就不尽相同；硫化铅使用频率范围较大，其它的都比较差！8/20/202392（5）温度特性光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时，它的暗电阻和灵敏度都下降。硫化镉光敏电阻的温度特性温度系数:在一定光照下，温度每变化1℃，光敏电阻阻值的平均变化率。8/20/202393温度对光谱特性影响随着温度升高，光谱响应峰值向短波方向移动；采取降温措施可以提高光敏电阻对长波光的响应。硫化铅光敏电阻的光谱温度特性8/20/2023944.1.4光敏二极管和光敏晶体管1．工作原理2．基本特性8/20/2023954.1.4-1光敏二极管结构与一般二极管相似，装在透明玻璃外壳中；在电路中一般是处于反向工作状态的；没有光照时，反向电阻很大，反向电流很小；光照时，根据光照度的变化，光电流（外电流）强度相应变化；因此光敏二极管能将光信号转换为电信号输出。8/20/2023964.1.4-2光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个pn结。把光信号转换为电信号同时，又将信号电流加以放大。8/20/2023974.1.4-3基本特性（1）光谱特性（2）伏安特性（3）光照特性（4）温度特性（5）频率响应8/20/202398（1）光谱特性入射光的波长增加或缩短时，相对灵敏度都要下降；可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管；在红外光进行探测时，则锗管较为适宜。8/20/202399（2）伏安特性硅光敏管的伏安特性光敏晶体管的光电流比同管型的二极管大上百倍；在零偏压时，光敏二极管仍有光电流输出，而三极管没有。8/20/2023100

（3）光照特性光敏二极管的光照特性曲线的线性较好光敏晶体管在光照度较大的时候会出现饱和现象8/20/2023101（4）温度特性其暗电流及光电流与温度的关系温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。8/20/2023102（5）频率响应具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系硅光敏晶体管的频率响应8/20/20231034.1.5光电池有光线作用下实质上就是电源，电路中有了这种器件就不再需要外加电源。8/20/20231044.1.5-1.工作原理直接将光能转换为电能的光电器件，是一个大面积的pn结。当光照射到pn结上时，便在pn结的两端产生电动势(p区为正，n区为负)。用导线将pn结两端用导线连接起来，就有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至n区。若将电路断开，就可以测出光生电动势。8/20/20231054.1.5-2基本特性(1)光谱特性(2)光照特性(3)频率响应(4)温度特性(5)稳定性8/20/2023106（1）光谱特性光电池对不同波长的光，灵敏度是不同的；硒光电池峰值位置在人眼的视觉范围，因此常用在分析、测量仪表中；硅光电池的波长范围较宽。8/20/2023107(2)光照特性不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的；短路电流与光照度成线性关系；开路电压与光照度是非线性的；光电池作为测量元件使用时，应把它当作电流源的形式来使用；注：光电池的内阻随着光照度的增加而减小。8/20/2023108负载越小，光电流与照度之间的线性关系越好，而且线性范围越宽8/20/2023109(3)频率响应指输出电流随调制光频率变化的关系硅光电池具有较高的频率响应,用于高速计数的光电转换8/20/2023110(4)温度特性开路电压和短路电流随温度变化的关系。关系到应用光电池的仪器的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标硅光电池的温度特性(照度1000lx)8/20/2023111(5)稳定性当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时，光电池的性能是相当稳定的 硅光电池的性能比硒光电池更稳定影响性能和寿命因素： 光电池的材料及制造工艺 使用环境条件8/20/20231124.1.6光电式传感器的应用利用光源发出一个恒定光通量的光，并使之穿过被测对象，其中一部分光被吸收，其余的光则到达光电元件上，转变为电信号输出；光电元件上输出的光电流是被测对象所吸收光通量的函数；应用在测量液体、气体和固体的透明度和浑浊度等参数。8/20/2023113将恒定光源发出的光透射到被测对象上，由光电元件接收其反射光通量；反射光通量的变化反映出被测对象的特性，如通过光通量变化的大小，可以反映出被测量物体的表面光洁度；通过光通量的变化频率，可以反映出被测量物体的转速。8/20/2023114光源本身就是被测对象，即被测对象就是辐射源；光电元件接收辐射能的强弱变化；光通量的强弱与被测参数有关（如温度的高低）。8/20/2023115在光源与光电元件间的光路上，有物体时，光路被切断，没有物体时，光路畅通；光敏元件上表现有光就有电信号，无光时则无电信号，即仅为“1”，“0”两种开关状态；应用在开关、计数及编码上。8/20/20231161.模拟式光电传感器基于光电器件的光电流随光通量而发生变化，是光通量的函数。 对于光通量的任意一个选定值，对应的光电流就有一个确定的值，而光通量又随被测非电量的变化而变化，这样光电流就成为被测非电量的函数。8/20/2023117光电比色高温计1－物镜；2－平面玻璃；3－光阑；4－光导棒；5－分光镜；6－滤光片；7－硅光电池；8－滤光片；9－硅光电池；10－瞄准反射镜；11－圆柱反射镜；12－目镜；13－多夫棱镜14、15－硅光电池负载电阻；16－可逆电机；17－电子电位差计8/20/20231182.脉冲式光电传感器光电器件的输出仅有两个稳定状态，也就是“通”与“断”的开关状态。光电器件受光照时，有电信号输出，光电器件不受光照时，无电信号输出。属于这一类的大多是作继电器和脉冲发生器应用的光电传感器，如测量线位移、线速度、角位移、角速度(转速)的光电脉冲传感器等等。8/20/2023119光电式数字转速表8/20/2023120五、光谱特性光谱光波：波长为10—106nm的电磁波紫外线：波长10—380nm波长300—380nm称为近紫外线波长200—300nm称为远紫外线波长10—200nm称为极远紫外线可见光：波长380—780nm红外线：波长780—106nm波长3μm（即3000nm）以下的称近红外线波长超过3μm的红外线称为远红外线。远紫外近紫外可见光近红外远红外极远紫外0.010.11100.050.55波长/μm8/20/2023121钨丝灯的相对光谱功率分布钨丝灯发出的光中有很多是我们看不见的8/20/2023122峰值波长和温度的关系：温度升高向短波方向移动

例1：烧红的火钳

0.6微米0.78微米3~5微米8~14微米温度高－－通红温度低－－暗红8/20/2023123－－人工光源，如黑体辐射器、白炽灯、激光器等，可组成主动探测系统，其信息源来自人造光源对目标的反射、透射和散射等光辐射，它一般需要人为精心设计光发射系统，如激光制导、光电精密微小尺寸测量、光电磁场测量······8/20/2023124漆黑环境中的人和铁丝网的温差温度低温度高－－自然光源，如太阳、导弹尾焰、人体等，可组成被动探测系统，其信息源直接来自目标自身的辐射或外来光辐射，它没有人为的光发射系统，如天文光电探测、红外跟踪制导、微光夜视仪······8/20/2023125例1．烟尘浊度监测仪

防止工业烟尘污染是环保的重要任务之一。为了消除工业烟尘污染，首先要知道烟尘排放量，因此必须对烟尘源进行监测、自动显示和超标报警。烟道里的烟尘浊度是可以通过光在烟道里传输过程中的变化大小来检测的。如果烟道浊度增加，光源发出的光被烟尘颗粒的吸收和折射增加，到达光检测器的光减少，因而光检测器输出信号的强弱便可反映烟道浊度的变化。8/20/2023126平行光源光电探测放大显示刻度校正 报警器吸收式烟尘浊度检测系统原理图烟道8/20/2023127脉冲式光电传感器 光电器件的输出仅有两个稳定状态，也就是“通”与“断”的开关状态。 光电器件受光照时，有电信号输出，光电器件不受光照时，无电信号输出。属于这一类的大多是作继电器和脉冲发生器应用的光电传感器，如测量线位移、线速度、角位移、角速度(转速)的光电脉冲传感器等等。8/20/2023128例2．光电式数字转速表8/20/2023129在待测转速的轴上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，它们具有不同的反射率。当转轴转动时，反光与不反光交替出现，光电敏感器件间断地接收光的反射信号，转换为电脉冲信号。在待测转速轴上固定一带孔的转速调制盘，在调制盘一边由白炽灯产生恒定光，透过盘上小孔到达光敏二极管组成的光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速由该脉冲频率决定。8/20/2023130光电池应用

光电池主要有两大类型的应用： 1）将光电池作光伏器件使用，利用光伏作用直接将大阳能转换成电能，即太阳能电池。这是人们探索新能源的一个重要研究课题。

太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设施、太阳电池地面发电站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。随着太阳电池技术不断发展，成本会逐渐下降，太阳电池将获得更广泛的应用。8/20/2023131例3．太阳电池电源

太阳电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流－交流变换器，太阳电池电源系统框图如图。

调节控制器逆变器交流负载太阳电池方阵直流负载阻塞二极管阻塞二极管是用来控制光伏系统中电流的。任何一个独立光伏系统都必须有防止从蓄电池流向阵列的反向电流的方法或有保护或失效的单元的方法。

8/20/2023132 2）将光电池作光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间短等特性，但不必需要像太阳电池那样的光电转换效率。 这一类光电池需要特殊的制造工艺，主要用于光电检测和自动控制系统中。8/20/20231334.2光电码盘数字式传感器:把输入量转换成数字量输出优点：测量精度和分辨力高，抗干扰能力强，能避免在读标尺和曲线图时产生的人为误差，便于用计算机处理。8/20/2023134最简单的数字式传感器是编码器，它能把角位移或线位移经过简单的转换变成数字量，相应的编码器是角度数字编码器（码盘）或直线位移编码器（码尺）。比相同尺寸的模拟式传感器具有更高的分辨率、可靠性和精度。原理分类：电触式、电容式、感应式和光电式等其中，光电式性价比最高，它作为精密位移传感器在自动测量和自动控制技术中得到了广泛的应用。目前我国已有23位光电编码器，为科学研究、军事、航天和工业生产提供了对位移量进行精密检测的手段。8/20/20231354.2光电码盘4.2.1工作原理4.2.2码盘和码制4.2.3二进制码与循环码的转换4.2.4分类4.2.5应用8/20/20231364.2.1工作原理光电码盘式传感器是用光电方法把被测角位移转换成以数字代码形式表示的电信号的转换部件。1－光源2－柱面镜3－码盘4－狭缝5－光电元件8/20/2023137工作原理由光源1发出的光线，经柱面镜2变成一束平行光或会聚光，照射到码盘3上。码盘由光学玻璃制成，其上刻有许多同心码道，每位码道上都有按一定规律排列的透光和不透光部分，即亮区和暗区。通过亮区的光线经狭缝4后，形成一束很窄的光束照射在元件5上。8/20/2023138光敏元件的排列与码道一一对应，对应于亮区和暗区的光敏元件输出的信号，前者为“1”，后者为“0”。当码盘旋至不同位置时，光敏元件输出信号的组合，反映出按一定规律编码的数字量，代表了码盘轴的角位移大小。8/20/20231394.2.2码盘和码制根据码盘的起始和终止位置就可确定转角，与转动的中间过程无关。8/20/2023140二进制码盘主要特点：（1）n位(n个码道)的二进制码盘具有2n种不同编码，称其容量为2n，其最小分辨力θ1＝3600／2n；对应于五个码道，θ1＝3600／2n＝360/25＝11.25o；对于21个码道，θ1＝0.618”（2）二进制码为有权码，编码Cn，Cn-1，…，C1对应于由零位算起的转角为：（3）码盘转动中，Ci变化时，所有Cj(j<i)应同时变化。8/20/2023141N=an-1×rn-1＋an-2×rn-2＋…＋a0×r0＋a-1×r-1＋…＋a-m×r-mr进制数的十进制数N可表示为：R进制数用r个基本符号（例如0，1，2，…，r-1）表示系数基数权系数678.34=6×102+7×101+8×100+3×10-1+4×10-28/20/202314