标准解读
《GB/T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》与《GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》相比,在多个方面进行了修订和完善,以提高测试方法的准确性和适用性。具体变化包括但不限于以下几个方面:
一、范围和定义:新标准可能对适用范围进行了调整,明确了该方法适用于不同类型的硅单晶材料,并且可能更新了部分术语定义,使其更加符合当前行业内的通用理解。
二、样品准备:在样品制备过程中,对于样品的选择、处理以及保存条件等方面提出了更为详细的要求,确保实验结果的一致性和可靠性。
三、仪器设备及参数设置:针对所使用的FTIR(傅里叶变换红外光谱仪)及其相关附件的技术指标给出了更精确的规定,同时优化了测量时所需设定的具体参数值,如分辨率、扫描次数等,旨在减少外界因素对测试结果的影响。
四、数据处理方法:引入了新的数学模型或算法来分析采集到的数据,提高了定量分析的精度;另外也可能增加了关于背景校正、基线调整等内容的描述,以便更好地去除干扰信号。
五、质量控制措施:强化了质量保证体系的内容,比如规定了定期进行性能验证实验的具体要求,确保长期使用过程中仪器状态良好;同时也强调了实验室间比对的重要性,促进各检测机构之间结果的一致性。
六、附录信息:新版标准可能会增加一些辅助性的资料作为参考,例如典型光谱图例、常见问题解答等,帮助使用者更好地理解和执行标准内容。
以上变动体现了随着科学技术的进步和发展,国家标准也在不断更新完善自身,以满足日益增长的技术需求。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2023-08-06 颁布
- 2024-03-01 实施
文档简介
ICS77040
CCSH.17
中华人民共和国国家标准
GB/T35306—2023
代替GB/T35306—2017
硅单晶中碳氧含量的测定
、
低温傅立叶变换红外光谱法
Determinationofcarbonandoxygencontentinsinglecrystalsilicon—
Lowtemperaturefouriertransforminfraredspectrometrymethod
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T35306—2023
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替硅单晶中碳氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法与
GB/T35306—2017《、》,
相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
GB/T35306—2017,,:
更改了适用范围见第章年版的第章
a)(1,20171);
更改了方法原理见第章年版的第章
b)(4,20174);
更改了干扰因素见第章年版的第章
c)(5,20175);
更改了仪器的波数范围见年版的
d)(7.1,20177.1);
更改了样品及参比样品要求见第章年版的第章第章
e)(8,20178、9);
更改了样品厚度要求见年版的
f)(9.2,20178.3);
增加了代位碳间隙氧的基线范围积分范围及校准因子见
g)、、(10.1);
更改了试验数据处理见第章年版的第章
h)(10,201711);
更改了精密度见第章年版的第章
i)(11,201712);
删除了不同温度的碳氧红外光谱吸收峰位置和标定因子见年版的附录
j)、(2017A)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位青海芯测科技有限公司隆基绿能科技股份有限公司有色金属技术经济研究院
:、、
有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司洛阳中硅高科技有限公司布鲁克
、、、
北京科技有限公司亚洲硅业青海股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司陕西有色天宏瑞科硅
()、()、、
材料有限责任公司新疆新特新能材料检测中心有限公司弘元新材料包头有限公司高景太阳能股
、、()、
份有限公司
。
本文件主要起草人薛心禄秦榕李素青杨晓青邓浩岳玉芳李明珍赵雄张园园赵跃
:、、、、、、、、、、
雷浩东蔡延国陈卫国路盛刚徐岩张遵邱艳梅李向宇杨阳徐志群汪奇
、、、、、、、、、、。
本文件于年首次发布本次为第一次修订
2017,。
Ⅰ
GB/T35306—2023
硅单晶中碳氧含量的测定
、
低温傅立叶变换红外光谱法
1范围
本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳间隙氧含量的方法
、。
本文件适用于室温电阻率大于的型硅单晶和室温电阻率大于的型硅单晶
1Ω·cmn3Ω·cmp
中代位碳间隙氧含量的测定测定范围以原子数计为14-317-3
、,()2.5×10cm~1.5×10cm。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
数值修约规则与极限数值的表示和判定
GB/T8170
分子吸收光谱法术语
GB/T8322
半导体材料术语
GB/T14264
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T29057
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T8322GB/T14264。
31
.
背景光谱backgroundspectrum
在红外光谱仪中无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线
,。
注通常包括氮气空气等信息
:、。
32
.
参比光谱referencespectrum
参比样品的光谱
。
注在用双光束光谱仪测试时将参比样品置于样品光路参比光路空着时获得在用傅立叶变换红外光谱仪及单
:,,
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