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第第页东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装（东芝）（电子）元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）（MOSFET）“TWxxxZxxxC系列”，该（产品）采用东芝（最新）的[1]第3代碳化硅MOSFET（芯片），用于支持（工业）设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持（栅极驱动）（信号）源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiCMOSFET的3相（逆变器）参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

使用新型SiCMOSFET的3相逆变器

使用SiCMOSFET的3相逆变器

简易方框图

应用

●（开关电源）（服务器、数据中心、（通信）设备等）

●

电动汽车充电站

●光伏（变频器）

●

不间断（电源）（UPS）

特性

●

4引脚TO-247-4L(X)封装：

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗

●

第3代碳化硅MOSFET

●

低漏源导通电阻×栅漏电荷

●

低（二极管）正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

注：

[1]截至2023年8月

[2]截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）

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