硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率

硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率(总2页)f\\f/ // J11//\-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-CompanyOnel-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除1 J1\各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率材料腐蚀剂腐蚀速率SiHF+HNO+HOO C最大490um/minSiO2NHF150g4HF(40%)70mLHO150mL23C时0.1口m/minSiN3449%HF23°C85%HPO155C3 485%HPO180C3 4LPCVDPECVD8.0nm/min1.5nm/min12.0nm/min150.0-300.0nm/min10.0-20.0nm/min60.0-100.0nm/min多晶硅HF6mLHNO100mL3HO40mL800nm/min，边缘平整HF1mLHNO26mL3CHCOOH33mL150nm/min铝3HCl1mLH2O2mL80C，细线HPO4mL3 4HNO1mL3CHCOOH4mL3HO1mLc35nm/min,细线，腐蚀GaAsKBrO0.1M47KOH0.51MKFe(CN)0.6M61um/min，腐蚀时无气体溢出HPO16-19mL3 4HNO1mL3HO0-4mL150.0-250.0nm/min，腐蚀GaAs金HCl3mLHNO1mLo25-50um/minKI4gI1g2HO40mL20.5Tum/min银NHOH1mL4HO1mL22CHOH4mL360.0nm/min，腐蚀后快速清洗铜3HO70mL+FeCl30g,50C2 37um/min铬HCl1mL “甘油ImL80.0nm/minHClImL饱和CeSO9mL80.0nm/min(NaOH1g+HO2mL)ImL2(KFe(CN)1g+HO3mL)3mL 3 6 2 125.0-100.0nm/min钼HPO5mL3 4HNO3mL3HO2mLc抛光腐蚀KFe(CN)11g3 6KOH10gHO150mLclum/min钨KHPO34g2 4KOH13.4gKFe(CN)33g3 6用水稀释至1L160.0nm/min铂HCl3mLHNO1mL320um/min,腐蚀之前在HF中浸泡30SHCl7mLHNO1mL3HO8mL240.0-50.0nm/min,85°C钯HCl 1mLHNO 10mL3CHCOOH10mL3KI 4gI 1g2HO 40mLolOO.Onm/min硅常见各向异性刻蚀刻蚀剂/稀释剂/添加剂/温度刻蚀速率(100)/mm/min刻蚀速率比(100)/(111)掩膜材料刻蚀速率刻蚀终止特性备注KOH/水/异丙醇/85C1.4400 ,(110)/(111)是60SiN几乎不34刻蚀SiO28/min2掺杂浓度>1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/20与IC不兼容，对氧化层腐蚀过快，大量乩气泡邻苯二酚，乙二胺，水(EDP)/Pyrazine/115C1.2535SiN134/minSiO 2-25/min掺杂浓度〉5X1010cm-3时，刻蚀速率降低到1/50有毒性，易失效，需与氧气隔离，很少氢气，硅酸盐沉淀四甲基氢氧化氨(TMAH)/水/90C1.012.5-50SiO刻蚀