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文档简介

(19)中华人民共和国国家知识产权局cl(12)发明专利申请""fr (10)申请公布号盈 CN102044428A(43)申请公布日2011.05.04(21)申请号CN200910197079.0(22)申请日2009.10.13(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群浏伟;谢红梅;杨广立;钟旻(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代H人李丽(51)Int.CIH01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;权利要求说明书说明书幅图(54)发明凝晶圆的减薄方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆的减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄的半导体晶圆；对所述晶圆表面进行研磨减薄，直至停止厚度；对所述晶圆表面进行喷雾腐蚀减薄，直至预定减薄厚度。本发明采取分步减薄的方式，先使用机械研磨进行初步减薄至停止厚度；再采用喷雾腐蚀进一步减薄至预定减薄厚度，使得晶圆在减薄过程中，避免因机械研磨所产生的应力损坏晶圆，减少晶圆边缘的断裂现象，并改善晶圆表面平整度。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2011-05-04公开公开2011-05-04公开公开2011-06-15实质审查的生效实质审查的生效2011-06-15实质审查的生效实质审查的生效2012-06-06授权授权2012-06-06授权授权2018-06-22专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移晶圆的减薄方法的权利要求说明书内容

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