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文档简介

论硅片技术的发展--从CCZ说起（第四篇）因为篇幅较长，为了方便读者阅读，故将五位主持人（张治雨先生、郭宽新先生、储晞先生、詹文平先生、石坚先生）的论点依次发表，本文为完结篇。詹文平先生观点。下面，我给大家介绍一下CCZ整个工艺流程，包含引晶、放晶、等经的过程（等经的过程是边化料边复投的工艺），他和RCZ的区别就是RCZ是等经收完尾后，再复投化料的过程。第一，就是关于高效硅片的技术，如何提高效率，一般有PERC和HIT技术两种，目前单晶PERC，效率大概21.67%左右，第二就是HIT电池技术，例如SUNPOWER效率到了24.5%左右。第二，就是关于设备智能化，单晶炉一键设定，不需要人为过多的操作，现在一人看24台，未来可能是一人看48台甚至更多。单晶只是靠人来突破，容错率太高了，所以需要设备的不断更新。第三，就是关于多晶硅的破碎工艺，目前制约CCZ或者RCZ的发展的首要因素，先就是多晶硅破碎技术还没有真正的掌握。现阶段大多主要还是采用人工破碎，后续发展方向，一个是机器破碎，一个高压破碎，第三个就是高温自动破碎。多晶硅破碎工艺的发展，未来可以直接带动拉晶工艺的发展，因为拉晶对碎料的要求越来越高。第四，就是移动式自动复投技术，此技术的掌握，可以直接从RCZ过渡到CCZ，复投的时间，也会减少很多，工时对比差距，也会越来越小，这些都是可以在现有设备的基础上发展的.第五，降低生产过程中的能耗，优化热场，采用好的保温材料，降低拉晶过程中的能耗。目前，做热场优化的公司，其实不多，比如说隆基，只能自己投入大量研发来进行热场的优化设计。我的观点是，单多晶，应该是共存的，单晶对于硅料要求越来越高，但是其产生的尾料等可以供给多晶，两者结合，相得益彰，生产成本会越低。

--------------------------------------------------------------------群友提问：1、液位补给如何精准控制？长晶液面从中心到边缘的温度趋势如何？外层坩埚既然可以化料，那么温度高过内坩埚温度，外层对内层长晶液面温度影响怎么解决？内外层坩埚边加料边拉，这个MEMC上世纪70年代就做过，但是没有推下去就是因为温度原因。一直控制同一液面位置，保持一个均衡拉速，那么温场氛围对加料过程的外部因素影响太苛刻了。回答：中心温度低，边缘温度高，外面最接近于加热器边缘。温度梯度没有你说的那么大。所以只能加颗粒料，能做到熔质和熔液平衡。2、石墨热场是很重要的辅件，可能RCZ20炉就要换热场，但是CCZ对石墨热场是否有不同要求，对于石墨热场的消

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