晶圆制造工艺

1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganic（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶CVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6透过SiO2型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理型阱去除SiO2层层，然后LPCVD沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层层，形成PN之间的隔离区HF极氧化层。14、LPCVD保护层。15PAs)NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B的源漏极。18、濺镀第一层金属19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻答：poly,oxide,metal何谓dielectric答：Oxideetchandnitrideetch半导体中一般介电质材质为何何谓干式蚀刻答：利用何谓答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Asher的主要用途Wetbenchdryer功用为何列举目前Wetbenchdry方法:答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry何谓SpinDryer测蚀刻速率时,使用何者量测仪器金属蚀刻机台asher的功用为何答：去光阻及防止腐蚀何种气体为PolyETCH主要使用气体答：Cl2,HBr,HCl用于Al金属蚀刻的主要气体为答：Cl2,BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体答：C4F8,C5F8,C4F6AMP答：NH4OH/H2O2/H2O答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV答：金属层何谓EMO答：机台紧急开关EMO作用为何湿式蚀刻门上贴有那些警示标示答：(1)警告(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置答：严禁以手去测试漏出之液体遇IPA槽着火时应如何处置答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何BOE为那三个英文字缩写答：BufferedOxideEtcher。电浆的频率一般380~420KHz何谓ESC(electricalstaticchuck)将Wafer固定在极板(Substrate)上Asher主要气体为答：O2Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何答：温度简述TURBOPUMP原理10-6TORR热交换器(HEAT简述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理ORIENTER之用途为何答：搜寻notch边使芯片进反应腔的位置都固定可追踪问题简述EPD之功用pointdetector利用波长侦测蚀刻终点何谓答：massflowcontrolerGDP为何答：气体分配盘(gasdistributionplate)GDP有何作用答：均匀地将气体分布于芯片上方何谓isotropicetch答：等向性蚀刻侧壁侧向蚀刻的机率均等何谓anisotropicetch何谓etch答：不同材质之蚀刻率比值何谓AEICDDimension)何谓CDbias答：蚀刻CD简述何谓田口式实验计划法答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析何谓反射功率反射功率LoadLock之功能为何loadlockGas答：BulkGasO2,Ar等Gas答：InertGas如NH3,CF4,CHF3,SF6等Gas答：ToxicGas如SiH4,Cl2,BCl3等机台维修时异常告示排及机台控制权应如何处理答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作冷却器的冷却液为何功用答：传导热Etch之废气有经何种方式处理答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽何谓RPM答：即RemotePowerModule,系统总电源箱.火灾异常处理程序答：(1)立即警告周围人员.(2)尝试3秒钟灭火.(3)按下EMO停止机台.(4)关闭VMBValve并通知厂务.(5)撤离.答：(1)警告周围人员.(2)按Pause键,暂止Run货.(3)立即关闭VMB阀,并通知厂务.(4)高压电击异常处理程序答：(1)EMO键(2)处理受伤人员T/C(传送TransferChamber)之功能为何机台PM时需佩带面具否答：是,防毒面具何谓何谓日常测机以确认机台状况正常何谓WAC(WaferlessAutoClean)答：无wafer自动干蚀刻清机何谓DryClean答：干蚀刻清机日常测机量测etchrate之目的何在操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施操作区备有清水与水管以备不时之需(3)操作区备有吸酸棉及隔离带如何让chamber达到设定的温度答：使用heater和chillerChiller之功能为何温度如何在chamber建立真空答：(1)parts组装完整(2)以drypump作第一阶段的真空建立(3)当圧力到达turbopump抽真空至1mT以下真空计的功能为何答：侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下processTransfermodule之robot功用为何答：将wafer传进chamberchamber之用何谓MTBC(meantimebetweenclean)答：上一次wetclean到这次wetcleanRFGenerator是否需要定期检验为何需要对etchchamber温度做监控etching为何需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的气压)pump跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run为何要做漏率测试(Leakrate)答：(1)在PM后PUMPDown1~2小时后;为确保chamberRunchambe影响chamberGAS成份(2)chamber机台发生Alarm时应如何处理答：(1)若是一般异常,请先检查alarm蚀刻机台废气排放分为那几类答：208V三相干式蚀刻机台分为那几个部份答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)统(5)GASsystem(6)RFsystem答：(1)cleaning)(2)etching).晶圆洗净(wafer答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype(2)Singlewafertype(spraytype)晶圆洗净(wafer半导体制程有那些污染源答：(1)微粒子(2)金属(3)有机物(4)(5)天生的氧化物RCA清洗制程目的为何洗净溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的为何答：去除微粒子及有机物洗净溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的为何答：去除有机物洗净溶液HPM(SC-2)-->答：去除金属洗净溶液DHF-->答：去除自然氧化膜及金属洗净溶液FPM-->HF:H2O2:H2O的目的为何答：去除自然氧化膜及金属洗净溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的为何答：氧化膜湿式蚀刻H3PO4的目的为何答：氮化膜湿式蚀刻微米逻辑组件有那五种标准清洗方法答：(1)蚀刻后清洗(3)CMP后清洗超音波刷洗(ultrasonic答：去除不溶性的微粒子污染高压喷洒(hig