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双极性结式晶体管(BJT)在开关电源设计中的应用MOSFET已经是是开关电源领域的肯定主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)可能仍旧会有肯定的优势。特殊是在离线电源中，成本和高电压（大于1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。

在低功耗（3W及以下）反激式电源中，很难在成本上击败BJT。大批量购买时，一个13003NPN晶体管价格可低至0.03美元。该器件不仅可处理700VVCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限制在低功耗应用中。在这些低功耗标准下，MOSFET与BJT之间的效率差异特别微小。下图1对比了两个相像5V/1W设计的效率。第一个设计是“230VAC输入、5.5V/250mA非隔离式反激转换器”使用MOSFET，而另一个设计则是“120VAC输入、5V/200mA反激转换器”使用BJT。这并不是完全公正的对比，由于这两个电源在设计上采纳不同的输入电压运行，但它说明白它们的效率有多相像。

有些新掌握器实际是设计用于驱动BJT的，目的是供应最低成本的解决方案。在大多数状况下，具有外部BJT的掌握器比包含集成型MOSFET的掌握器廉价。在使用BJT掌握器进行设计时，必需留意确保BJT的基极驱动与增益足以在变压器中供应必要的峰值电流。

在略微偏高的功率级下，FET与BJT的效率差异就会变得较为明显，缘由在于BJT较差的开关特性与压降。但是，对于输入电压高于100-240VAC典型家用及商用电压范围的应用来说，BJT可能仍有优势。工业应用与功率计就是这种状况的两个实例，它们可能需要更高的输入电压。价格合理的MOSFET只能用于1kV以下。在有些功率计应用中，线路电压可能会超过480VACrms。在整流器后会达到680Vdc以上的电压。对于三相位输入，这一数字可能还会更高。电源开关需要能够承受这种电压以及反射输出电压与漏电峰值。在这些应用中，MOSFET可能根本就无法作为选项，因此BJT就成了最简洁、最低成本的解决方案。

我们之前争论过，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。使用级联连接来驱动BJT可以缓解这一问题。下图2（摘自PMP7040）是级联连接的工作状况。BJT(Q1)的基极连接至VCC电轨，同时放射极被拉低用以打开开关。在UCC28610内部，一个低电压MOSFET将DRV引脚拉低，并由一个内部电流感应来支配峰值开关电流。由内部MOSFET实现快速关断，由于它与外部高电压BJT串联。

总之，BJT可能会在您的电源中具有重要意义，仍旧是有一些缘由的。在低于3W的应用中，它们可能会在

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