华大电子MCU CIU32L061x8存储器（Flash）一

华大电子MCUCIU32L061x8存储器（Flash）一5、Flash存储器（Flash）5.1简介Flash存储器连接在AHB总线上，由Flash控制器统一管理，可对存储器执行取指、读取、编程和擦除操作，并具有安全访问机制和读写保护等功能。Flash主要特性高达128KB的用户存储空间一块大小：16KB一页大小：512字节32-bits位宽读取/写入支持页擦除、块擦除、批量擦除可配置3种读出保护等级（RDP）2块可配置的代码读出保护区域（PCROP）2块可配置的写入保护区域（WRP）可配置大小的用户安全存储区域Flash功能描述Flash存储器组成Flash存储器按32-bits位宽执行读写访问，可存储指令和数据。Flash存储器的组成如下：Userflash区：用于存储用户程序和数据，存储空间为128KB,分成8个块（Block）,每个块包含32个页（Page）,每页512字节；Systemmemory区：用于存储Bootloader和算法APL存储空间为14KB；Optionbytes区：用于存储外设和存储器保护配置的选项字节；Engineer区：用于存储UID、TS/BGR校准值；OTP区：一次性可编程区域，共512字节。表S・lFhsh存慵器组成区域地址空间大小(字节)说明Userflash0x08000000-0x080001FF512Paee0Block0♦••♦••0x080031:00-0x08003FFF512Page310x08004000—0x080041FF512Page12Block1♦••••♦♦・♦0x08007E00-0x08007FFI512P<kge630x08008000-0x080081FF512Page64Block2♦・♦♦・♦・•♦0x0800BEOO-0x0800BFFF512Page950x0800C000-0x0800C1FF512Page96Block3♦••♦・♦♦••0x0800FEOO-0x0800FFFF5121270x08010000-0x080101FF512Pagr128Block4♦・♦♦•••・♦0x08013E00-0x08013FFI512Pilix1590x08014000-0x1)8014IFF512Page160Block5♦•・♦•・♦・♦0x08017EOO-(M)8017FFF512Page1910x08018000-0x08018IFF512P畔192Block6♦・♦♦・♦♦••0x0801BEOO-0x0801BFFF512Page2230x0801C000-0x0801ClFF512Page224Block7♦••♦••••♦512Page255SystemmemoryOxlFFDOOOO-0xlFFD37FF14K心..\P【存储＜Optionbytes1 1(KlM64选项字节存储区Er^meer0x1FFF(B40-0x1FFF(BFF192UD、TS/BGR校准值存储＜OTPOx1FFF0400-0x1FFFOSH512一次性可娘程区Flash读取访问等待周期Flash存储器连接在AHB总线上，读取Flash时使用HCLK时钟。当HCLK的时钟频率超出Flash存储器的工作频率时，就会造成数据读取错误，此时需要插入等待周期。Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中的LATENCY[1:0]位域，用于配置Flash读取访问的等待周期，HCLK时钟频率与Flash读取访问等待周期的对应关系见下表。表5-2HCLK时钟频率与Flash读取访问等待周期的对应关系疹率范国等待周期LA1INC\|1:O|配JtHCLK224MHz0HCLKLATENCY(IO]=0xHCLK>24MHz1HCLKLATENCY(1:0]=10为保证Flash读取访问不出现异常或错误，当要改变HCLK的时钟频率时,必须按照特定步骤进行配置。•提高HCLK频率的配置步骤：1）通过配置FLASH_ACR寄存器中的LATENCY[1:0]位域，增大Flash读取访问的等待周期；2）读取LATENCY[1:O]位域，检查等待周期已配置成功；3）提高HCLK频率，可通过配置RCC时钟配置寄存器（RCC_CFG）中的SYSW[2:0]位域，切换更高频率的时钟源，或通过配置HPRE[2:0]位域，减小系统时钟的分频值；4）配置SYSW[2:0]位域后，必须对RCC_CFG寄存器中的SYSWS[2:0]位域进行检查，确认系统时钟已切换完成。•降低HCLK频率的配置步骤：1）降低HCLK频率，可通过配置RCC时钟配置寄存器（RCC_CFG）中的SYSW[2:0]位域，切换更低频率的时钟源，或通过配置HPRE[2:0]位域，增大系统时钟的分频值；2）配置SYSW[2:0]位域后，必须对RCC_CFG寄存器中的SYSWS[2:0]位域进行检查，确认系统时钟已切换完成；通过FLASH_ACR寄存器中的LATENCY[1:0]位域，减小Flash读取访问的等待周期；4）读取LATENCY[1:O]位域，检查等待周期已配置成功。5.3.3Flash解锁为防止Flash被意外修改，增加了保护措施，必须向特定寄存器写入密钥，才能解锁相关功能的配置权限。Flash控制寄存器解锁复位后，Flash控制寄存器（FLASH_CR）将处于写保护锁定状态。要配置FLASH_CR寄存器，需首先进行解锁操作。FLASH_CR寄存器的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：）向FLASH_CRKEY寄存器写入密钥1：0xE57A1A85；2）向FLASH_CRKEY寄存器写入密钥2：0x7C6E8391；3）检查FLASH_CR寄存器中的LOCK位，当该位清0时，表明FLASH.CR寄存器已解锁。解锁完成后，才能对FLASH_CR寄存器进行配置。注意:FLASH_CR寄存器中与选项字节相关的控制位（OBL_LAUNCH和OPTSTRT）,必须在Flash选项字节解锁后才能进行配置。密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发HardFault中断，直到再次复位后，才能重新对FLASH.CR寄存器进行解锁：向FLASH_CRKEY寄存器写入错误的密钥值；解锁顺序错误，先向FLASH_CRKEY寄存器写入密钥2：0x7C6E8391；解锁后继续向FLASH_CRKEY寄存器写入任意值（包括密钥）。将FLASH_CR寄存器中的LOCK位重新置1,能恢复FLASH_CR寄存器的写保护赖定状态。通过复位，也能使FLASH_CR寄存器恢复注写保护锁定状态。注意:当FLASH_SR寄存器中的BSY位为1时,对FLASH_CR寄存器的写入将无效,FLASH_SR寄存器中的PESERR标志将置1,Flash当前操作将继续正常执行。Flash选项字节解锁复位后，Flash选项字节处于写保护锁定状态，所有的选项字节加载寄存器、FLASH_CR寄存器中的OBL_LAUNCH位和OPTSTRT位,都会被写保护。要对选血字节进行更新，就先毒进行解锁操作。Flash选项字节的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：1）先解锁Flash控制寄存器FLASH_CR（详见：Flash控制寄存器解的；向FLASH_OPTKEY寄存器写入密钥1：0x6A894D7B；向FLASH.OPTKEY寄存器写入密钥2：0x7C311F5A；4）检查FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位，当该位清0时，表明Flash选项字节已M锁。解锁完成后，才能对选项字节加载寄存器及其控制位（OBL_LAUNCH和OPTSTRT）进行酉己置。密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发HardFault中断，直到再次复位后，才能重新对Flash选项字节进行解锁：向FLASHJDPTKEY寄存器写入错误的密钥值；解锁顺序错误，先向FLASH.OPTKEY寄存器写入密钥2：0x7C311F5A；解锁后继续向FLASH_OPTKEY寄存器写入任意值（包括密钥）；在对FLASH_CR寄存器解锁前，向FLASH_OPTKEY寄存器写入任意值（包括密钥）。将FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位重新置1,能恢复Flash选项字节的写保护锁定状态。通过复位，也能使Flash选项字节恢复成写保护锁定状态。当FLASH_CR寄存器恢复成写保护锁定状态时（LOCK位置1）,Flash选项字节也会被恢复成写保护锁定状态，OPTLOCK位将自动置lo53.3.3Flash掉电控制位解锁复位后，Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）中的PDEN位将处于写保护锁定状态，该位用于控制Flash的掉电。要配置PDEN位,就要先进行解锁操作。PDEN位的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：1）先解锁FLASH控制寄存器FLASH.CR（详见：Flash控制寄存器解锁）；向FLASH_PDKEY寄存器写入密钥1：Ox57D93AB6；向FLASH_PDKEY寄存器写入密钥2：0x9A2D827C；4）检查FLASH.CR寄存器中的PDLOCK位，当该位清0时、表明PDEN位已解锁。解锁完成后，可对PDEN位进行配置。密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发HardFault中断，直到再次复位后，才能重新对PDEN位进行解锁操作：向FLASH.PDKEY寄存器写入错误的密钥值；解锁顺序错误，先向FLASH.PDKEY寄存器写入密钥2：0x9A2D827C；解锁后继续向FLASH_PDKEY寄存器写入任意值（包括密钥）；在对FLASH.CR寄存器解锁前，向FLASH_PDKEY寄存器写入任意值（包括密钥）。将FLASH_CR寄存器中的PDLOCK位重新置1,能恢复PDEN位的写保护锁定状态。另外通过复位，也能使PDEN位恢复成写保护锁定状态。当FLASH_CR寄存器恢复成写保护锁定状态时（LOCK位置1）,PDEN位也会被恢复成写保护锁定状态，PDLOCK位将自动置1。5.3.4Flash功耗管理为进一步降低系统功耗，当程序仅在SRAM中运行时，通过将Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）中的PDEN位置1,能使Flash进入PowerDown状态。在配置PDEN位前，要先进行解锁操作