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学院姓名学号任课教师选课号学院姓名学号任课教师选课号第第17页………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题A卷〔120分钟〕考试形式：闭卷 考试日期2006年1月13日注：1、本试卷总分值70分，寻常成绩总分值10分，试验成绩总分值10分；期中考试成绩10分。2.、本课程总成绩=试卷分数+寻常成绩+试验成绩。课程成绩构成：寻常 分，期中 分，试验 分，期末 分一一二三四五六七八九十合计〔8分〕对于肯定的p型非简并半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度〔 ，本征流子度〔；A、增加， B、不变， C、削减。对于肯定的n型非简并半导体材料，温度肯定时，削减掺杂浓度，将导致〔 近E；iA、E， B、E， C、E， D、Ec v g F热平衡时，半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与〔 与〔 〕无关；A、杂质浓度 B、杂质类型C、禁带宽度， D、温度ED

EF

相等时，电离施主的浓度为施主浓度的〔〕倍；A、1， B、1/2， C、1/3， D、1/4。于非简并Si单晶样品温度降低使得其禁带宽〔 其本征载流子浓〔 。A、增加 B、不变 C、减小影响非简并掺杂半导体器件性能的两种主要载流子的散射机制是〔 ：A、位错散射 B、晶格振动散射 C、中性杂质散射 D、电离杂质npGaAs晶片是均匀掺杂的，即N

〔n型〕=N〔p型》n。那么n型晶片D A i的多子浓度〔 〕p型晶片的多子浓度。n型晶片的电阻率〔 〕p型晶片。学院姓名学号任课教师选课号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……学院姓名学号任课教师选课号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……第第27页A、等于 B、大于 C、小于K下，轻掺杂p型i变为重掺杂p型i后其电子迁移率将〔 ，空穴迁移率将〔 。A、增加 B、不变 C、减小描述载流子输运的重要特性时，载流子的迁移率是与〔 参数，集中系数是与〔 〕相关的参数。A、集中运动 B、漂移运动 C、热运动“外表电场效应”是指载流子被平行于半导体外表的电场加速的现象〔 〕A、对 B、错并半导体的电子亲和势是真空电子能级和半导体的Ec之差〔 当半导体的掺杂浓度削减时,其电子亲和势会随之变化〔 〕A、对 B、错〔9分〕N型Si半导体样品受均匀光照产生非平衡载流子电子――空穴对，其净产生率G＝1018/(cm3.s)p10s20s后的非子空穴密度〔e≈2.7。〔1分〕1. 什么是直接复合、间接复合？〔4分〕2、试画出直接复合的能带示意图？〔3分〕3〔4分。F 〔10分n型半导体材料的费米能级E在禁带中间能级EF 〔10分〕如下图为金属-半导体接触后的平衡能带图。a b缘由。abI-V特性。〔12分〕以下图所示的电荷块图给出了一个抱负pMOS电容

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