半导体激光器LD课件

第四章光源第四章光源主要内容半导体物理简介发光二极管(LED)半导体激光器(LD)主要内容半导体物理简介4.1光源的物理基础半导体物理 原子的能级、能带以及电子跃迁 自发辐射与受激辐射 半导体本征材料和非本征材料4.1光源的物理基础半导体物理原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值，只能取特定的离散值(离散轨道)，这种现象称为电子能量的量子化。电子优先抢占低能级原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子N个原子构成晶体时的能级分裂N=4N=9当N很大时能级分裂成近似连续的能带N个原子构成晶体时的能级分裂N=4N=9当N很大满带：各个能级都被电子填满的能带禁带：两个能带之间的区域——其宽度直接决定导电性能带的分类空带：所有能级都没有电子填充的能带价带：由最外层价电子能级分裂后形成的能带(一般被占满)未被电子占满的价带称为导带禁带的宽度称为带隙满带：各个能级都被电子填满的能带禁带：两个能带之间的区域——导体、绝缘体和半导体导体：(导)价带电子绝缘体：无价带电子禁带太宽半导体：价带充满电子禁带较窄外界能量激励满带电子激励成为导带电子导体、绝缘体和半导体导体：绝缘体：半导体：外界能量激励满带电光作用下的跃迁和辐射E2-E1=hvE1E2(a)受激跃迁hvE1E2(b)自发辐射：非相干光hvE1E2(c)受激辐射：相干光hvhvhv半导体成为发光体需要光辐射>光吸收光作用下的跃迁和辐射E2-E1=hvE1E2(a)N1：处于低能级的电子数量N2：处于高能级的电子数量(1)N1>N2，正常粒子数分布，光吸收大于光辐射。当光通过这种半导体时，光强按指数衰减。(2)N2>N1，粒子数反转状态，光辐射大于光吸收。当光通过这种半导体时，会产生放大作用。半导体粒子分布状态问题:如何得到粒子数反转分布的状态?

N1：处于低能级的电子数量半导体粒子分布状态问题:如何得到

硅的晶格结构硅的晶格结构(平面图)本征半导体材料Si电子和空穴是成对出现的Si电子受到激励跃迁到导带，导致电子和空穴成对出现E此时外加电场，发生电子/空穴移动导电硅的晶格结构硅的晶格结构(平面图)本征半导体材料Si导带EC价带EV电子跃迁带隙Eg

=1.1eV电子态数量空穴态数量电子浓度分布空穴浓度分布空穴电子本征半导体的能带图电子向导带跃迁空穴向价带反向跃迁导带EC价带EV电子跃迁带隙Eg=1.1eV电子电子或空隙的浓度为:其中为材料的特征常数kB

为玻耳兹曼常数me

电子的有效质量mh

空穴的有效质量本征载流子浓度例：在300K时，GaAs的电子静止质量为m=9.11×10-31kg，

me=0.068m=6.19×10-32kg

mh=0.56m=5.1×10-31kg

Eg=1.42eV

可根据上式得到本征载流子浓度为2.62×1012m-3电子或空隙的浓度为:其中非本征半导体材料：n型第V族元素(如磷P,砷As,锑Sb)掺入Si晶体后，产生的多余电子受到的束缚很弱，只要很少的能量DED(0.04~0.05eV)就能让它挣脱束缚成为自由电子。这个电离过程称为杂质电离。AsAs+施主杂质非本征半导体材料：n型第V族元素(如磷P,砷As,锑Sb施主能级电子能量电子浓度分布空穴浓度分布施主杂质电离使导带电子浓度增加

施主能级被施主杂质束缚住的多余电子所处的能级称为施主能级。由于施主能级上的电子吸收少量的能量DED后可以跃迁到导带，因此施主能级位于离导带很近的禁带。施主能级电子能量电子浓度分布空穴浓度分布施主杂质电离使导带施非本征半导体材料：p型第III族元素(如铟In,镓Ga,铝Al)掺入Si晶体后，产生多余的空穴，它们只受到微弱的束缚，只需要很少的能量DEA<Eg

就可以让多余孔穴自由导电。BB¯受主杂质非本征半导体材料：p型第III族元素(如铟In,镓Ga,铝A电子浓度分布空穴浓度分布受主能级电离使导带空穴浓度增加

受主能级被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级EA。当空穴获得较小的能量DEA之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为导电空穴。因此，受主能级位于靠近价带EV的禁带中。电子能量电子浓度分布空穴浓度分布受主能级电离使导带受主能级被受主杂质在热平衡的条件下，对于(非)本征半导体，两种载流子的乘积总等于一个常数：浓度作用定律本征材料：电子和空穴总是成对出现非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子在热平衡的条件下，对于(非)本征半导体，两种pn结U电势2.内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动n型p型n型p型耗尽层1.浓度的差别导致载流子的扩散运动pnpn结U电势2.内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动n型反向偏压使耗尽区加宽扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动Un型p型耗尽层耗尽层pn反向偏压使耗尽区加宽扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运正向偏压使耗尽区变窄扩散>漂移Un型p型耗尽层耗尽层pn正向偏压使耗尽区变窄扩散>漂移Un型p型耗尽层耗尽层pn电致发光正向偏压使pn节形成一个增益区：

-导带主要是电子，价带主要是空穴，实现了粒子数反转-大量的导带电子和价带的空穴复合，产生自发辐射光pn外加电场

注入载流子

粒子数反转

载流子复合发光hv电致发光正向偏压使pn节形成一个增益区：pn外加电场注直接带隙：导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合伴随光子的发射。III-V族元素的合金，典型的如GaAs等。间接带隙：导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合需要声子的参与，声子振动导致热能，降低了发光量子效率。直接带隙材料和间接带隙材料直接带隙：导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；电子空隙复主要内容半导体物理简介发光二极管(LED)半导体激光器(LD)主要内容半导体物理简介4.2发光二极管(LED)原理：外加电场实现粒子数反转，大量电子-空穴对的自发复 合导致发光为什么要使用LED：1.驱动电路简单2.不需要温控电路3.成本低、产量高缺点：4.输出功率不高：几个毫瓦5.谱宽很宽：几十个纳米到上百纳米应用场合：短距离传输4.2发光二极管(LED)原理：外加电场实现粒子数反转，同质pn结存在的问题：增益区太厚(1~10mm)，很难把载流子约束在相对小的区域，无法形成较高的载流子密度无法对产生的光进行约束同质pn结：两边采用相同的半导体材料进行不同的参杂构成的pn结特点：-同质结两边具有相同的带隙结构和光学性能-pn结区的完全由载流子的扩散形成同质pn结存在的问题：同质pn结：双异质结构异质结：为提高辐射功率，需要对载流子和辐射光产生有效约束1.不连续的带隙结构2.折射率不连续分布0.3mm双异质结构异质结：0.3mm面发光二极管优点：LED到光纤的耦合效率高P(q)=P0cosq载流子注入25mm5mm面发光二极管优点：LED到光纤的耦合效率高P(q)=P0边发光二极管优点：与面发光LED比，光出射方向性好缺点：需要较大的驱动电流、发光功率低载流子注入50~70mm100~150mm30º120º边发光二极管优点：与面发光LED比，光出射方向性好载流子注入化合半导体材料->直接带隙材料->用于做光源-如III-V族化合物(由Al、Ga、In和P、As、Sb构成的化合物)LED光源的材料和工作波长单质半导体材料->间接带隙材料->不适合做光源LED基本材料：-Ga1-xAlxAs(砷化镓掺铝)：800~850nm短波长光源-In1-xGaxAsyP1-y(磷化铟掺砷化镓)：1000~1700nm长波长光源x和y的值决定了材料的带隙，也就决定了发光波长化合半导体材料->直接带隙材料->用于做光源LED光合金比率与发光波长的关系合金比率与发光波长的关系LED的输出光谱特点：1.自发辐射光->LED谱线较宽

2.面发光二极管的谱线要比边发光二极管的宽

3.长波长光源谱宽比短光源宽

-短波长GaAlAs/GaAs谱宽30~50nm

-长波长InGaAsP/InP谱宽60~120nmLED的输出光谱特点：1.自发辐射光->LED谱线较宽LED的内部量子效率和内部功率内量子效率hint那么LED的内部发光功率为：LED的内部量子效率和内部功率内量子效率hint那么LED例一双异质结InGaAsP材料的LED，其峰值波长为1310nm，辐射性复合时间和非辐射型复合时间分别为30ns和100ns，驱动电流为40mA。可以得到：可以得到LED的内部发光功率为：例一双异质结InGaAsP材料的LED，其峰值波长为1310其中T(f)为菲涅尔透射系数，f

=0时：假定外界介质为空气(n2=1)，可以得到：例：LED典型的折射率为3.5，那么其外量子效率为1.41%2.2%，即光功率仅有很小的一部份能够从LED中发射出去。和LED的外部量子效率和外部功率其中T(f)为菲涅尔透射系假定外界介质为空气(n2=LED的P-I特性驱动电流较小->LEDP-I特性线性度好驱动电流较大->pn结发热产生饱和现象->曲线斜率减小通常，LED工作电流为50~100mA，输出光功率为几毫瓦LED的P-I特性驱动电流较小->LEDP-I特性线性LED的频率响应可以表示为式中w为调制频率，P(w)为对应于调制频率w的输出光功率，

e为注入载流子的寿命。当w=wc=1/

e时，P(wc)=0.707P(0)。在接收机中，检测电流正比于光功率，光功率下降到0.707时，接收电功率下降到0.7072=0.5倍，即下降了3dB。因此，wc定义为截止频率。LED的调制特性LED的频率响应可以表示为式中w为调制频率，P(w)为对应于适当增加工作电流载流子寿命缩短调制带宽增加一般地：f面=20~30MHz，f边

=100~150MHz不同载流子寿命下的LED调制曲线适当增加工作电流载流子寿命缩短调制带宽增加一般地：不同载流子输出光功率线性范围宽(P-I特性)性能稳定寿命长制造工艺简单、价格低廉输出光功率较小谱线宽度较宽调制频率较低这种器件在小容量、短距离系统中发挥了重要作用关于LED的小结输出光功率线性范围宽(P-I特性)关于LED的小结主要内容半导体物理简介发光二极管(LED)半导体激光器(LD)主要内容半导体物理简介半导体激光器的原理和结构半导体激光器的种类激光器的外量子效率*半导体激光器的调制温度特性4.3半导体激光器(LD)半导体激光器的原理和结构4.3半导体激光器(LD)LD的原理和结构激光，其英文LASER是LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation(受激辐射的光放大)的缩写。激光器产生激光的条件是：粒子数反转[LED也具备]

产生大量的受激辐射光反馈

光放大(增益>损耗)相位条件

波长选择LD的原理和结构激光，其英文LASER是LightAmpl光反馈：光学谐振腔1.将工作物质置于光学谐振腔(F-P腔)2.少数载流子的自发辐射产生光子

1)偏离轴向的光子产生后穿出有源区，得不到放大

2)沿腔轴向传播的光子，并引起其它“电子－空穴”对的

受激辐射，产生更多的性能相同的光子(方向选择)3.通过来回反射，特定波长的光最终得到放大，并被输出法布里－珀罗(F-P)谐振腔100%90%光反馈：光学谐振腔1.将工作物质置于光学谐振腔(F-P腔法布里-珀罗(F-P)激光器立体图同质结和(双)异质结双异质结优点：限制载流子和光子，降低对阈值电流的要求法布里-珀罗(F-P)激光器立体图同质结和(双)异质阈值条件光在谐振腔内传播，包括：1.增益介质的光放大2.损耗：A)工作物质的吸收

B)介质不均匀引起的散射

C)端面反射镜的透射及散射幅度条件：增益能克服损耗相位条件：光经反射回到初始位置时与原来相位一致阈值条件光在谐振腔内传播，包括：幅度条件：增益能克服损耗g(·)为增益系数，为材料损耗系数。当光经反射镜R1和R2反射在腔内往返传播2L回到原点之后，电场分量为：其中E(·)为电场强度，e-jbz为光相位随z的变化。能量为hn的光子的辐射强度E(·)在腔内随传播距离z变化：谐振腔的光传播要能在腔内产生稳定的振荡，需要满足下列关系：在空间中传播的光电场分布可以表示为：和(b·2L=2mp)光幅度放大光相长放大g(·)为增益系数，为材料损耗系数。当光经反射镜Re-jb·2L≠1或b·2L≠2kp

假设相位变化b·2L=p/3，对于空间某点：

初始时刻的相位 0传播一周的相位

p/3传播两周的相位 2p/3传播三周的相位

p传播四周的相位 4p/3传播五周的相位 5p/3初始时刻的相位 0传播一周的相位

p/3传播两周的相位 2p/3传播三周的相位

p传播四周的相位 4p/3传播五周的相位 5p/3e-jb·2L≠1或b·2L≠2kp假设相位变因此有幅度条件和相位条件幅度条件和相位条件上式表明，对应于m，激光器只能产生一些离散的波长。每个波长称为激光器的一个纵模。相邻两波长(纵模)之间的波长之差约为：因此有幅度条件和相位条件幅度条件和相位条件上式表明，对应于m增益与波长的关系：其中l0为中心波长输出光谱：多纵模如果需要激光器工作在单纵模状态就需要模式选择技术增益与波长的关系：其中l0为中心波长输出光谱：多纵模如果需要LED与LD的光谱比较LEDF-P腔滤波器F-P的谐振波长Dl为谐振峰的间隔：F-P自由谱宽频域采样LED与LD的光谱比较LEDF-P腔滤波器F-P的谐振波长D横模每个纵模都存在多个横模：基模亮度高、光斑小1)与谐振腔轴有微小夹角的光束经多次反射仍满足阈值条件2)工作物质的色散、散射效应及腔内光束的衍射效应等等抑制横模的数量->增加输出光的亮度、减小发散角横模每个纵模都存在多个横模：基模亮度高、光斑小(N)InGaAsP：发光的作用区，其上下两层称为限制层，它们 一起形成异质结并构成光学谐振腔根据对横模限制机制的不同进一步可分为：增益引导型和折射率引导型铟镓砷磷(InGaAsP)双异质结条形激光器：波长1300~1600nm常用激光器的基本结构(N)InGaAsP：发光的作用区，其上下两层称为限制层，它横向约束的双异质结构：增益引导型机制：从顶层一个窄的条形欧姆接触区进行载流子注入，改 变有源区的折射率，从而对光子形成横向的约束，能 有效抑制横模特点：1)辐射功率高，但有2)散光性，且3)工作不稳定In(I)1~5mm光强-20°0°20°横向约束的双异质结构：增益引导型机制：从顶层一个窄的条形欧姆机制：1)在横向引入一个折射率分布实现对光模式的限制 2)在横向将电流严格地限制在有源区，使得>60%的注 入电流用于发光特点：输出光束具有很好的准直性、能工作在基横模横向约束的双异质结构：折射率引导型光强-10°0°10°机制：1)在横向引入一个折射率分布实现对光模式的限制横向约单纵模激光器式子和光谱图表明：实现单模输出的一条途径是减少谐振腔长，增加模式之间的波长间隔，使Dl大于增益线宽(即增加滤波器自由谱宽)Dl增益线宽单纵模激光器式子和光谱图表明：Dl增益线宽垂直腔表面发射激光器(VCSEL)VCSEL

(1990年)：阈值电流低(<100mA)；发光面大、易于耦合；且体积小、易于集成，可应用于WDM多波长系统中100

mm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)VCSEL(1990年分布反馈式(DFB)激光器内置布拉格光栅FBG：只有符合反射条件的光会得到强烈反射经历放大过程输出的波长为：m是纵模的阶数分布反馈式(DFB)激光器内置布拉格光栅FBG：输出的波DFB激光器微观结构-

L相当于F-P激光器的腔长L，每一个L形成一个微型谐振腔-Λ很小使得m阶和(m+1)阶模之间的波长间隔比F-P大得多-

多个微型腔级联易实现选模的同时保证光束能获得足够增益DFB激光器微观结构-L相当于F-P激光器的腔长L，每一个DFB激光器照片DFB激光器照片分布布拉格反射(DFR)激光器-DBR激光器是将光栅刻在有源区两端-DBR激光器的特点和工作特性与DFB激光器类似，但其阈值电流要比DFB激光器的阈值电流高分布布拉格反射(DFR)激光器-DBR激光器是将光栅刻内量子效率一般很难准确确定，长期的测试经验表明，在室温条件下，内量子效率一般为hint≈0.6~0.7。于是外量子效率可以通过下面的式子来定义：在实际的实验中，外量子效率一般通过P-I曲线的直线部分来估算，即：标准的半导体激光器，外量子效率典型值为15%~20%。激光器的量子效率*内量子效率一般很难准确确定，长期的测试经验表内调制：信息流直接控制激光器的驱动电流(<40GHz)调制外调制：使用调制器(如MZM)对输出的光信号进行调制激光器的调制技术内调制速率限制：自发/受激辐射载流子寿命

信号啁啾内调制：信息流直接控制激光器的驱动电流(<40GHz)调内调制基本依据：P-I曲线例：OTIP的超短脉冲光源U2TTMLL1550阈值电流在40mA左右LD的调制是通过改变其驱动电流的办法实现的内调制基本依据：P-I曲线例：OTIP的超短脉冲光源U2T若在每次脉冲调制之后都完全停止发光，则自发辐射载流子寿命

tsp成为主要限制因素，因为在幅度为Ip的电脉冲开始作用之前，激光器需要一个时延td来获得足以克服光损耗的增益。电光时延的主要后果是码型效应：内调制速率限制：电光时延解决的办法是在LD上持续加一个IBias=Ith若在每次脉冲调制之后都完全停止发光，则自发辐射载流子内调制速激光场的张弛振荡频率为：直接调制频率小于张弛振荡频率。否则，数字调制要产生张弛振荡，模拟调制要产生非线性失真。张驰振荡：当电流脉冲突然加到LD上时，其光输出呈现图示的动态响应，这是注入电子与所产生光子间相互作用的量子力学过程。内调制速率限制：张弛振荡解决的办法是在LD上持