半导体器件开发简要流程

半导体器件开发简要流程（BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristoretc.）半导体器件开发简要流程（BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristoretc.）项目可行性评估项目是否能够取得成功，前期的评估起到决定性作用，项目需要重点评估的方面包括：▲产品的国内外市场需求及市场前景、产品的生命周期评估：市场需求决定了产品生产规模及利润水平；产品生命周期确定了产品今后还能持续发展的前景；▲开发者所具备的优势：产业政策、资金技术、配套及人才等优势；▲把握核心竞争力：资金、技术、人才（半导体产业为资金、技术、人才密集型产业）。项目方案及技术评估项目生产开发所采取的模式、项目运作过程及计划制定、实施：▲确定器件设计及工艺生产实施方案：技术引进还是自主开发、自己生产还是外协代工等；▲详细评估器件设计及工艺关键技术及难点：确保器件开发及工艺生产均能按计划成功实施；▲确保器件设计及工艺实施后产品的成本优势：产品性能、价格必须具备竞争力。器件及工艺流程设计方案确定后器件及工艺工程师便可以联合开展设计相关工作：▲现有目标工艺流程及特定器件最佳流程的匹配：现状和目标总是有差距的；▲器件设计参数调整：设计仿真优化器件参数，静态、动态所有参数间折中应对不同应用；▲工艺流程优化：工艺流程最优化与工艺设备、加工时间、加工费用等优化。器件虚拟制造：（MOSFET、IGBT工艺流程及器件结构设计）物睡®J_/：Q1□欧州山也Ifa^Ajr%户FrmWP6B宫01理lit口幽凶A物睡®J_/：Q1□欧州山也Ifa^Ajr%户FrmWP6B宫01理lit口幽凶A□CIK!Erw-I^rz.雄二ame'rB.*二*4iKfcHIS■KAMHjx<K*1Ed*由d映"X5P»^3|h»vrt^¥wC«wr#t■i44vhAh«<.i」Sil^l®器件版图设计根据器件及工艺设计的结果，可以开始进行版图设计：▲版图布局及布线，功率器件和IC版图类似，也涉及布局布线：例如栅极BUS的布局；▲版图的绘制及设计规则检查：根据工艺及器件本身要求，需要满足设计规则（DRC）；▲根据不同的工艺线及光刻匹配要求完成版图提交及检查（Emaskview）、完成掩模版制作。器件版图设计：（FRD、MOSFET、IGBT版图设计）工艺流片及芯片测试工艺生产线根据工艺条件加工芯片，并给出测试结果：▲工艺线根据需要可能先开发单步工艺，无问题后进行工程流片；▲工艺过程监测及WAT测试，完成后进行芯片（CP）测试及分析；▲根据不同的失效原因进行失效分析及设计下一步工艺分组实验（DOE）。工艺及失效分析（部分分析手段）：DcaMirip-ticxn-!■:DcaMirip-ticxn-!■:,\J：KFI*：，!！'LIT为1诃娟制的胸郭知C4F'而^办:加-SEWfiSlPh加设枷用曲雄追爪映胃1fat函狭析加咽y兼忻宙别坷割W1RCH显贷挺好听描敬分■柝傥爵封装、终测及可靠性测试IIMiHMfinbUiiiri1芯片测试合格后，需要封装后进一步测试评估：▲制定封装规范：根据应用需要制定封装形式及打线要求等；▲封装后进行成品测试：进行静态参数、动态测试测试和可靠性测试；▲如果出现成品失效，根据不同的失效原因进行失效分析；根据结果反馈到上面的设计流程。成品测试及失效分析(部分测试及分析手段)：Ln* 凸Resist心#(HT0L))高温工作寿命诫验(LTOL)低温匚作寿命试验(BLT)佩压寿命试冀设定am曲商温逆向偏压射临(.THB/H3TRB)四湿度偏派卷血试监(H3TRB)高温高海逆向偏压试验(HAST)高如诬寿命试验温度锢环试软