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文档简介

太阳电池发电原理、结构与分类后清洗工艺原理后清洗工艺目的后清洗工艺定义课程引入课程引入（温故知新）扩散工艺的目的是（）清洗硅片制作p-n结均匀在硅片衬底中分布掺杂原子做金属电极ABCD提交单选题1分请问在扩散虚拟仿真实训中小氮流量你最终调试成功的值是多少？作答正常使用主观题需2.0以上版本雨课堂主观题1分用四探针对完成扩散的硅片进行（）测试？电阻电导率方块电阻反射率ABCD提交单选题1分四探针测试硅片方块电阻时，一般采用（）点测试法。1345ABCD提交单选题1分前清洗工艺仿真实训采用的设备有几个槽位？5679ABCD提交单选题1分前清洗的目的有哪几项（多选，少选不给分）制做绒面，提高光的吸收率做p-n结去除表面的机械损伤去除硅片的杂质和沾污ABCD提交多选题1分后清洗工艺定义速读教材（3分钟）P69-71问题：1.后清洗（刻蚀）生产的目的是什么？2.PSG是什么？后清洗工艺是晶体硅太阳电池制造的第三道工序，目前企业主要采用湿法刻蚀工艺，因此又称刻蚀工序。后清洗的目的后清洗的目的就是刻蚀多余p-n结和去除PSG。

扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。p-n结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG(磷硅玻璃)。

非扩散面扩散面后清洗时，哪一面朝上呢？后清洗工艺原理湿法刻蚀原理:利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。边缘刻蚀原理反应方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2+8H2O等效电路去除磷硅玻璃（PSG）的目的：PSG使硅片在空气中表面容易受潮，会导致电流降低和功率衰减。PSG引起的死层大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了电压和电流。PSG使得PECVD后产生色差。去PSG原理方程式：

SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序检验方法：当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净，可在HF槽中

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