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文档简介

电子有效质量： 能带极值附近电子速度：浅能级杂质电离能的简单计算： 硅、锗的相对介电常数分别为16和12；锗，硅导带底的状态密度： 硅，锗价带顶的状态密度： 硅，锗费米分布函数（对于能量为的一个量子态被电子占据的概率）： 玻耳兹曼分布函数（适用范围，）： 导带中的电子浓度： 价带中的空穴浓度： 本征半导体， 费米能级： 载流子浓度： “单”杂质半导体，电子（空穴）占据施主（受主）能级的概率： 施主（受主）能级上电子（空穴）浓度： 电离施主（受主）浓度： n型 p型电中性方程： 弱电离区 强电离区 ， ，过渡区 在有杂质补偿情况下， n型 p型极低温情况下 低温下，与“单”杂质半导体低温下弱电离相同强电离，以 当（或）与相近时，（或） 载流子的漂移运动 ，， 迁移率： 电导率： ， 半导体电导率：半导体的主要散射机构：电离杂质散射 （散射概率） 晶格震动散射 （声学波散射） （光学波散射） 平均自由时间： 电子、空穴迁移率： ，存在多种散射机构时： ，随非平衡载流子注入产生的附加电导率： 单位时间单位体积内净复合消失的电子—空穴对数称为非平衡载流子的复合率。准费米能级： 非平衡载流子越多，准费米能级偏离就越远。直接复合： ，其中表示电子—空穴复合概率分情况有：当时，当间接复合： 复合中心浓度，复合中心能级上电子浓度电子俘获系数，电子激发概率，空穴俘获系数，空穴激发概率①电子俘获率，②电子产生率，③空穴俘获率，④空穴产生率，有①+④=②+③，得，在小注入情况下，寿命只取决于，，，；且主要分别由，，和决定。（详见P137-P138）陷阱效应：杂质能级（施主、受主、复合中心或任何其它杂质能级）的积累非平衡载流子的作用。（详见5.5）载流子

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