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二次清洗〔单、多晶〕作业指导书文件编号：SZGD-Q/C-PD2-005文件类型：工作文件版 本：2010A

版本：A修订：0撰写人：生产技术部 页1共3页修订记录二次清洗〔单、多晶〕作业指导书文件编号：SZGD-Q/C-PD2-005文件类型：工作文件版 本：2010A

版本：A修订：0撰写人：生产技术部 页2共3页目的去除硅片外表的磷硅玻璃〔PSG〕和外表氧化层。适用范围125156责任作业人员：按文件要求进展生产。品保部：负责按文件要求对工艺检查、监视。生产技术部：负责制定此作业指导书，制定与更工序的工艺参数表单。主要原材料及半成品氢氟酸〔HF〕 分析纯/电子级集中、刻蚀后的硅片〔Si〕 125mm*125mm156mm*156mm主要仪器设备及工具去磷硅玻璃〔PSG〕清洗设备、花篮承载框、清洗小花篮工艺技术要求清洗后的硅片外表应疏水。硅片外表应清洁光亮，无染色，无明显痕迹。操作规程配液470mm。开机清洗操作员将去磷硅玻璃设备由“手动状态”操作为“自动状态”，使其处于正常运转状态〔绿灯〕装片插片员戴上口罩和乳胶手套，将刻蚀后的硅片插入小花篮。留意装片时保证硅片的正面朝小花篮的1.5.6。1.5.6正面朝向小花篮的缺口方向插片员将装满硅片的小花篮放入承载框，再将承载框放到进料工位上。清洗清洗操作员启动进料传送线将承载框送到清洗设备本体，由自动机械手将花篮依次送到各工位，对硅二次清洗〔单、多晶〕作业指导书文件编号：SZGD-Q/C-PD2-005文件类型：工作文件版 本：2010A

版本：A修订：0撰写人：生产技术部 页3共3页片进展腐蚀清洗，去除磷硅玻璃，经4个工位全过程处理后，将硅片取出。自检甩干员检查硅片是否有裂痕、缺角、崩边现象，将无法连续生产的硅片取出甩干甩干员将装满硅片的小花篮放入甩干机中，启动设备，甩干；图1.5.7将清洗后的小花篮，对位放入甩干机中 图1.5.8运行“启动”按钮甩干员将甩干后的硅片取出，并填写好《工艺流程卡》，通过传递窗流向下一道PECVD工序；关机在没有生产任务时，工序长需停顿设备运行，关闭电源，做好设备的清洁和维护。工艺卫生要求确定不允许用手直接接触硅片；物品和工具定点放置，用过的工具要放回原位，严禁乱放。留意事项严格依据去磷硅玻璃设备操作规程进展生产。操作员应时刻留意显示设备运转状态的指示灯，绿灯为正常运转，

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