北方华创-市场前景及投资研究报告-开创启程领跑未来

证券研究报告北方华创（002371.SZ）：开创芯启程，领跑芯未来股票投资评级：买入|维持2023年10月6日北方华创·业务版图半导体装备精密元器件真空装备电源模块PowerSupplyModule等离子体刻蚀设备石墨纯化设备GraphitepurificationFurnaceEtch物理气相沉积设备

✓

集成电路IC；晶体器件Crystal

Device化学气相沉积工艺设备PVDCVD/CVI

Furnace✓

先进封装；✓

先进陶瓷；✓

金属热处理；✓

碳材；连续高温设备Continuoushigh-temperatureFurnace化学气相沉积设备精密电阻器✓

功率半导体；CVDPrecisionResistor✓

化合物半导体；长晶炉设备微波组件Microwave

Module烧结工艺设备SinteringFurnacePVT✓

硅基微型显✓

真空电子元示；器件；氧化扩散设备钽电容器TantalumCapacitor先进热处理工艺设备Heat

TreatmentFurnaceFurnace✓

半导体显示✓

复合集流体及照明；行业；湿法设备针焊工艺设备BrazingFurnace✓

科研领域；✓

氢能行业；WET紫外线固化炉✓

新能源光伏；

平台型企业物理气相沉积工艺设备✓

新能源光伏；UV

CurePVD

Furnace✓

平板显示及✓

磁性材料行智能自动化；业；移载传输设备单晶炉设备SingleCrystalGrowingFurnaceIndexer✓

衬底材料；✓

客户服务；✓

备品备件✓

锂电池极片电池制造钕铁硼晶界扩散工艺设备NdFeB

grainboundarydiffusionprocessequipment辅助设备AncillaryEquipment锂离子电池极片制造设备Li-ionBatteryElectrode气体测量控制GasMeasuring

ControlManufacturingEquipment2资料：公司官网，中邮证券研究所投资要点➢

平台化布局半导体工艺装备+真空及锂电装备+精密电子元器件，跨入“百亿级”发展新阶段。公司由七星电子与北方微电子战略重组成立，作为国内主流高端电子工艺装备供应商与重要高精密电子元器件生产基地，在半导体工艺装备领域，公司覆盖刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件与存储器件等工艺制造过程，助力半导体。在真空及锂电装备领域，公司研发的晶体生长设备等为新材料、新工艺、新能源等绿色制造赋能。在精密电子元器件领域，公司研发的石英晶体器件等产品推动元器件向小型化、轻量化、高精密方向发展。随着电子工艺装备的持续突破，2022年公司跨入“百亿级”营收发展新阶段。➢

加码研发扩大工艺覆盖范围，长效激励构筑坚实人才基础。以全球晶圆厂设备分类占比23%/22%的薄膜/刻蚀设备为例，刻蚀装备方面，公司发布了双频耦合CCP介质刻蚀机，实现硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀工艺全覆盖。薄膜装备方面，公司的铜互联薄膜/铝薄膜/钨薄膜/硬掩膜/介质膜/TSV薄膜/背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台。同时公司在立式炉/卧式炉/外延/清洗装备方面不断扩大工艺覆盖范围。另外，2018/2019/2022年三期股权激励计划的实施彰显公司长期发展信心，构筑坚实人才基础。➢

国内未来255.1万片/月（折合12吋）待扩产，叠加以及先进封装等驱动，平台型公司大有可为。公司在手订单充足，2023年1-5月新增订单相较去年同期增长超过30%，其中以集成电路设备订单为主；考虑到国内未来255.1万片/月（折合12吋）待扩产，叠加因素，公司有望凭借刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备的平台化布局获得可观订单，支撑未来业绩增长。随着以TSV技术为代表的先进封装成为芯片集成的重要途径，公司凭借在TSV制作环节的产品布局如PSE

V300等有望获得更多订单。盈利预测和财务指标项目\年度2022A14,688.11

20,664.59

26,695.46

34,475.0251.68

40.69

29.18

29.143,355.06

4,852.10

6,293.85

7,990.132023E2024E2025E➢

盈利预测：我们预计公司2023/2024/2025年分别实现收入207/267/345亿元，实现归母净利

润

分

别

为

38/51/66

亿

元

，

当

前

股

价

对

应2023-2025年PE分别为33倍、25倍、19倍，维持“买入”评级。营业收入(百万元)增长率(%)EBITDA(百万元)归属母公司净利润(百万元)

2,352.73

3,827.63

5,098.97

6,570.91增长率(%)118.374.4462.697.2233.219.6228.8712.4019.463.64EPS(元/股)市盈率（P/E）市净率（P/B）EV/EBITDA➢

风险提示：外部环境不确定性风险；技术迭代54.356.4833.415.4425.084.47风险；人力资源风险；下游扩产不及预期风险。33.6124.5218.4213.96资料：公司公告，中邮证券研究所3平台化布局半导体工艺装备+真空及锂电装备+精密电子元器件，跨入“百亿级”发展新阶段一二加码研发扩大工艺覆盖范围，长效激励构筑坚实人才基础目录国内未来255.1万片/月（折合12吋）待扩产，三四以及先进封装等驱动订单增长盈利预测4一平台化布局半导体工艺装备+真空及锂电装备+精密电子元器件，跨入“百亿级”发展新阶段5发展历程2019.122020.32018.82018.4完成首次股票期权激励计划授予登记北方华创非公开发行股票上市，国家集成电路基金、北京电控和京国瑞基金参与本次认购北方华创完成2019年股票期权与限制性股票激励计划股票期权授予登记完成在美国加利福尼亚州设立NAURAResearch

Inc.（北方华创美国硅谷研究院）2022.122019.12020.3销售收入首次突破百亿元2018.1北方华创微电子获得国家级企业技术中心资质北方华创收购北广科技射频应用技术相关资产正式签约完成对美国Akrion

Systems

LLC公司收购20182019202020222017201620152012201020012016.82015.102012.92010.3北京电控整合原国营700厂、706厂、707厂、718厂、797厂、798厂的优质2001.92017.2七星电子与北方微电子战略重组七星电子更名为北方华创科技集团股份有限公司，推出全新品牌“北方华创”（NAURA）七星电子完成上市之后第一次再融资七星电子与北方微电子重组之旅开启七星电子在深圳证券交易所上市资产和业务，以七星集团为主发起人设立七星电子2016.9北方微电子由北京电控联合七星集团、清华大学、北京大学、中科院微电子所和中科院光电技术研究所共同出资设立2001.10北方微电子更名为北京北方华创微电子装备有限公司北方华创真空北方华创微电子真空设备半导体装备北方华创新能源七星华创精密电子新能源锂电设备电子元器件资料：公司官网，中邮证券研究所6股权结构图表1：公司股权结构（截至2023年6月30日）国家集成电路产业投资基金二期国家香港中央結算有限公司北京京国瑞国企改革发展基金（有限合伙）国联安基金七星集团北京电控集成电路产业投资基金诺安基金华夏基金兴全基金其他33.62%9.43%6.42%4.32%1.52%1.24%1.17%1.15%0.93%0.84%39.36%北方华创科技集团股份有限公司14%100%100%100%100%100%91.18%10%5.26%4%北京飞行博达电子有限公司北京北方华创微电子装备有限公司北京七星华创精密电子科技有限责任公司北京北方华创真空技术有限公司广州中科同芯半导体技术合伙企业（有限合伙）长江先进存储产业创新中心有限责任公司芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司北京七星华创集成电路装备有限公司北京诺华资本投资管理有限公司2.08%1.3%0.18%SEVEN

STAR

ELECTRONICSINCORPORATED北京京国管股权投资基金（有限合伙）上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司北京七星华创微电子有限责任公司资料：Wind，中邮证券研究所7电子工艺装备持续突破，跨入“百亿级”发展新阶段◼

作为国内主流高端电子工艺装备供应商以及重要的高精密电子元器件生产基地，公司的主要产品为电子工艺装备（主要包括半导体装备、真空装备和新能源锂电设备）和电子元器件（主要包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等）。◼

半导体行业周期波动下，凭借强劲的产品实力，公司业绩稳健增长，2022年实现营收146.88亿元，正式跨入“百亿级”发展新阶段。根据公司5月31日披露的投资者关系活动记录表，公司在手订单充足，2023年1-5月新增订单相较去年同期增长超过30%，其中以集成电路设备订单为主，支撑公司未来业绩增长。图表2：2018-2023H1公司各业务营收（亿元）图表3：2018-2023H1公司各业务营收占比16014012010080146.88100%13%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%19%80%18%82%18%82%21%79%24%76%25.7496.8384.2717.1510.5987%60.5611.6560120.8440.588.4733.247.884079.4973.4948.692031.9125.21020182019202020212022

2023H1电子工艺装备电子元件其他业务电子工艺装备电子元件其他业务

总计资料：Wind，中邮证券研究所资料：Wind，中邮证券研究所8毛利率区间波动相对稳健，持续扩充研发◼

毛利率区间波动相对稳健：其他业务占比极低，公司综合毛利率主要受电子工艺装备与电子元件影响。近年来，随着公司新产品的推出以及产品力优势，整体毛利率在35%-45%区间波动。◼

规模效应不断凸显：2018-2023H1，公司的销售/管理/财务费用率基本呈下降趋势，规模效应不断凸显。◼

研发方面：公司2022年研发资金投入35.66亿元，申请专利900余件，获得授权专利600余件，研发人员2,929人，占比29.27%，研发资金投入与申请专利数连续三年实现稳步增长。公司将保持高强度的研发投入力度，加快新产品开发和新技术预研。图表4：2018-2023H1公司各主营业务毛利率图表5：2018-2023H1公司相关费用率16%11%6%85%75%65%55%45%35%25%15%5%80%13%13%13%72%49%73%53%70%69%61%67%60%11%66%11%10%44%42%41%38%41%39%38%37%38%35%35%33%1%29%-4%20182019202020212022

2023H1销售费用率研发费用率管理费用率财务费用率综合电子工艺装备电子元件其他业务资料：Wind，中邮证券研究所资料：Wind，中邮证券研究所9规模效应持续凸显，盈利能力不断增强◼

受益于公司半导体设备业务市场占有率的稳步提升及经营效率的不断提高，公司归母净利润和扣非归母净利润保持稳健增长，2023H1公司实现归母净利润/扣非归母净利润17.99/16.09亿元，分别同比增长149%/138%。图表6：2018-2023H1公司归母、扣非后归母净利润（亿元）以及各自增长率（%）252015105350%300%250%200%150%100%50%23.5321.06309%17.9916.09181%74%161%149%137%86%10.77101%8.07138%118%32%3.095.372.341.970%-8%0.760.700-50%201820192020202120222023H1归属母公司股东的净利润扣非后归属母公司股东的净利润归母同比(%)扣非归母同比(%)资料：Wind，中邮证券研究所10二加码研发扩大工艺覆盖范围，长效激励构筑坚实人才基础11刻蚀技术概览介质刻蚀氧化硅、氮化硅、二氧化铪、光刻胶一般使用电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）49%按照刻硅刻蚀单晶硅、多晶硅、硅化物蚀48%一般使用电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）材料分金属刻蚀类铝、钨各向同性各向异性3%干法刻蚀90%一种物理干法加工工艺，利用高能氩离子束以大约1至3keV的能量照射在材料表面上优：由于是垂直辐射，因此在垂直墙壁上的磨损非常小（高各向异性）离子束刻蚀（Ion

BeamEtching，IBE）按劣：由于其选择性较低且蚀刻速率较慢，这种工艺在当前的半导体制造中很少使用照刻一种绝对化学刻蚀工艺，也称为化学干法刻蚀（Chemical

dry

etch）优：不会导致晶圆表面的离子损伤局限：由于蚀刻气体中的活性粒子可自由移动，蚀刻过程是各向同性的，因此该方法适用于去除整个薄膜层（例如，清除经过热氧化后的背面）蚀等离子刻蚀（Plasma

etch）刻蚀技术工艺分非常精确控制选择性、蚀刻轮廓、蚀刻速率、均匀性和可重复性的化学物理蚀刻工艺优：可实现各向同性和各向异性的蚀刻轮廓，构建各种薄膜的最重要工艺之一劣：选择性并不是非常高，因为物理蚀刻过程也会发生。此外，离子的加速会对晶圆表面造成损伤，需要进行热退火来修复类反应离子蚀刻（Reactiveion

etching，RIE）5[μm]技术【nm】湿法刻蚀干法刻蚀特定方向（各向异性）等离子体（阳离子、自由基）物理+化学技术进步化学刻蚀所有方向（各向同性）刻蚀方向使用的材料反应方式精细图案湿法刻蚀10%液体溶液化学所需设备昂贵目标选择问题吞吐量问题电解刻蚀快速度慢资料：宽禁带半导体技术创新联盟微信号，SJT锦雅电子微信号，IMECAS硅光子微信号，驭势资本，知乎，芯ONE微信号，中邮证券研究所12干法蚀刻（dry

etch）工艺主要表征蚀刻速率

(etchrate)均匀性

(uniformity)ER=high/timeP-substrate单位时间内去除蚀刻材料的深度或厚度选择比

(selectivity)S=ER1/ER2衡量蚀刻关键尺寸（CD）均匀性，一般用CD的full

map表征，公式为：U=(Max-Min)/2*AVGhigh1high2P-substrate终点探测

(end

point)不同蚀刻材料的蚀刻速率比值PerturbationIndicatingEndpoint关键尺寸

(critical

dimension)CDP-substrateTime在蚀刻过程中时刻检测光强的变化，当某一特定光强发生明显上升或下降时终止蚀刻，以此标志某一层film蚀刻的完成蚀刻完成后特定区域图形尺寸大小：半导体材料与工艺微信号，芯ONE微信号，中邮证券研究所资料13刻蚀设备：硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀工艺全覆盖图表7：公司等离子体刻蚀设备部分汇总（晶圆尺寸、适用材料与工艺）刻蚀机类别多晶硅刻蚀机金属刻蚀机型号晶圆尺寸6/8吋兼容6/8吋兼容6/8吋兼容6/8吋兼容12吋适用材料适用工艺NMC

508C/GNMC

508MNMC

508RIENMC

508GtNMC

612MNMC

612GNMC

612CNMC

612DPSEV300硅多晶硅刻蚀、硅刻蚀、多晶硅栅极刻蚀、浅槽隔离刻蚀等顶层金属刻蚀、中间层金属刻蚀等铝、氮化钛、钼、钨、氧化铟锡等介质刻蚀机氧化硅、氮化硅、氮氧化硅钝化层、硬掩膜、接触孔、导线孔、侧衬、自对准、回刻等刻蚀深硅刻蚀深槽刻蚀机硅氮化钛金属硬掩膜刻蚀机金属刻蚀机金属铝、硅、氧化物、钼、氧化铟锡硅TiN

HM刻蚀、高K值介质刻蚀、W/Ti/Ta等金属及其化合物刻蚀多晶硅刻蚀、介质刻蚀、Al/Mo/ITO等金属刻蚀多晶硅栅极刻蚀、浅槽隔离刻蚀、侧墙刻蚀浅沟槽隔离刻蚀、栅极刻蚀、侧墙刻蚀、双重图形曝光2.5D&3D

TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀掩膜刻蚀、Spacer、有机物刻蚀、大马士革刻蚀等深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等深硅刻蚀12吋硅刻蚀机12吋硅刻蚀机12吋硅深硅刻蚀机8/12吋兼容12吋硅、氧化硅、氮化硅氧化硅、氮化硅、PI等有机物、玻璃等硅、氧化硅、氮化硅硅、SOI、SOG封装钝化层刻蚀机深硅刻蚀机PSEV300DiHSE

P3008/12吋兼容8吋及以下深硅刻蚀机HSE

M200380mm

Frame等离子体切割刻蚀机HSE

D300硅深硅等离子切割及以下去胶机ACE

i3008/12吋兼容8/12吋兼容光刻胶干法去胶微波等离子体表面处理系统BMDP300PR,PI,PBO,

BCB等等离子体表面处理、残渣去除、金属离子去除氮化镓、氧化硅/氧化钛、砷化镓、磷化镓、高精度刻蚀机多功能刻蚀机高密度刻蚀机芯片刻蚀机GSE

V200GSEC200GDEC2008吋及以下8吋及以下8吋及以下多种材料刻蚀工艺多种材料刻蚀工艺铝镓铟磷、氮化硅、钨化钛等硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、氧化铝、氮化镓等碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮电极刻蚀等电极、深槽隔离、DBR、红黄光、钝化层、金属阻挡层等刻蚀ELEDE®G380A/G380D2、4、6

吋及特殊尺寸氮化镓、氧化硅/氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氮化硅、钨化钛、有机物等2、4、6

吋及特殊尺寸PSS刻蚀机ELEDE®

380F蓝宝石，氧化硅等纳米级/图形化PSS刻蚀、复合衬底刻蚀资料：公司官网，中邮证券研究所14刻蚀设备：新工艺不断突破◼

刻蚀装备方面，面向12吋逻辑、存储、功率、先进封装等客户，公司已完成数百道工艺的量产验证，ICP刻蚀产品出货累计超过2000腔；采用高密度、低损伤设计的12吋等离子去胶机已在多家客户完成工艺验证并量产；金属刻蚀设备凭借稳定的量产性能成为国内主流客户的优选机台；迭代升级的高深宽比TSV刻蚀设备通过客户端工艺验证，支撑Chiplet工艺应用；应用于提升芯片良率的12吋CCP晶边刻蚀机已进入多家生产线验证；精准针对客户需求，发布了双频耦合CCP介质刻蚀机。实现了在硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀工艺的全覆盖，具有对硅、深硅、金属、介质、化合物半导体等多种材料的刻蚀能力。2023年6月30日：公司12吋深硅刻蚀机销售突破百腔，助力CHIPLET

TSV工艺发展◼

以TSV（Through

Silicon

Via，硅通孔）技术为代表的先进封装成为芯片集成的重要途径。◼

公司于2020年前瞻性推出的12吋先进封装领域PSE

V300，成为国内TSV量产生产线主力机台。◼

经过三年的迭代更新，PSEV300已从最初的2.5D/3D封装领域，逐渐应用至功率器件、图像传感器及微机电系统等众多领域。2023年7月1日：公司发布国产12吋晶边刻蚀机，打造良率提升专业解决方案◼

晶边刻蚀机作为业界提升良率的有力保障，其重要性日益凸显。近日，公司正式发布应用于晶边刻蚀（Bevel

Etch）工艺的12吋等离子体刻蚀机AccuraBE，实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破。◼

AccuraBE刚发布上市，凭借优秀的工艺均匀性等斩获逻辑及存储器领域头部客户多个订单，通过工艺调试，进入量产阶段。2023年7月1日：北方华创发布12吋去胶机，实现去胶工艺全覆盖◼

去胶工艺作为刻蚀工艺的一种，光刻胶在完成图形复制和传递作用后能否去除干净直接影响到后续工艺是否能够进行，甚至关系到器件的性能。2023年6月，北方华创正式发布12吋去胶机ACE

i300，开拓12吋刻蚀领域全新版图。◼

ACE

i300主要用于12吋存储、逻辑、图像传感器等，实现刻蚀后去胶（post

etch

strip）、离子注入后去胶（post

implantstrip）、去残胶（descum）、表面处理（surface

treatment）等去胶工艺全覆盖。多项关键工艺指标达到先进水平。资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所15刻蚀设备：应用领域广泛，性能优异图表8：公司等离子体刻蚀设备部分汇总（应用领域与设备特点）刻蚀机类别型号应用领域设备特点集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研多晶硅刻蚀机NMC508C/G良好的形貌控制能力；多腔室集群设备，可全自动并行工艺，易维护高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷；性能稳定、产能高、客户拥有成本低集成电路、化合物半导体、功率半导体、硅基微型显示、科研良好的铝线形貌控制能力；多腔室集群设备，含金属腔和去胶腔组合，金属刻蚀机介质刻蚀机NMC508MNMC508RIE可全自动并行工艺，PM维护周期长集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研高刻蚀速率和均匀性；易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低；多腔室集群设备，全自动并行工艺多腔室集群设备，可全自动并行工艺深槽刻蚀机NMC508GtNMC612M集成电路、功率半导体集成电路沟槽顶部圆化能力，优秀的形貌控制、低颗粒/缺陷氮化钛金属硬掩膜刻蚀机先进的线宽、形貌、均匀性控制能力；高产能，工艺稳定，低缺陷；减少等离子体诱导损伤集成电路、功率半导体、硅基微型显示多腔室集群设备（Cluster

Tool）（全自动化的，能够进行串行或并行工艺处理）；包含工艺模块和传输模块，可从12吋硅片传输盒（FOUP）中连续自动取片并在所指定的工艺腔室里完成所设定的工艺金属刻蚀机NMC612G硅刻蚀机硅刻蚀机NMC612CNMC612D集成电路、功率半导体集成电路已在客户端稳定量产超过十年丰富的工艺调试手段、较高的刻蚀均匀性以及量产稳定性量产稳定性较高集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统兼具Bosch/Non-Bosch工艺，针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求深硅刻蚀机PSE

V300封装钝化层刻蚀机深硅刻蚀机PSE

V300DiHSE

P300HSE

M200HSE

D300ACEi300先进封装先进封装易维护、性能稳定、客户拥有成本低；高刻蚀速率、高刻蚀均一性能力，低颗粒；多腔室集群设备采用Cluster结构布局，减小占地，提升产能；自动化地上下料及自动工艺深硅刻蚀机微机电系统、科研先进封装配置高密度双立体等离子体源，低频脉冲下电极系统，可实现高速、高深宽比、高均匀性及极小侧壁粗糙度易维护、性能稳定、客户拥有成本低；高刻蚀速率、高刻蚀均一性和角度控制能力、低颗粒控制等性能优势高去胶速率、高均匀性、低等离子体损伤、低缺陷；多腔室集群设备等离子体切割刻蚀机去胶机集成电路、功率半导体易维护、性能稳定、客户拥有成本低微波等离子体表面处理系统低损伤、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、高亲水性、兼容大翘曲及可刻蚀不同材质晶圆等性能优势；模块化设计，可全自动并行作业BMD

P300先进封装高精度刻蚀机多功能刻蚀机GSE

V200GSE

C200GDE

C200化合物半导体、Micro

LED、科研化合物半导体、硅基微型显示、科研化合物半导体、科研优异的刻蚀均匀性，良好的颗粒控制能力，宽阔的工艺窗口及精确的形貌控制能力；多腔室集群设备等离子体刻蚀机，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定、具有快速导产能力多腔室集群设备，全自动并行工艺处理；适用于强键合材料刻蚀高密度等离子体刻蚀机ELEDE®芯片刻蚀机半导体照明、Mini

LED、Micro

LED半导体照明、Mini

LED、Micro

LED等离子体刻蚀机；配置单/双反应腔、托盘式、多片Tray

inTrayout全自动作业覆盖蓝绿、红黄芯片刻蚀全流程G380A/G380DPSS刻蚀机ELEDE®

380F覆盖PSS、NPSS、CPSS刻蚀工艺资料：公司官网，中邮证券研究所16薄膜设备技术概览图表9：薄膜沉积设备技术分类与对比低压型LPCVD常压型热蒸发沉积APCVD化学气相沉积先进薄膜沉积设备物理气相沉积金属有机化合物型CVDPVD等离子体溅射沉积MOCVD等离子体增强型原子层沉积PECVDALD热原子层沉积TALD等离子体增强原子层沉积

PEALD空间原子层沉积SALD电化学原子层沉积ECALD大气压原子层沉积AP-ALD流床式原子层沉积PVD技术CVD技术ALD技术•

沉积速率较快；•

沉积速率较慢（纳米/

分钟）；•

原子层级的薄膜厚度；•

薄膜厚度较厚，对于纳米级的膜厚精度控制差；•

镀膜具有单一方向性；•

厚度均匀性差；•

沉积速率一般（微米

/分钟）；优势与劣势•

中等的薄膜厚度（依赖于反应循环次数）；•

镀膜具有单一方向性；•大面积薄膜厚度均匀性好；•

阶梯覆盖率最好；•

薄膜致密无针孔•

阶梯覆盖率一般•

阶梯覆盖率差•

PERC

电池背面钝化层；•

PERC

电池背面钝化层、PERC

电池减反层；•

TOPCon

电池接触钝化层、减反层；•

TOPCon

电池隧穿层、

接触钝化层、减反层；•

柔性电子介质层、柔性电子封装层；•

半导体高

k

介质层、金属栅极、金属互联阻挡层、多重曝光技术，在半导体领域

28nm

及以下先进制程、存储器件中的3D

NAND典型应用中举足轻重•

HJT光伏电池透明电极；主要应用柔性电子金属化、触碰面板透明电极；HJT电池接触钝化层；•••柔性电子介质层、柔性电子封装层；•

半导体金属化•

半导体介质层（低介电常数）、半导体封装层资料：微导纳米招股说明书，中邮证券研究所17薄膜设备：PVD、CVD、ALD全覆盖◼

薄膜装备方面，公司突破了物理气相沉积、化学气相沉积和原子层沉积等多项核心关键技术，铜互联薄膜沉积、铝薄膜沉积、钨薄膜沉积、硬掩膜沉积、介质膜沉积、TSV

薄膜沉积、背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台，广泛应用于集成电路、功率器件、先进封装等领域，累计出货超3000腔，支撑了国内主流客户的量产应用。图表10：公司物理气相沉积设备部分汇总型号晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域eVictorPVDAl集成电路、功率半导体、硅基微型显示金属铝薄膜PVD8吋PVD12吋铝、氮化钽、氮化钛、钛Al

Pad、铝线、热铝eVictorSeries钛、氮化钛、高温铝、镍、镍钒、银正面电极工艺、背面金

集成电路、功率半导体、科8吋8/12吋12吋属化工艺研领域、化合物半导体PolarisSeries铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽硅通孔PVD2.5D/3D

TSV沉积先进封装PolarisSeries12吋背面金属PVD8/12吋通用PVD8吋PVD铝、镍钒、银、钛背面金属化工艺功率半导体、先进封装先进封装、硅基微型显示PolarisSeries铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨化钛、金、铝等

UBM金属溅射、重布线晶圆级先进封装中的8/12吋兼容6/8

吋PolarisSeries银、钨化钛、金、铂、钛、化合物半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研领域倒装工艺、金属电极等ITO电流扩展层氮化钛、铝等iTopsSeriesPVDITO

溅射系统PVDAlN

溅射系统2/4/6吋2/4/6吋铟锡氧化物半导体照明iTopsSeries氮化铝氮化铝缓冲层溅射半导体照明18资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所薄膜设备：PVD、CVD、ALD全覆盖◼

公司自主开发的卧式PECVD已成功进入海外市场，为多家国际先进光伏制造厂提供解决方案。硅外延设备在感应加热高温控制技术、气流场、温度场模拟仿真技术等方面取得了重大的突破，达成了优秀的外延工艺结果，获得多家国内主流生产线批量采购。面向LED领域介质膜沉积的PECVD设备，凭借优秀的工艺性能和产能优势，已成为LED客户扩产优选设备。面向化合物半导体领域，碳化硅外延设备的各项技术指标也均已达到行业先进水平，批量机台已在各大主流厂商实现稳定量产。图表11：公司化学气相沉积设备部分汇总型号晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非掩膜层沉积、钝化层沉积、绝缘层沉积集成电路、化合物半导体、功率半导体、EPEE

i2006/8吋兼容晶碳、PSG、BPSGLED、硅基微显、科研PECVD氧化硅图形化衬底层、钝化保护层、绝缘层、掩摸层沉积EPEE

i8008吋及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅化合物半导体、半导体照明、科研EPEE

550Esther

E320REsther

E320AEris

E120R8吋及以下6/8吋兼容5/6/8吋6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧化硅保护层、掩膜层、电流阻挡层体硅外延、埋层外延、选择性外延N&P常压硅外延半导体显示及照明、科研领域集成电路、功率半导体、衬底材料、科研功率半导体、衬底材料、科研硅单片LPCVD硅单片LPCVD单片APCVD单片APCVD多片CVD硅埋层外延、选择性外延

、多晶外延N&P常压硅外延集成电路、功率半导体、衬底材料、科研功率半导体、衬底材料、科研Eris

E120A5/6/8吋12吋硅Hesper

E230ASES

Series硅N&P常压硅外延功率半导体、衬底材料、科研4/5/6/8吋4/6吋硅N&P硅外延功率半导体、衬底材料、科研CVDMARSiCE115HORICL200碳化硅N&P碳化硅外延化合物半导体、衬底材料、科研化合物半导体、衬底材料、科研卧式LPCVD4/6/8吋硅、碳化硅、硅基氮化镓硅、碳化硅、硅基氮化镓装片量：1300~2860（单槽双插）片/管；单机台管数：5、6、10、12

管/系统；温度范围：600~1000℃156mm~230mm氧化硅、多晶硅、掺磷多晶硅、掺硼多晶硅管式LPCVD管式PECVDHORISL12HORISP12新能源光伏装片量：432~780

片/舟；单机台管数：5、6、10、12

管/系统；温度范围：150～650℃156mm~230mm氮化硅、氧化硅、氧化铝、Poly、新能源光伏掺杂、退火等19资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所热处理设备概览图表12：热处理设备分类氧化：一种添加工艺，是将硅片放入高温炉中，加入氧气与之反应，在晶圆表立式炉卧式炉氧化炉扩散炉面形成二氧化硅。按设扩散：通过分子热运动使物质由高浓度区移向低浓度区，利用扩散工艺可以在热处理设备按备工

硅衬底中掺杂特定的掺杂物，从而改变半导体的导电率，但与离子注入相比扩形艺

散掺杂不能独立控制掺杂物浓度和结深，因此现在应用越来越少。态快速退火RTP退火：一种加热过程，通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化，并在晶圆表面增加或移除少量物质。2021年全球热处理竞争格局栅极堆叠设备设备市场规模占比应用材料Kokusai东京电子屹唐股份维易科44%19%19%5%图表半导体热工艺未来的发展方向：芯片性能对热预算、温度的敏感度要求越来越高1)芯片尺寸缩小要求更低的工艺温度及更快的升降温速率的立式炉设备；2)先进的工艺需求更先进的温度场控制技术；3)在更高温下，对零部件选材及金属离子污染控制提出更高要求；4)炉管式化学气相沉积薄膜工艺向原子层沉积薄膜工艺发展。4%ASM3%25SCREEN北方华创其他2%20151051%2%2.475.156.838.876.918.896.688.82栅极堆叠设备氧化/扩散炉快速热处理5.527.199.489.376.410201920202021E2022E2023E2024E2025E资料：华经产业研究院，知乎，中邮证券研究所20立式炉设备：累计出货超过500台◼

立式炉装备方面，公司的中温氧化/退火炉、高温氧化/退火炉、低温合金炉，低压化学气相沉积炉、批式原子层沉积炉均已成为国内主流客户的量产设备，并持续获得重复订单，累计出货超过500台，凭借优异的量产稳定性获逻辑、存储、功率、封装、衬底材料等领域主流客户的认可。图表14：公司氧化扩散设备部分汇总型号晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域单片减压原位湿法氧化系统低温退火炉Hesper

TO230R12吋二氧化硅湿法氧化、减压Spike集成电路、功率半导体、衬底材料、科研领域低温常/低压工艺、合金、金属/非金属退火、THEORIS

A30212吋硅集成电路、先进封装、功率半导体、硅基微型显示薄片退火PI固化炉LPCVD高温氧化硅炉LPCVD非掺杂多晶硅炉LPCVD氮化硅炉高温氧化炉THEORIS

A302CTHEORIS

HO302DTHEORIS

PY302UTHEORIS

SN302DTHEORIS

X302HTHEORIS

X302PTENESIS

X308P12吋12吋12吋12吋12吋12吋12吋硅硅硅硅硅硅硅PI胶固化集成电路、

功率半导体集成电路、功率半导体、

硅基微型显示集成电路、功率半导体、衬底材料集成电路、功率半导体二氧化硅低压化学气相淀积多晶硅薄膜低压化学气相沉积氮化硅低压化学气相沉积高温干/湿氧氧化、DCE/掺氮氧化、高温退火干氧/湿氧氧化、DCE/掺氮氧化、退火干氧/湿氧氧化、DCE氧化先进集成电路、功率半导体、衬底材料集成电路、功率半导体、衬底材料集成电路中温氧化炉大产能中温氧化炉集成电路、功率半导体、化合物半导体、硅基微型显示、科研低温退火炉FLOURIS

A2018吋硅、碳化硅氮气退火、合金中温氧化炉高温氧化炉FLOURIS

X201PFLOURIS

X201HBooster

SWA8吋8吋硅、碳化硅硅、碳化硅-干氧/湿氧氧化、DCE氧化、退火高/中温氧化、退火集成电路、功率半导体、化合物半导体、科研领域集成电路、功率半导体、

化合物半导体、衬底材料、科研集成电路单片退火系统12吋Sub40nmBEOL

单片退火先进封装立式PI固化炉SiC高温退火炉SUMERIS

AP302CVERIC

A6151A8/12吋兼容4/6吋兼容硅、玻璃PI固化、烘烤去湿等先进封装碳化硅、氮化铝注入后激活、Ar退火、Ar/H₂退火、沟槽平滑化合物半导体，衬底材料，科研干氧氧化

、湿氧、Ar/N₂

退火、NO/N₂O

退火、H₂

退火、DCE清洗SiC高温氧化炉扩散/氧化系统扩散系统VERIC

O6151AHORIC

D200HORIS

D124/6吋兼容4/6/8吋碳化硅化合物半导体、衬底材料、科研化合物半导体、衬底材料、科研硅、碳化硅、硅基氮化镓磷扩散、硼扩散、氧化、退火、合金晶圆尺寸：156mm~230mm工艺种类：低压磷/硼扩散、常/低压退火/氧化、常压退火/氧化、H₂退火新能源光伏21资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所卧式炉管设备：主要用于光伏领域，主流客户全覆盖图表15：公司新能源光伏应用领域装备汇总化学气相沉积设备氧化扩散设备长晶炉设备半导体装备HORIS

L12管式LPCVDHORIS

P12管式PECVDNVT-HG单晶生长炉HORIS

D12扩散系统气体测量控制CS230CS200CS100数字式质量流量计/质量流量控制器QL气路系统PC100压力控制器数字式质量流量计/数字式质量流量计/质量流量控制器质量流量控制器◼

卧式炉管设备方面，公司主要为光伏客户提供氧化扩散、等离子体化学气相沉积、低压化学气相沉积三大技术平台基础上的硼扩、磷扩、氧化退火、正/背膜氮化硅沉积、多晶硅沉积、多晶硅掺杂、隧穿氧化层沉积、异质结非晶硅薄膜沉积等20余款工艺设备，适用于PERC、TOPCon、HJT等多种技术路线工艺应用，实现主流客户全覆盖。真空装备单晶炉NVT-HG2200-V1单晶炉22资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所外延设备概览◼

外延设备在超越摩尔定律（技术节点涵盖180nm到7nm）时代有着巨大的市场机会，随着应用范围的扩大，硅市场以及包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和磷化铟（InP）等衬底在内的其他市场正在以显著的复合年增长率增长，由于这些材料的选择具有严格的质量要求，需使用MOCVD、MBE和HTCVD等外延设备生长超纯薄膜和纳米结构。CVD8%5%3%图表16：外延设备市场规模预测（单位：百万美元）及驱动力2020年全球外延设备市场份额MOCVD金属有机化学气相沉积Ⅲ-Ⅴ化合物半导体MOCVD外延设备MBE分子束外延设备EPI39%SiHTCVDHTCVD高温化学气相沉积12%11%3%SiC

HTCVD碳化硅功率和高端射频行业的CVD、MBE按外延材料分：3%GaN402；GaAs214SiC239；Si

154InP75市场规模3%3%其他

7按设备分：MOCVD和HTCVD：650；MBE：42按外延材料分：GaN

259；GaAs157；SiC133；Si

94；InP

47资料：Yole，物联网世界，中邮证券研究所23外延设备：外延工艺设备全覆盖，累计出货近1000腔◼

制造先进芯片需要近乎完美的晶体材料，外延设备是生长晶体材料的关键设备，广泛应用于集成电路、功率器件、硅材料、第三代半导体等领域。◼

作为中国外延工艺装备技术的开拓者，公司早在2010年就启动外延装备的研发工作，经过十余年的技术沉淀与创新突破，产品主要有SiC外延炉、硅基GaN外延炉、6/8吋多片硅外延炉，8吋单片硅外延炉，12吋单片硅外延炉等20余款量产设备，已发布20余款量产型外延设备，累计出货近1000腔。图表18：4-12吋单片/多片外延设备图示图表17：公司外延工艺一览表从2012年硅外延设备成功进入客户端至今，具备多种材料外延生长技术能力：包括单晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等，覆盖集成电路、功率器件、射频、半导体照明等领域应用需求。实现4吋到12吋全覆盖：包括8吋及以下的单片及多片大产能硅外延设备、12吋硅外延设备、4/6/8吋碳化硅外延设备、8吋及以下单片及多片大产能硅基氮化镓外延设备。资料：公司官网，中邮证券研究所24外延设备：持续创新多区控温技术等关键技术◼

8吋硅外延设备：打破了行业的竞争格局，成为行业内主流Baseline（基准）产品，问世至今几乎斩获国内市场全部订单。◼

12吋常压硅外延设备：突破了一系列关键技术，获得了市场的广泛认可：在功率器件领域，截至当前已在客户端连续量产超过20万片；在硅材料领域，已在多家客户端实现稳定量产，各项关键指标达到国际主流水平。◼

碳化硅外延产品：目前产品已实现近200台的销售，占据市场半壁江山。面向8吋碳化硅市场，公司前瞻性开发的6/8吋兼容多片碳化硅外延设备将投入市场，将大幅降低客户运营成本。◼

关键技术：通过持续创新，突破并优化了气流场、加热场、气路系统、温度控制、压力控制、运动系统等一系列关键技术，并可针对客户需求进行定制化研发。图表19：公司外延设备关键技术关键技术作用多区控温技术可提升外延层的结晶质量，优化外延层的掺杂分布，满足多种不同的技术要求可降低晶体杂质与缺陷，提升器件层的晶体质量，提升器件性能高温洁净腔室技术实现单向层流，无反流湍流，可拓宽外延工艺窗口，提高外延界面质量，实现外延膜层的可控和器件的高性能多区水平气流场设计常压与减压下的加热场与气流场的仿真技术提升了工艺腔室的设计效率，为解决具体问题提供了理论支持资料：公司官网，中邮证券研究所25清洗设备概览图表20：清洗设备在半导体芯片制造流程的应用及分类中国清洗设备企业相关技术芯片设计盛美上海电路设计CAD工艺设计光罩制作光罩多晶硅拉晶切割研磨抛光清洗✓

14-130✓

28-130✓

28-130⚫

5/7材料清洗单晶硅片刻蚀氧化光刻单晶硅片制造北方华创晶圆制造过程中清洗包含：扩散前清洗刻蚀后清洗离子注入后清洗去胶清洗成膜前/后清洗机械抛光后清洗等刻蚀⚫

14⚫

14溅射晶圆制造清洗离子注入光阻去除WAT测试晶圆点测至纯科技保护层抛光后清洗芯源微封装打磨切割封装过程中清洗包含：TSV清洗✓28-130⚫14芯片封装✓

已具备技术(nm)⚫

在研技术(nm)UBM/RDL清洗芯片测试IC测试

老化检验键合清洗等客户干法清洗占总清洗步骤数量约10%单片清洗设备

74.57%槽式清洗设备

18.09%批发螺旋喷淋清洗设备0.43%洗刷器

6.82%✓

单片清洗设备在40nm以下的制程中的应用将更加广泛，未来占比有望逐步上升。✓

90nm/20nm的芯片清洗工艺约90道/215道。随着芯片进入16nm以及7nm以下，清洗工艺的道数将会加速增长。按清洗介质清洗设备湿法清洗占总清洗步骤数量的90+%✓

未来5年清洗设备有望率先实现全面国产化。资料：盛美上海招股说明书，研究院，半导体产业纵横，华经产业研究院，知乎，中邮证券研究所2019年全球半导体清洗设备细分市场占比26清洗设备：单片+槽式，主要用于12吋集成电路领域◼

清洗装备方面，公司拥有单片清洗、槽式清洗两大技术平台，主要应用于12吋集成电路领域。单片清洗机覆盖Al/Cu制程全部工艺，是国内主流厂商后道制程的优选机台；槽式清洗机已覆盖RCA、Gate、PR

strip、磷酸、Recycle等工艺制程，并在多家客户端实现量产，屡获重复订单。图表21：公司清洗装备部分汇总型号图示晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域后段

Cu/Al制程刻蚀后、Al

Pad、背面清洗、背面刻蚀，后段控挡片回收单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜集成电路、先进封装、功率半导体、硅基微显示单片清洗设备槽式清洗设备槽式清洗设备SC308012吋光阻、单晶硅、多晶硅、炉前、刻蚀/抛光后清洗、光阻、Pinnacle300集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示12吋8吋氧化硅、氮化硅、金属膜、

金属氧化物、氮化物去除、控挡金属氧化物片回收光阻、单晶硅、氧化硅、氮化硅、介质膜、金属膜、氮化钛、硅化物Pinnacle200预清洗、去胶清洗、氮化硅、Co、

集成电路、功率半导体、衬Ti去除、Recycle清洗底材料、硅基微型显示预清洗、去胶清洗、氮化硅去除、硅，碳化硅，硅基氮化镓

金属去除(Co,Ti)、Recycle清洗、抛光后清洗、Epi

前全自动槽式清洗机GAMASeries集成电路、衬底材料、化合物半导体、功率半导体6/8吋8/12吋立式/卧式管舟清洗机BpureSeries石英管/舟、石英板、点火炮、基集成电路、功率半导体、化合物半导体、科研领域石英、碳化硅座等零部件浸泡式清洗EGCSeries面板尺寸：适应

G4.5～

G10.5面板产线的Panel

规格边缘光检缺陷率：＜0.01%TFT-LCD

生产过程中对磨边后的液晶面板进行清洗面板清洗机27资料：公司官网，公司公告，中邮证券研究所半导体设备全部品类零部件整体市场情况占半导体设备市场比例分类国际主要企业国内主要企业国产化率技术突破难度金属类：京鼎精密、

金属类：富创精密、靖江先锋、作为应用最广，市场份额最大的零部件类别，具体品类繁多，主要产品技术已实现突破和，应用于高制程设备的产品技术突破难度仍较高品类繁多，国内已出现发行人等进入国际半导体设备厂商的供应商，整体国产化率相对较高，但高端产品国产化率较低Ferrortec等托伦斯、江丰电子（少量产品）等机械类12%6%非金属类：Ferrotec、Hana、中国台湾新鹤、美国杜邦等非金属类：菲利华（石英零部件）、神工股份（硅部件）等对于核心模块（射频电源等），

国内企业尚未进入国际半导体设备厂商，少量应用于国内半导体设备厂商，主要应用于光伏、LED

等泛半导体设备，国产化率低，高端产品尚未国产化AdvancedEnergy、

英杰电气、北方华创（旗下的设备中作为控制工艺制程的核心电气类MKS等北广科技）等部件，技术突破难度较高京鼎精密、BrooksAutomation、品类较为繁多，国内已出现发行人等进入国际半导体设备厂商的供应商，大多富创精密、华卓精科（双工机品类繁多，部分产品已实现技术突破，但产品稳定性和一致性与国外有差距，技术难度适中机电一体类8%9%1%Rorze、

ASML（自

台）、新松机器人（机械手）、

品类国内厂

商主要供应国内半导体设备产双工机台和浸液系统）等京仪自动化（温控系统）等厂商，整体国产化率不高，功能复杂的高端产品未国产化品类较为繁多，少数企业通过自研或收购部分产品已进入国际半导体设备厂商，整体国产化率处于中等水平，大部分品类的高端产品未国产化气体/液体/真空系统类富创精密、万业企业（收购的Compart

System）、新莱应材、沈阳科仪、北京中科仪等品类繁多，部分产品已实现技术突破，但产品稳定性和一致性与国外有差距，技术难度适中超科林、Edwards、Ebara、MKS等国内企业通过收购进入国际半导体设备厂商，国内企业自研产品仅少量用于国内半导体设备厂商，由于产品成本占比较低，国内企业主要以采购进口产品为主，国产化率低，高端产品尚未国产化北方华创（旗下的七星流量计）、万业企业（收购的Compart

System）等仪器仪表类对测量的精准度要求极高，国产化率低，技术突破难度较高MKS、Horiba等对光学性能要求极高，鉴于光刻北京国望光学科技有限公

司、

国内企业尚未进入国际半导体设备厂商，

设备国际市场高度垄断，高端产Zeiss、Cymer、光学类8%长春国科精密光学技术有限公司等已少量应用于国内光刻设备，国产化率品一家独大，国内光刻设备尚在发展，相应配套光学零部件国产化率低，技术突破难度较高ASML较低，高端产品尚未国产化资料：富创精密招股说明书，芯谋研究，中邮证券研究所28公司电子元器件：射频+流量计两大类布局图表22：公司旗下北广科技与七星流量计的产品布局电视发射设备流量控制电视发射设备主要包括模拟电视发射机、数字电视发射机和转发器三种，产品系列化、模块化设计，涵盖10W-10kW大中小各个功率等级CS系列质量流量控制器&流量计：CS系列产品采用了国际领先的技术,申报并获得66项国家专利,其中PCT2项,发明专利24项。D07系列质量流量控制器&流量计：质量流量控制器(MFC)质量流量计(MFM)属于一种工业自动化仪表，

D07系列MFC/MFM为模拟量程，具有不因温度和压力的波动而失准、重复性好、自动测量控制、工作压力范围宽等特点。中短波广播发射设备DS系列质量流量控制器：DS系列MFC是压力式数字型产品，为气体质量流量的控制、测量提供了高准确度及高可靠性。在SW发射机产品领域，北广科技拥有30/50/100/150/300/500kw系列发射机，可工作频率范围：3.2MHz～22MHz（3.9MHz～26.1MHz可选）压力控制PC系列压力控制器产品是基于CS系列产品先进技术研发的，其各项技术指标均严格按照SEMI标准，具有精度高，响应快，重复性好，使用便捷，易于通讯，扩展性和可兼容性强等优点。调频广播发射设备主要包括调频立体声发射机和CDR数字音频广播发射机，产品系列化、模块化设计，涵盖10W-20kW大中小各个功率等级，冷却方式包括风冷和液冷显示仪&积算仪流量显示仪和积算仪用于为气体质量流量控制器

(MFC)和质量流量计(MFM)

提供工作电源、操作控制、流量设定和流量数字显示和累计流量等，分为单通道及多通道，具有多个通道的流量显示仪可以配多个MFC/MFM，它们可以相互独立地工作。功率源产品近几年为国内外科研机构提供了大量的固态功率源产品，包括整机、功率放大器、等，已经应用于全球多个国家和地区的粒阀门管件磁流体密封传动装置气路系统子、同步辐射光源等大型试验设备资料：北广科技官网，七星流量计官网，中邮证券研究所29多次股权激励：长效激励构筑坚实人才基础◼

通过多期股权激励计划的实施，有效增强了核心管理团队和技术团队的责任感和获得感，激发了积极性和创造性，相较前两次股权激励，2022年股权激励的规模更大，人员覆盖范围更广。2023年上半年公司完成了2022年股票期权激励计划预留部分的授予。图表23：公司历次股权激励计划2018年股权激励2019年股权激励2022年股权激励450万份股票期权，行权价格69.2元/股；

1310万份股票期权，450万份股票期权，行权价格35.36元/股授予价格450万份第一类限制性股票，授予价格34.6

首次1050万份，预留260万份，元/股授予价格160.22元/股限制性股票：公司董事及高管9人（71万份）子公司高管及业务负责人79人（379万份）股票期权：股票期权：核心技术人员777人（960.3万份）管理骨干63人（89.7万份）预留部分（260万份）授予对象

核心技术人员275人（360.25万份）管理骨干66人（89.75万份）股票期权：核心技术人员284人（358.45万份）管理骨干72人（91.55万份）当年营收增长率不低于可比公司（全球半导体设备厂商销售额TOP5）算术平均增长率；当年研发投入营收占比不低于可比公司算术平均比例；以2017年为基数：以2018年为基数：当年营收基于2017年年均复合增长率

当年收入基于2018年年均复合增长率≥25%、EOE≥12%，研发支出占营收

≥25%、EOE≥12%，且上述指标都≥对标比例不低于8%，且上述指标都≥对标

企业75分位；行权条件预计摊销当年专利申请数量≥500件；企业75分位；当年专利申请不低于200件。当年研发支出占总营收比例不低于8%；当年2020年专利申请不低于200件。三年内EOE算术平均值不低于16%；三年内利润率算术平均值不低于8%。2018-2022：0.18/0.36/0.28/0.15/0.05亿元2020-2024：3.0/3.5/1.9/0.8/0.1亿元2022-2026：3.1/5.7/4.4/2.6/1.4亿元资料：公司公告，中邮证券研究所30三国内未来255.1万片/月（折合12吋）待扩产，以及先进封装等驱动订单增长31半导体设备市场规模：预计2030年1400亿美元销售额◼

据WSTS统计，预计到2030年，全球半导体市场规模有望达到万亿美元。半导体设备的市场景气度与半导体市场规模高度相关。根据SEMI统计，全球半导体设备销售规模从2010年395亿美元增长到2022年1074亿美元，预计到2030年全球半导体设备销售额将增长至1,400亿美元。图表24：全球半导体设备销售额及增长率情况150050%40%30%20%10%0%1400中国大陆中国台湾韩国5%6%13501200105090075060045030015002022年全球半导体设备销售情况26%25%8%10%北美10741026日本20%欧洲870其他地区712645598566435412395369375

365316-10%-20%-30%2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023E2030E销售额（亿美元）增长率（%）资料：SEMI，中国国家发展和改革委员会，金融界，富创精密招股说明书，中邮证券研究所322023E全球晶圆厂设备支出840亿美元，2024年复苏◼

美国加州时间2023年9月12日，SEMI在其最新的季度《世界晶圆厂预测报告》World

Fab

Forecast中宣布，源于芯片需求疲软以及消费和移动设备库存增加，预计2023年全球晶圆厂设备支出将同比下降15%，从2022年的995亿美元的历史新高降至840亿美元，2024年将同比反弹15%至970亿美元。◼

从全球芯片投资Capex看亦如此，由于2021到2022年全球集成电路投资过热和2023年全球经济不景气，2023年全球芯片投资Capex同比2022年降低23%，预计2024年开始复苏。◼

2024年晶圆厂设备支出的复苏将在一定程度上受到2023年半导体库存调整结束以及高性能计算（HPC）和存储器领域对半导体需求增强的推动。图表25：全球芯片生产总投资Capex及增速图表26：全球晶圆厂设备支出及增长率情况1800165015001350120010509007506004503001,7601,682

20%

150050%1,6041,5241,51115%1,363135042%99540%30%20%10%0%1,38010%

120010509%6%9705%9138401%0%90075016%64315%9%-10%

600450-20%

300150-23%-10%-20%150-15%0-30%02021

2022

2023F

2024F

2025F

2026F

2027F2020

2021

2022

2023E

2024F全球晶圆厂设备支出（亿美元）

增速（%）全球芯片生产总投资（亿美元）增速（%）资料：SEMI

2Q23，中微公司，中邮证券研究所资料：SEMI

3Q23，中邮证券研究所33半导体设备扩张：应用与地区分析◼

Foundry继续引领半导体行业扩张：✓

SEMI预计Foundry将在2023年引领半导体扩张，投资490亿美元，增长1%。随着对前沿和成熟工艺节点的投资持续，2024年支出将增长5%，达到515亿美元。✓

预计2024年Memory支出将强劲回升，在2023年下降46%后，将增长65%，达到270亿美元。✓

预计2023年MPU投资保持平稳，2024年增长16%至90亿美元。图表27：按部分应用拆分晶圆厂设备规模预测（亿美元）（不完全统计）100080060040020009012178MPU60150110DRAMNAND515490Foundry/Logic2023F2024F资料：SEMI，中邮证券研究所图表28：2024F全球各地区晶圆厂设◼

中国台湾地区继续引领设备支出：SEMI预计2024年，中国台湾将保持全球晶圆厂设备支出的全球领先地位，投资230亿美元，同比增长4%。预计韩国将位居第二，2024年的投资估计为220亿美元，比2023年增长41%，反映出存储器领域的复苏。备市场支出占比预期中国台湾3%7%24%韩国8%◼

由于出口预计将在尖端技术和外国投资方面的支出，中国大陆美洲2024F全球预计2024年，中国大陆将以200亿美元的支出位居全球设备支出的第三位，比2023年的水平有所下降。预计中国大陆foundry和晶圆厂设备支出14%970亿美元欧洲和中东地区

IDM将继续投资于成熟工艺节点。23%◼

预计2024年美洲/欧洲和中东地区/日本/东南亚晶圆厂投资额分别达140/80/70/30亿美元。日本21%东南亚资料：SEMI，中邮证券研究所34全球晶圆厂设备分类占比：薄膜/刻蚀占比23%/22%图表30：2022年全球薄膜设备分类市场规模（百万美元）及占比（%）总薄膜设备市场规模：22,790百万美元图表29：2022年全球晶圆厂设备分类市场占比14%8%原子层沉积3,116炉管CVD3%3%1,9204%23%5%17%3%镀铜

1,20532%等离子体CVD7,27722%物理溅射4,9508%外延1,8698%总市场规模：100,6