单片机原理与控制技术试题及答案

《单片机原理与把握技术》试题姓名 成绩分数得分评卷人一、填空题〔130分〕总线是用于传送信息的公共；数据总线DB;地址总线AB;把握总线CB;1665536(64K)字节的存储单元。堆栈操作无论是存入或取出数据，必需遵循先进后出”和“后进先出的原则。80C51的存储器可以分为三个不同的存储空间，分别是64KB程序存储器ROM64;KB外RAM(外部数据存储器);256;B内RAM;〔包括特别功能存放器〕内部数据存储器。80C51内RAM可以分成三个物理空间，分别是工作存放器区00H-1FH;位寻址区20H-2FH;数据缓冲区30H-7FH。80C51单片机复位的条件是使RST2个机器周期以上的高电平。复位后：PC=0000H;SP=07H;P0-P3=FFH。80C51进入待机状态的方法是PCON中IDL1退出待机状态的方法是中断恳求被响应或复位。机器周期是80C51单片机工作的根本定时单位，简称机周。一个机器周期含有12个时钟12MHz1μS。均需先写入“1”用作输出时，P0口应外接上拉电阻。CPU不执行访问外RAM指令〔MOVX〕时,ALE1/6的固定频率输出。80C51I/O口从外RAM存储空间扩展，从理论上讲，最多可扩展64000个。数据指针DPTR16位的特别存放器，由8位存放器DPH、DPL组成。得分评卷人二、多项选择题〔220分〕属于RAM特性的是〔A,E,F 〕；属于ROM特性的是〔B,C,D 〕。ABCDEFGHI读存放器某一单元必需具备的条件有〔A,B,D 〕J“高阻”态；KLM当PSW=10H时，R6的字节地址为〔C 〕。N06H;O0EH;P、16H;Q1EH.80C51存放当前指令地址的存放器是〔C〕RSTUV80C51指令按指令长度分类有〔A,B,C 〕。W、1字节指X、令；Y2字节指ZAA3字节指BBCC4字节指DD80C51指令按指令分类执行时间分类有〔A,B,D 〕。EE1机周指FFGG2机周指HHII3机周指JJKK4机周指LL80C51汇编语言指令格式中的非必需项有〔A,C,D 〕。MM、标NNPPQQ以下指令中划线局部操作数属于存放器寻址方式的有〔B,C,D 〕。RR、MOV 30H, Acc SS、MOV 30H, C ;30H,R0;UUMULAB;以下指令中可能转变Cy的有〔A,B VV、DA AWW、INC XX、CPL A;;;YY、RLC A以下指令中〔ZZ、PUSHAAAPOP;A,E〕是合法指令，〔B ;@R1;B,C,D〕是非法指令。BBBPOPDDDSWAPA ;Acc ;A ;得分评卷人三、连线题〔510分〕按性能对以下ROM对应画线。MaskROM 由用户一次性写入，写入后，不能更改。OTPROM 由用户写入，电可擦除，可反复屡次使用，价格低廉。EPROM 有生产厂商写入，用户不能擦写，不能更改。EEPROM 由用户写入，紫外线擦除，可反复屡次使用。FlashROM 由用户写入，电可擦除，可反复屡次使用，价格较高。按把握作用对以下引脚对应画线。ALE 外ROM读选通信号。PSEN 外RAM读选通信号。EA 低八位地址锁存信号。WR 内外ROM选择信号。RD RAM写选通信号。得分评卷人四、编程题〔2040分〕请按以下要求传送数据：[设内RAM(20H)=ABH, 外RAM〔4000H〕=CDH, ROM(4000H)=EFH]内RAM20H单元数据送外RAM20H单元；内RAM20H单元数据送外RAM2023H单元；外RAM4000H单元数据送内RAM20H单元；外RAM4000H单元数据送外RAM1000H单元；ROM4000H单元数据送外RAM20H单元；按以下要求编程。R7内容送R6中；RAM50H单元内容送内RAM50H单元；RAM1000H单元内容送外RAM2023H单元；ROM1000H单元内容送外RAM8000H单元；A4位与B4位互换；30H31H数据相加，和〔<256〕32H;《单片机原理与把握技术》试题答案及评分标准〔仅供参考〕一、填空题〔120分〕公共；数据总线DB;地址总线AB;把握总线CB;65536(64K);“先进后出”和“后进先出”栈顶；64；ROM;64;RAN;256;RAM;工作存放器；00H-1FH;位寻址；20H-2FH;数据缓冲；30H-7FH;RST;2个机器周期以上的高电平；0000H;07H;FFH;PCONIDL1；中断恳求被响应或复位；根本定时；12；1；“外接上拉电阻；不执行访问外RAM指令〔MOVX〕;1/6;RAM;64000;16;8位存放器DPH、DPL;二、多项选择题〔240分〕12345678910A,E,FB,C,DA,B,DCCA,B,CA,B,DA,C,DB,C,DA,BA,EB,C,D三、连线题〔416分〕按性能对以下ROM对应画线。MaskROM 由用户一次性写入，写入后，不能更改。OTPROM 由用户写入，电可擦除，可反复屡次使用，价格低廉。EPROM 有生产厂商写入，用户不能擦写，不能更改。EEPROM 由用户写入，紫外线擦除，可反复屡次使用。FlashROM 由用户写入，电可擦除，可反复屡次使用，价格较高。按把握作用对以下引脚对应画线。ALE 外ROM读选通信