GBT 33768-2017 通信用光电子器件可靠性试验方法

通信用光电子器件可靠性试验方法Reliabilitytestmethodforoptoelectronicdevicesusedi2017-05-31发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局I前言 12规范性引用文件 13术语和定义 14一般要求 14.1试验类型 14.2试验设备 14.3试验环境 24.4抽样方案 24.5试验报告 25详细要求 35.1符合性试验 35.1.1光电特性 35.1.2外形尺寸 45.1.3外部目检 45.2机械完整性试验 55.2.1机械冲击 55.2.2变频振动 65.2.3热冲击 75.2.4光纤扭力 85.2.5光纤侧向拉力 95.2.6光纤拉力 95.2.7引脚牢固性 5.2.8连接器插拔耐久性 5.2.9受力传输 5.3环境试验 5.3.1高温贮存 5.3.2低温贮存 5.3.3温度循环 5.3.4恒定湿热 5.3.5抗潮湿循环 5.3.6高温寿命 5.4物理特性试验 5.4.1内部水汽含量 5.4.4ESD抗扰度 Ⅱ5.4.5芯片剪切力 275.4.6可焊性 285.4.7引线键合强度 5.4.8可燃性 参考文献 ⅢGB/T19001质量管理体系要求2除非另有规定，所有试验应在下列标准大气条件的环境中进行：——温度：15℃~35℃;——相对湿度：45%～75%;分立的光电子二极管，试样应从最少3批经过筛选步骤的产品中随机抽取；对于光电子组件，应从一个批次或若干批次(不超过一个月)的产品中随机抽取。批量数应太于抽取的试样数量。抽样方案见表1[4]。通常规定批允许不合格品的百分数(LTPD)值是10或20,对应的试样数量是22或11。在LTPD值等于10时，最初的22个试样中若发现1只不合格的试样，第二次应重新抽取16只试样进行试验(应在第一次抽样的批次中抽取),如果在第二次抽取的试样中没有不合格的试样，认为意品中的38个试样有1只不合格，达到了LTPD为10的标准；同样，LTPD为20时，如果最初的1只试样中发现1只不合格的试样，第二次应重新抽取7只试样进行试验(应在第一次抽样的批次中抽取),如果没有发现另外不合格的试样，那么,就达到了LTPD为20的标准。但抽样次数不得超过2次。732允许的失效试样数少试样数SS058182M3456789无论采用任何一种试验项目以及方法进行试验，应根据实际的试验条件下进行试验所得到的数据编制试验报告，试验报告应至少包含以下内容：a)试样型号和数量；3——偏置电压：正常工作偏置电压、正常工作偏置电压增加5%、正常工作偏a)将试样放入高低温循环试验箱，按5.1.1.3在规定3种试验温度下分别施加所规定的偏置电压指标变化量超过20%,或发送光电子器件光功率变化量大于1.0dB,或接收光电子器件灵敏4b)试样在最高工作温度下，不同偏置条件下或不同驱动电流时光电特性不满足规定的特性 ——器件密封处：采用7倍～10倍显微镜；5在1.5倍～10倍的显微镜下对试样表面进行检查，密封试样应在7倍～10倍的显微镜下检验，其他外部检验应在10倍的显微镜下进行。c)焊料或其他外来物质使引线之间或焊接区之间的绝缘间距减少到小于引线间距(对于焊接引线为焊接区的间距)的50%,在任何情况下，这个距离都不能小于引线自身最小轮廓线径 冲击脉冲的基频5倍以上的传感器。 加速度峰值：(300±100)g(模块)或(500±100)g(器件和组件) 按以下程序进行试验6试验完成后，在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的外部进行检查。在放大10倍～20倍下c)主要光电参数指标变化量超过20%,或发送光电子器件光功率变化量大于1.0dB,接收光电 7c)试样在振动台上作等幅简谐振动，其振在向下变频率时，控制振幅大小，向上变频率时，控制峰值加速度值。振动频率在20Hz~2000Hz范围内近似对数变化。从20Hz～2000Hz,然后从2000Hz回到20Hz的时间应d)在X₁、Y₁、Z₁的三个方向上(见图1)各进行4次循环，总共12次。整个周期所需时间至少为试验完成后，在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的外部进行检查。在放大10倍～20倍下——能为工作区提供并控制达到规定温度，并且热容量和液体流量能使工作区在该温度范围内，水(沸水和冰水混合物)是可采用的介质。由于海拔的原因8按以下程序进行试验：a)试验前对试样的主要光电特性进行测试。b)将试样放于试验槽中，液体在试样周围的流动不应受到阻碍。c)试样放在高温中保持5min后，再将试样放入低温中保持5min;试样应在2min内达到规定的温度；从高温到低温，或从低温到高温的转换时间不得超过d)按照c)步骤进行15次循环。完成试验后，在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的标识进有检验；在放大10倍～20倍的情况下，对外壳引线或密封部位进行检验；并对试样主要光电特性进行测试。评估在安最和使用时，光电子器件带展纤的部分在通受到外部扭动力时的抗扭动的能试验设备为能对尾纤施加2.46N~156的力并且在与力垂直方向作正、负”旋号的光纤扭力设备。试验条件如下： 尾纤来端施加女：4.9N(对于紧套或松套光纤),9.8N(对于加强型死纤) ——正、反方向循环各10次按以下程序进行试验：a)试验前对试样的主要光电特性进行测试；b)将试样放置在扭力设备的适当位置上，使尾纤在扭动时不会受到阻碍；e)在距光电子器件尾管3cm处固定夹具，给尾纤末端施加规定的力，同时水平旋转夹具，使光纤向正方向旋转90°,然后回到0°,再向相反方向旋转90°,再回到0°,循环10次。完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：9 a)试验前对试样的主要光电特性进行测试；b)将试样放置在拉力设备的适当位置，使尾纤在拉动时不会受到阻碍；c)依据规定给尾纤末端施加一个规定的力，并持续1min。试验设备如下：a)接伸：有适当的夹具来固定试样并能施加拉伸力的装置，c)玻劳有固定试样的装置，买具、支架分工具，能按规定的弯曲角度重复施加需曲应力的装置；d)扭矩：有固定试样的装置、夹具卡具和扳手，或既能施加扭矩力又不妨碍引脚运劲的装置。试验条件如下：—批伸：轴线方向上施加2.25N的力，并保持至少30s 弯曲：易弯曲引脚在离密封处(3.05上0.7)mm的弯曲角度至少应为45°双列直插封装引脚应向内弯曲；针栅阵列封装引脚应在对边外侧的一列弯曲15°; 疲劳：双列直插封装、扁平封装和同轴封装引脚应施加(0.83±0.09)的力 扭矩：圆形截面引线，以引脚为轴，施加扭矩至少15s。矩形截面引脚，在引脚离器件本体按以下程序进行试验：a)拉伸；对试样的每条引脚的轴线方向上施加拉力，在加力的过程中应避免冲击，尽量在引脚的末端施加力，持续时间大于30s。b)弯曲：每条试样引脚应在最易弯曲的方向上弯曲。若无最易弯曲方向，可在任意方向弯曲。引脚弯曲时不应影响其他引脚。如果影响不可避免，试验引脚就按规定角度相反的方向弯曲，然后再恢复到原来的位置。排列成行的引脚可以一次弯曲一行。e)疲劳：双列直插封装按弯曲试验条件承受3次循环。扁平封装和金属管壳封装应施加力，作3次弧形弯曲。单根引脚各次弯曲应在同一个方向和平面上，一个弯曲过程应在2s～5s内d)扭矩：圆形截面引脚器件应固定器件本体，以引脚为轴，在受试引脚上按试验条件无冲击地施加扭矩。矩形截面引脚器件应固定器件本体，在以引脚轴为轴，顺时针方向和逆时针方向各施 b)试验前测试试样并记录光电特性数据c)每插拔50次后测试并记录一次光电特性数据并清洁插针体及适配器的弹性套筒，共插拔200次。——施加力的大小和角度如表2所示；——施加一次力至少持续5s。√√√√√c)首先加载(表2规定的角度和力),0°角度和2.45N力到连接器上，至少持续5s; b)把试样贮存在规定试验条件的 能在加载最大负荷时，热容量和空气的流量以保证使工作区和试样达到规定试验条件的试 循环温度：-40℃~+85℃; d)完成规定的循环后，把试样从试验箱移出放置24h,使之达到标准测试条件后进行光电特性由于电源或设备故障原因，允许中断试验。如果中断的循环次数超过规定循环的总次数的10%时间≤12.5min完成试验后，在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的标志进行检验；在放大10倍～20倍情完成试验后，试样出现5.2.1.6a)、b)、c)中情况之一判为失效。5.3.4恒定湿热本试验的目的是测定光电子器件承受高温和高湿的能力，以及高温和高湿对器件的影响程度，保证光电子器件的长期可靠性。试验设备为在加载最大负荷时能为工作区提供和控制规定的温度、湿度、热容量和空气流量的试验箱。试验条件如下：——温度：+85℃;——湿度：85%RH;——保持时间：500h(不加偏置)或1000h(加偏置);——规定的偏置电压或电流(适用时)。按以下程序进行试验：a)试验前对试样的主要光电特性进行测试；b)将试样放进试验箱内，其摆放位置不应妨碍试样四周空气的流动；c)试样在规定条件下连续完成规定的试验时间。试样完成试验后，在室温环境条件下放置24h,然后对其主要光电特性进行测试和目检。测试应在移出试验箱48h内完成。——在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的标志进行检验；——在放大10倍～20倍情况下，对外壳引线或密封部位进行检验。完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)标志全部或部分脱落、褪色和模糊；b)封装金属零件的镀层被腐蚀、起泡和明显变色；c)试样基材或外包材(如封帽，引线，封套等)腐蚀面积超过5%,或贯穿性腐蚀；d)引线损坏或部分分离；e)5.2.1.6b)或c)中规定要求。5.3.5抗潮湿循环采用温度和湿度循环来提供一个凝露和干燥的交替过程，使腐蚀过程加速，并使密封不良的缝隙当有要求时50为了避免湿度接近100%时的读数困难，允许采用100%RH。但实际工作时要防止操作箱中出现凝露cc10次循环中，到少5次循环器件要进行第7步第一次循环之间——循环：按图4进行20次连续循环。当有规定时，可进行10次连续循环；c)完成规定的循环次数之前(不包括最后一次循环),如发生了不多于1次的意外的中断试验(如电源中断或设备故障),可重复一次循环，试验继续进行；若在最后一次新进行试验。在10次循环中，至少有5次进行低温子循环。在低温子循环期间，试样应在-10℃和不控制湿度的条件下，至少保持3h。d)在低温子循环后，将试样恢复到25℃,相对湿度至少为80%,并一直保持到下一个循环的试样完成试验后，在室温环境条件下放置24h,然后对其主要光电特性进行测试。测试应在移出试验箱48h内完成。在不放大或放大不超过3倍情况下，对试样的标志进行检验；在放大10倍～20倍情况下，对外壳d)使用监视仪器，从试验开始到结束监视试验温度和工作偏置，以保证全部试一般每168h在常温下测试一次光电特性。在测试前应先去掉偏置，然后冷却到室温后进行测试。完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)标志全部或部分脱落、褪色和模糊；5.4物理特性试验测定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。试验设备如术：——具有检测出6.01cm°封装体积内水汽含量小于2.5×10—以下灵敷度(偏差为±20%)的质——具着真室传递通道与质谱仪和在通的开口真空箱——烘烤温度：(10045)C.——烘考时间：121>24h,烘烤时用泵抽—质增仪真空度小于或等于0.67kPE按以下程序进行试验：a)试样应先进行密封性试验，并且不应存在可能影响水汽含量测定糖确度的任何表面的沾污；b)将被测试样放量在开口真空箱中，用泵抽气并在(100±5)℃的温度下典烤12h～24h;c)利用开口真空箱内或传递通通内刺穿装置刺穿试样外壳或盖板(不降低质谱仪的真空度和不破坏壳体内的密封媒质)使试样内部气体逸出，进入真空箱体和质谱仪。用质谱仪测量释放气体的特性：a)刺穿试样封装释放气体时箱内压力将增加。若增压小于封装体积的正常增压的50%,则以下情况的测量为无效测量：——没有完全刺穿试样；——试样的壳体不密封；——封装内部未包含常规的内压；b)释放气体的水汽含量，按总气体含量的比例计算(按容积);按体积计其含量大于1%的气体都应测量和列出报告。试样中，水汽含量大于5000ppm(容积0.01cm³~0.85cm³)。 ——1.5倍～30倍的放大镜；——如表3所示指示用碳氟化合物液体；特点沸点/℃25℃时表面张力/(N/m)25℃时密度/(gm/mL)125℃时密度/(gm/mL)绝缘强度/(volts/mil)残余物/(μgm/gm)——粗检漏条件：按表5中规定的条件对试样加压；指示液体温度125℃±5℃;浸入深度5cm;表4用于细检漏的条件内腔体积V压力加压时间h停顿时间h21517士1241211按以下程序进行试验：a)细检漏程序加用十去除压力进把每个试样移到与抽真空系统和质谱检漏仪连接在一起的密封量；当对密封室抽真空时，原先压人试样内的氨气将会逸出，并由检漏仪检测，从而得到测量十从真空/压力室内取出试样到假后一个器件的检漏试验应在1于内完成。b)粗检漏程序将量样放入真空压力箱内，抽真学至水字或等于0.67KPa,并保持至少30mn。对内腔体积大于或等于0.1cm²的器件，排电空的过程可以省略，在真型/压力箱注人液体，然后按表5中规定的条件对试样加压；——加压结束后，去压力，试样仍需浸在液体中20s以上(可以在另一容器中。试样移出浸泡液体后，应在空气中至少干燥(2±1)min,然后浸入(125±5)②的指汞用液体中；一应将词样顶部至少浸入液面深度5cm。可以一次浸入一个武样，或同时浸入一组试样，但在后一种情况下应保证能清楚地看到从被检漏的一组试样中的任何一个试样冒出的气泡及其部位一应在从浸入起，至少观察试样30表5粗检漏加压条件8421先进行细检漏，后进行粗检漏。若按细检漏条件或粗检漏条件进行批次试验(即在检漏仪中每次放置一个以上的试样)时，只要出现失效情况，就应认为该批失效。完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)细检漏程序：不满足表4试样封装内腔体积规定的相应失效极限值。b)粗检漏程序：从同一位置出来的一串明显气泡或两个以上大气泡。确定光电子器件受静电放电(ESD)作用所造成损伤和退化的敏感性。——ESD脉冲模拟器的等效电路图(人体模型电路图[2])如图5所示和ESD脉冲波形(ESD人体脉冲波形图[2])如图6所示；R2S1——高压继电器；S2——常闭开关。图5ESD脉冲模拟器的等效电路图a)室温下，每一个试样都应按表6所示的引线组合，从最低档开始，施加3个正脉冲，3个负的脉冲。脉冲之间应至少有1s的延迟；b)试验引脚的组合： 将试样的地引脚接到B端，其他每条引脚依次接到A端。除了进行试验的一条引脚和地引脚以外其余所有引脚开路； 将所有电源引脚的不同组合连接到B端，其他每条引脚依次接到A端。除了进行试验的一条引脚和电源引脚或电源引脚组合外，所有的其他引脚都开路； 将每条输入和输出引脚依次接到A端，其余的所有输入和输出引脚组合接到B端。除了被试验的输入或输出引脚和其余的输入和输出引脚组合外，其余所有的引脚都开路。表6试验引脚的组合(分别将每一条引脚连接到A端而其他的悬空)(所有同类名称引脚的公共组合连接到B端)1除了电源引脚外的所有引脚2除了地引脚外的所有引脚3按以下程序进行试验：a)分立的光电子二极管(激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管等),试样应从最少3批经过筛选步骤的样品中随机抽取6只进行试验；对于光电子组件，可用一个批次或若干批次(不超过一个月)的样品随机抽取6只进行试验；b)试验前应对试样的主要光电特性进行测试；c)试样在试验前和试验期间都应处于室温下。试验可从任何一个电压大小档开始，对于有恢复效应的试样，包括有放电保护的试样，应从最低电压档开始；d)在失效电压档下，重新对一个新的试样进行试验，消除累积损伤效应，有可能通过该电压档；e)如果任何一档电压有试样失效，则应该用下一档较低电压进行试验；f)试验确定的ESD阈值电压按表7进行评定。1B级3B级试验完成后，试样应在室温环境条件下放置1h,并对试样主要光电特性进行测试。确定光电子器件遭受从人体到光电子器件之间可能发生静电放电时的性能。a)能够产生如图7中波形的静电放电发生器，其静电放电发生器简图如图8所示[2];b)接触放电电极如图9所示；c)空气放电电极如图10所示。C单位为毫米图10空气放电电极空气放电121224243638484a)试验前应对试样的主要光电特性进行测试。b)试样正常工作时，在试样可能被接触的d)静电放电发生器的放电回路电缆与试样的距离至少应保持0.2m。g)放电间隔时间至少1s。检测要求如下：a)应对试样分别进行接触放电和空气放电两种方式；b)按表8的静电等级进行检测；c)试验后应对试样的主要光电特性进行测试。5.4.4.6失效判据完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)5.2.1.6b)或c)规定要求，b)如有要求时，按照武样的运行系件和功能规范进行判别?1)功能或性能降低或丧失(能够自行恢复除外);2)试样的软件损环或数据丢失。5.4.5芯片剪切力通过对光电产器件的芯开所加力的测量，观察在该力作用下产生的关效类型(如塞出现失效)以及残留的芯片附着时料和基开了管座金属层的外形，来确定光电子密作的感压和安装在管座或翼他基片上所使用材料和工艺的完整性试验设备应包括带看杠打诗的圆形测力计或线性运动测力，其精确度应达到满刻度的±5%,同时应具有下述能力a)应能把力离匀地加到芯片的一条校边上的接触工具；b)应能债芯片接触工具与管座或衬底上安放芯片的平面垂直；c)芯片接触工具与管座/基片夹具具有相对旋转能力，有利于与芯片边滤线接画，使对芯片加力的工具从一端到另一端接触芯片的整个边沿；d)一台放大倍数至少为10倍的双目显微镜，其照明应有利于在武验过程中对芯片与芯片接触工具的界面进行观察试验条件如下：——加力方向与管座或衬底平面平行；——芯片接触工具与固定芯片的管座/基片垂直。按以下程序进行试验：a)用测力计进行试验时，加力方向应与管座或衬底平面平行，并与被试验的芯片垂直；b)用芯片接触工具在与固定芯片的管座或衬底基座垂直的芯片边沿施加力；c)在与芯片边沿开始接触之后以及在加力期间，接触工具的相对位置不得垂直移动，以保证与管座/基片或芯片附着材料一直保持接触。对芯片施加足以能把芯片从固定位置上剪切下来的力，或等于如图11所示，规定的最小剪切力的两倍(取其第一个出现的值)。芯片面积×10*mm²图11最小附着力与芯片附着面积的关系完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)对于环氧胶粘，附着区面积包括附着在芯片区域内的不离散的残余材料的面积：——施加的力达不到图11中1.0倍曲线所表示的芯片强度要求；——施加的力达不到图11中最小附着力的2.0倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的75%;b)对于共晶焊接或其他附着方式，附着区面积包括附着在芯片区域内的不离散的残余材料面积，以及金属玻璃附着的封装材料面积：——施加的力达不到图11中1.0倍曲线所表示的芯片强度要求；——施加的力达不到图11中最小附着力的1.25倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的50%; 施加的力达到图11中最小附着力的2.0倍时，同时底座上保留有芯片附着材料痕迹的区域小于附着区面积的10%。确定光电子器件引脚(直径小于3.175mm的引脚，以及截面积相当的扁平引脚)的可焊性。判断引脚被焊料涂覆时的浸润能力，或者当浸入低温锡焊料时形成适当的锡涂覆层的能力。检验在生产过程中采取的处理方法是否有利于低温焊接。试验设备如下：——焊料槽：应能容纳至少1kg的焊料，并能把焊料保持在规定的温度；——浸焊料工具：能按规定控制试样引脚出入焊料槽的速率，并控制在焊锡槽内的停顿时间(浸入到要求深度的停留总时间);——光学设备：放大倍数至少为10倍的显微镜；——无铅焊料：合金成分为Sn95,5Ag3.9Cu0.6,允许银的含量(质量分数)3.0%～4.0%,铜的含量(质量分数)0.5%～1,00。试验条件如下：——熔锡温度：(24515)C(无铅焊料——浸人角度：垂直——浸人和是起速率：(2516)mm/s;—熔锡中的停留时间，(540.5)s;(05)s(试样引脚直径大于或等于1mm)。按以下程序进行试验：a)将调样固定在漫焊料的工具上，在室温下，将试样引脚没入舞剂，试样引脚上明显的焊剂小滴b)浸焊料前，应教去熔锡表面渣和过烧的焊剂，熔锡应保持在条件规定的温度丁；将试样吊放在焊料槽上友，按规定的速率浸入、停留、提起。试样引脚垂直浸入焊料中一秋(如无法垂直放人，则需另行商议);在浸焊料的过程中，焊料应处于静止状态。c)浸焊料后，在空气中冷却然后浸入异丙醇或等效溶液来清沸试样引脚上残留的焊剂。也可用浸有异丙醇或等效溶液的棉签擦掉所有残存的焊剂d)对于镀金的引脚应用一个或两个焊料槽，进行二次浸焊剂和浸焊料处理。第一次浸入是为了验按规定进行。完成浸焊料后，放大10倍～15倍检查试样引脚上的浸焊料部分。在确认失效时，采用高放大倍数(大于60倍)进行检查。完成试验后，试样出现下列情况之一判为失效：a)试样引脚浸渍部分表面少于95%的面积覆盖有连续的新的焊料层；b)针孔、空洞、孔隙、未浸润或脱浸润超过总面积的5%;最小键合拉力极限/N最小键合拉力极限/Nc)试样中任何两个不要求相连的引脚或金属化区域之间存在焊料桥接。5.4.7引线键合强度确定光电子器件采用低温焊、热压焊、超声焊等技术键合的、具有内引线的器件内部的引线—芯片键合、引线—基片键合或内引线—封装引线键合的键合强度。试验设备如下：能在键合点，引线或外引线上施加规定应力的设备。该设备应能测量和指示外加应力，精确度为±5%或±2.45×10~³N(取较大值),测量范围应达到规定的应力最小极限值的两倍。试验条件如下：——在两键合点引线中央施加拉力，力的方向与芯片或基片表面垂直，或与两键合点间的直线垂直；——引线直径的最小键合强度如图12所示，常规直径的最小键合强度值见表9。图12最小键合强度极限值表9最小键合强度值试验所用的键合引线应从至少4个试样中随机抽取，试验样本数量是指最少应对多少键合引线进行拉力试验，而不是确定至少需要多少个完整器件样本。虽然同时涉及到两个或多个键合点，但是对于键合强度试验和计算样本数量来说，应将其看成是一次拉力试验。对于混合或者多芯片器件而言，应至少采用4个芯片，或者如果2个完整的器件尚不够4个芯片，那么应采用全部器件。在芯片下面、芯片上面或芯片周围，若存在任何导致增加其键合强度的粘附剂、密封剂或其他材料，应在使用这些材料前，进行键合强度试验。按以下程序进行试验：a)夹紧器件，在两键合点的引线下插入一个钩子，在引线中间点施加拉力，力的方向与芯片或基片表面垂直。或者与两键合点间的直线垂直；b)在引线较短的情况下，在靠近某一端切断引线，以便在另一端可以进行拉力试验；c)用适当的装置把引线固定，然后对引线或夹紧引线的装置施加拉力，其作用力大致垂直于芯片表面或基片表面；d)当出现失效时，记录引起失效的力的大小和失效类别。记录引起失效的力的大小和判断失效类别。当外加拉力小于表9或图12中规定的最小键合强度时，如果出现键合分离的情况，则判为失效。确定光电子器件所使用塑料部件的可燃性等级。试验设备如图13所示，其中燃具高度最少为(300±10)mm,金属材质，热传导性较差。图13垂直燃烧试验设备示意图(125±5)mm×(13.0±0.5)mm,最大厚度不超