集成电路实训报告

目录版图设计流程设计要求原理图设计与绘制原理图仿真版图设计DRC验证实训心得体会一、版图设计流程：设计要求设计要求原理图设计与绘制原理图设计与绘制原理图仿真原理图仿真版图设计版图设计DRC验证DRC验证二、设计要求：（说明：A,B是输入脉冲，CP是控制信号，即输出）当CP是高电平时，Y截止；当CP是低电平时，Y=A+B）ABY001101011110三、原理图设计与绘制：1、启动程序。双击VMWARE软件，打开终端，在界面上输入icfb,然后回车，进入软件工作区域；2、新建库文件。在icfb-log界面上：file/new/library,设置库名，不需要技术文件；3、新建原理图。File/new/cellview/creatnewfile窗口：设置libraryname,cellname,viewname,tool:composeschematic.然后点击确认；4、输入原理图。(1)格点设置.options/display/gridcontrol/dots,分别设置minorspacing,majorspacing,width,length；(2)象限选择。鼠标左键点击一下当前页面即可选择输入原理图所在象限。通过上下左右键可以调整当前象限状态；(3)输入：Add/instance/browse从library/analoglib,category/everying,cell/nmos,view/symbol，回到原理图输入界面，单击左键即出现nmos晶体管。循环操作，将所需器件一一选择并放好。输入信号引脚用pin按钮，在引脚上加标号时，用wirename按钮；（4）编辑元器件。a、电源VCC.add/instance/Vdc,输入以后定义直流电压为5V,并将Vdc接地和电源；b、输入信号。DCVoltage:5V,自己设定Pulsetime，Periodtime.要求输入信号A,B和控制信号CP的脉冲要使输出端Y的现象明显才行；c、晶体管。如NPN，将其定义为nvn，并定义长和宽。（5）连线要美观，整齐；（6）保存。输入后的原理图如下图(a)所示。(a)四、原理图仿真：在原理图输入界面进行仿真操作。Tools/AnalogEnviroment：setup——Modellibraries——spectre2——browse——CSMC05MC——Models——res.va.va——ok——add,模型添加成功；在用类似的方法将s05mixddst02v12.scs模型也添加上去；Analyses——choose——stoptime（选择合适的时间）——ok；Outputs——Tobeplotted——selectonschematic——单击输入输出端口——回到AnalogdesignEnviroment界面上，单击仿真按钮netlistandrun，即可出现仿真波形图。仿真后的波形图如图(b)所示。(b)五、版图设计：1、版图绘制图层：TB：N-wellTO:activeGT:PolySN:N+implantSP:P+implantW1:contactW2:ViaA1:MetalA2:MetalA3:Metal3２、版图绘制：先选择图层选项，在单击绘图按钮即可。在版图设计界面起点先左击，再终点左击一次。３、绘图要求：（以下所指的是最小距离）N阱宽度4.0uM；制作MOS管有源区的宽度1.8uM；有源区之间的间距1.8uM；N阱至N阱外N+有源区间距8.5uM；N阱至阱外P+有源区间距2.0uM；多晶宽度0.5uM；多晶间距0.4uM；P+注入包围有源区1.0uM；P+注入至P+注入间距0.8uM；N+注入包围有源区1.0uM；N+注入至N+注入间距0.8uM；接触孔大小0.5*0.5uM；接触孔间距0.5uM；有源区对有源区接触孔的覆盖0.8uM。绘制好的版图如下图(c)所示：（c）六、DRC验证：Verify/DRC,（注意：应确保在验证的库里要存在CSMC05MC文件。）如果绘图时涂层间距不符合上述要求，则涂层的边缘就会闪烁。调整涂层间距，直至再次进行DRC验证时不涂层边缘不闪烁即可。七、心得体会：通过对这门课近两个星期的学习，我的心得体会是：绘制原理图时，一定要对器件进行正确定义、标注，否则检查时将出现错；原理图仿真时，务必细心，不能缺步骤，否则仿真失败；要画好一张版图，必须熟悉各器件的基本结构及工作原理，而且要严格按照绘图要求，要细心，否则验证时将会出错；版图