GB/T 43493.3-2023半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

ICS3108099

CCSL.90.

中华人民共和国国家标准

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

第3部分缺陷的光致发光检测方法

:

Semiconductordevice—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevices—Part3Testmethodfor

pp:

defectsusingphotoluminescence

IEC63068-32020IDT

(:,)

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

光致发光法

4………………4

通则

4.1…………………4

原理

4.2…………………4

测试需求

4.3……………5

参数设置

4.4……………7

测试步骤

4.5……………7

评价

4.6…………………7

精密度

4.7………………8

测试报告

4.8……………8

附录资料性缺陷的光致发光图像

A()…………………9

概述

A.1…………………9

A.2BPD…………………9

堆垛层错

A.3…………………………10

延伸堆垛层错

A.4……………………10

复合堆垛层错

A.5……………………11

多型包裹体

A.6………………………11

附录资料性缺陷的光致发光谱

B()……………………13

概述

B.1…………………13

B.2BPD………………13

堆垛层错

B.3……………13

延伸堆垛层错

B.4………………………15

复合堆垛层错

B.5………………………15

多型包裹体

B.6…………………………16

参考文献

……………………17

Ⅰ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据的

GB/T43493《》

第部分已经发布了以下部分

3。GB/T43493:

第部分缺陷分类

———1:;

第部分缺陷的光学检测方法

———2:;

第部分缺陷的光致发光检测方法

———3:。

本文件等同采用半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测

IEC63068-3:2020《

识别判据第部分缺陷的光致发光检测方法

3:》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布结构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位河北半导体研究所中国电子科技集团公司第十三研究所之江实验室广东天

:()、、

域半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所浙江大学山东天岳先进科技股份有

、、、

限公司山西烁科晶体有限公司中国科学院半导体研究所中电化合物半导体有限公司河北普兴电子

、、、、

科技股份有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司厦门特仪科技有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人芦伟立房玉龙李佳殷源丁雄杰张冉冉王健李丽霞张建峰李振廷

:、、、、、、、、、、

徐晨杨青刘立娜杨世兴马康夫钮应喜金向军尹志鹏刘薇陆敏周少丰林志阳

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

引言

碳化硅作为半导体材料被广泛应用于新一代功率半导体器件中与硅相比具有击穿

(SiC),。(Si),

电场强度高导热率高饱和电子漂移速率高和本征载流子浓度低等优越的物理性能基功率半导

、、,SiC

体器件相对于硅基器件具有更快的开关速度低损耗高阻断电压和耐高温等性能

,、、。

功率半导体器件尚未全面得以应用主要由于成本高产量低和长期可靠性等问题其中一个

SiC,、。

严重的问题是外延材料的缺陷尽管都在努力降低外延片中的缺陷但商用外延片中仍

SiC。SiC,SiC

存在一定数量的缺陷因此有必要建立同质外延片质量评定国际标准

。SiC。

旨在给出高功率半导体器件用同质外延片中各类缺陷的分类光学检测方法

GB/T434934H-SiC、

和光致发光检测方法由三个部分组成

。。

第部分缺陷分类目的是列出并提供高功率半导体器件用同质外延片中各类缺

———1:。4H-SiC

陷及其典型特征

。

第部分缺陷的光学检测方法目的是给出并提供高功率半导体器件用同质外延

———2:。4H-SiC

片中缺陷光学检测的定义和指导方法

。

第部分缺陷的光致发光检测方法目的是给出并提供高功率半导体器件用同质

———3:。4H-SiC

外延片中缺陷光致发光检测的定义和指导方法

。

Ⅳ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

第3部分缺陷的光致发光检测方法

:

1范围

本文件提供了商用碳化硅同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法主要是通

(4H-SiC)。

过光致发光图像示例和发射光谱示例为同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的

,SiC

依据

。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

和维护的用于标准化的术语数据库地址如下

ISOIEC:

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