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文档简介

內容摘要薄膜太陽能電池發展背景、技術發展、發電原理…2,3,4薄膜太陽能電池的種類…5,6矽薄膜太陽能電池與化合物薄膜太陽能電池之差異…8,9薄膜太陽能電池之缺點…10,11薄膜太陽能電池產量成長概況…12台灣

CIGS太陽能電池概況…13,14,15,16,17結論及參考資料…18,1911

薄膜太陽能電池發展背景受到地球暖化衍生的環保問題，以及化石燃料（石油、煤炭及天然氣等）資源有限的危機所影響，利用太陽能發電成為近年來倍受各界矚目的焦點之一。22

太陽能電池技術發展第一代結晶矽（Waferbase）第二代薄膜（ThinFilmbase）第三代染料敏化太陽能電池(DyeSensitizedSolarCell，DSSC)33圖片來源:中華太陽能聯誼會44

薄膜太陽能電池的種類矽薄膜太陽能電池非晶矽太陽能電池微晶矽太陽能電池低溫多晶矽太陽能電池55

薄膜太陽能電池的種類化合物薄膜太陽能電池銅銦鎵硒太陽能電池CIGS碲化鎘太陽能電池CdTe66177資料來源:GlobalSolar資料來源：工研院太電中心資料來源：UnitedSolar7.5

矽薄膜與化合物半導體薄膜之差異

資料來源：資策會MIC，2009年1月矽薄膜主要材料矽光吸收層厚度0.2~0.5μm光吸收能力吸光範圍為1.1~1.7eV發電穩定性穩定較差，有光衰竭現象商用轉換效率5~8%成膜技術

1.化學氣相沉積(CVD)2.濺鍍(sputtering)98

矽薄膜與化合物薄膜之差異

資料來源：資策會MIC，2009年1月CIGSCdTe

主要材料銅、銦、鎵、硒化合物碲、鎘化合物光吸收層厚度<1μm1μm光吸收能力吸光範圍為1.02~1.68eV吸光範圍為1.45eV發電穩定性穩定性高，且無光衰竭現象穩定性高，且無光衰竭現象商用轉換效率10~12%8.5~10.5%成膜技術濺鍍(sputtering)蒸鍍(Evaporating)109

薄膜太陽能電池之優點非具有雄厚資金能力者無法進入，市場競爭者較少矽用料少或是不用矽原料，不受非晶矽價格影響製程數少，製程管理相對容易轉換效率提升空間大，新技術研發活動頻繁可用透明、可撓曲的基板及客製化大面積生產，應用範圍廣1110

薄膜太陽能電池之缺點投資成本昂貴，是矽晶電池模組的5~10倍硒、銦、碲等為稀有金屬，無法支應全面性量產所需轉換效率較低，所需裝置面積大大面積產品之良率及穩定性控制不易市場對碲/鎘有毒物質回收處理的可能要求1211

薄膜太陽能電池產量成長概況資料來源：PhotonInternational工研院IEK12

台灣CIGS太陽能電池概況2010年4月6日台灣

CIGS產業聯盟正式成立，成員包含台積電、友達、均豪、光洋、旺能、正峰新能源..等數十家上中下游廠商，涵蓋整個產業從材料端、製程端、設備端及系統端。1413151416

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圖片來源:GlobalSolar

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圖片來源:工研院材料所17

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圖片來源:工研院材料所18結論薄膜太陽能電池未來的明星CIGSCdTe發展困難1918參考資料黃建福,中央大學,表面

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