《半导体集成电路 低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器(LPDDR5)应用场景测试方法》(征求意见稿) 编制说明_第1页
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文档简介

《半导体集成电路低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器(LPDDR5)应用场景测试方法》编制说明电路低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器(LPDDR5)应用场景测试方法》制定项目正式立项,该项目计划号为CESA-2023-049。该标准由长鑫存储技术有内存产品LPDDR5是未来低功耗内存主流产品,其相关测试在JEDEC中没有明确的份有限公司、瑞芯微电子股份有限公司等共同开展《半导体集成电路低功耗双中国电子工业标准化技术协会2023年5月,长鑫存储技术有限公司联合中国电子技术标准化研究院、OPPO2023年7月,标准编制组召开线上会议集中讨论了草案修订过程中发现的问2023年12月,标准编制组完成征求意二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题中国电子工业标准化技术协会字眼图、冷/热重启等多个测试项目。标准编制过程中参考了多个现行可靠性测试相关的标准,以及JEDEC关于LPDDR5产品标准等。在标准内容编制过程中,调1.在LPDDR5产品应用条件下,需要关注的可靠性和稳定性相关的测试标准编制组结合现行存储器相关产品的可靠性测试标准以及车规芯片AECQ测试品研制单位长鑫公司与业内应用公司共同协商确定测试项目,作为后续LPDDR52.结合测试验证的实际情况,确定了开展可靠性试验的测试条件。由于不信号完整性相关测试要求目前在探讨过程中三、主要验证情况分析中国电子工业标准化技术协会本标准中所确定的测试项目及测试方法已在产品研制单位和用户单位开展验证分析报告数字眼图符合JEDEC长时间测试系统稳定长时间测试系统稳定中国电子工业标准化技术协会系统开启DVFS功能压力测试软件测试五、产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果六、转化国际标准和国外先进标准情况该规范主要规定了LPDDR5SDRAM产品的功能、交直流电气参数、关键时序、IDD七、与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性

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