《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》编制说明

2《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》编制说明一、工作简况，包括任务来源、制定背景（包括目的、意义）、起草单位、根据中国国际科技促进会标准化工作委员会），处理器集成在一个芯片上。这种集成性带来了巨大机械传感器与执行器、高性能互联结构和三维集成基板硅基厚金属膜制造工艺是高性能微机械开关/继电型、金属电镀、表面平整化、控制释放等通用性方现结构性和功能性金属材料的多样化异质集成与三国外以Metal-MUMPs(Meta厚金属膜制造工艺已相对成熟，与6英寸及以上标用阶段。国内厚金属膜工艺研究处于起步阶段，在2-大面积、高精度、大厚度和兼容性核心挑战3的、规范的标准，以指导这一领域的发展和应用，推动有助于促进行业内各方的合作和交流。这不仅有助于提高M业创造更多的竞争优势，推动中国半导体制造业朝着标清华大学、南方科技大学、东南大学、上海4.1.1成立标准制定工作组2023年5月，清华大学牵头成立标准制定工作组。工作4.1.2确定工作计划2023年6月，清华大学作为项目承担单位，与项目参与修订编制组编制组，初步拟定了标准编制的工作目计划于2024年3月份完成标准进行意见征求、44.1.3查询国内外相关标准和文献资料硅基厚金属膜电镀工艺技术尚无国内外相关标准在标准编写过程中，参考了《GB/T1031-2009产品几轮廓法表面粗糙度参数及其数值》、《GB/T26111-2010微机电系统（MEMS）技术术语》《GB/T28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范》、《GB/硅基MEMS制造技术基于SOI硅片的MEMS工艺规范》、《GB/T3284.1.4标准起草阶段术语和定义、工艺流程、工艺加工能力、工艺保4.1.5标准征求意见阶段2024年3月向中国国际科技促进会标准化工作委员会提二、标准编制原则、主要内容及其确定依据，修订标准时，还包括修订前后下性能演化机理与工艺调控方法以及功能性厚深入的探索，在层间结合力、金属膜厚度、厚5开展了大量工艺试验，使标准的制定更加有利于生产和本标准基于项目组多次工艺试验的基础，给程。同时，本标准参考了《GB/T32814-2016硅基MEMS制造规范》和《GB/T32815-2016硅基MEMS制造技术能力、工艺保障条件要求和安全与环境操作要求等本标准针对硅基厚金属膜电镀工艺，以工艺保障条件要求、原材料及辅助材料要求、安全与虑。标准给出了硅基厚金属膜电镀工艺的具体流相关标准保持一致。标准编制的所有阶段均遵守国家标准《G本标准技术流程基于清华大学研究团队多年来开金属膜电镀工艺试验。具体参数来源于项目研究成口预研、国家重大专项等科研项目10余项，获国家二等奖2项、国家科技进步二等奖2项，省部级奖励5扩展的硅基MEMS加工平台，开发了180项核心工艺和6程的具体工艺参数进行反复试验和效果评估，基于硅基厚金属膜电镀工艺方法，可以加工制备M片上天线在内的典型器件；利用各类MEMS器件表征模型与加工工艺，并通过反复迭代，优化器件设计三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会效2016硅基MEMS制造技术基于SOI硅片的MEMS工艺规范》和《GB/T3281型、金属电镀、表面平整化、控制释放等通用性方现结构性和功能性金属材料的多样化异质集成与三社会效益方面，硅基厚金属膜制造工艺是MEMS用于加工金属微机械传感器与执行器、高性能互联结构7抗腐蚀等优势，硅基厚金属膜制造工艺是高性能微杂微系统集成的赋能技术之一，在航空航天、军事国防和民生健康领域有十分迫切的需求。四、与国际、国外同类标准技术内容的对比情况，或者与测试的样机的有关数据对比情况五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外标准，并说明未采用国际标准的原因六、与有关法律、行政法规及相关标准的关系1、按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》七、重大分歧意见的处理经过和依据九、实施标准的要求