寄生电容寄生电容

寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容3.1概述3.2电学基础电容专题电容器的发展_储能器件电容器的应用示例_触摸屏寄生电容(本节内容)第三章电气性能的封装设计基础2由于本人工作能力和接触项目有限，希望借此机会将自己的体会与大家分享，更希望大家能提出更多更为深刻的意见!谢谢寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容寄生电容3.1概述3.1概述3.2电学基础电容专题电容器的发展_储能器件电容器的应用示例_触摸屏

寄生电容(本节内容)第三章电气性能的封装设计基础23.1概述第三章电气性能的封装设计基础2电容在交变电流中的作用问：在交变电流中，从信号的角度考虑，电容对信号的传输有影响么？视频：3_11电容对交变电流的影响3电容在交变电流中的作用问：在交变电流中，从信号的角度考虑，电寄生电容问：互感电容？寄生电容？同样的，电路组件间也存在互感电容，例如一条导线的电荷所形成的电场会吸引或排斥另一条导线的电荷，而造成其电场的变化。（两个电感线圈相互靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就是互感。）在多层结构的封装中，寄生电容是无法避免的（为什么？）上下两条导线中间隔着电介质，就形成标准的平行板电容器寄生电容：系统中任何两块导体之间固有的电容4寄生电容问：互感电容？寄生电容？4寄生电容IBMCPU的截面图，绿色的部分即为电介质

亮色的是铜导线问：有寄生电容么？存在哪里？5寄生电容IBMCPU的截面图，绿色的部分即为电介质

亮色的寄生电容寄生电容，在集成电路内部，由于ILD(InterLayerDielectrics，层间电介质)的存在，导线之间就不可避免地存在电容，称之为寄生电容。随着工艺制程的提高，单位面积里的导线越来越多，连线间的间距变小，连线间的耦合电容变得显著，寄生电容产生的串绕和延时增加等一系列问题更加突出（寄生电容是导致信号延迟的另一个来源）寄生电容不仅影响芯片的速度，也对工作可靠性构成严重威胁。希望最小化寄生电容6寄生电容寄生电容，在集成电路内部，由于ILD(InterL寄生电容问：在结构不变的情况下，从材料的角度，如何减小寄生电容？7寄生电容问：在结构不变的情况下，从材料的角度，如何减小寄生电寄生电容在决定电容器容量大小的各种因素里，在结构不变的情况下，减少电介质的k值（介电常数），可以减小电容的容量。使用low-k电介质作为ILD来替代传统的二氧化硅，可以有效地降低互连线之间的分布电容，从而可使芯片总体性能提升10％左右。图中蓝色部分low-k电介质用于ILD8寄生电容在决定电容器容量大小的各种因素里，在结构不变的情况下寄生电容问：现有电子封装中常用的介质？在电子封装基片中，通常使用的介质，比如二氧化硅和聚酰亚胺，它们的相对介电常数分别是3.9和3.5.道尔化学的苯并环丁烯介电常数是2.6，传统FR-4印刷电路板材料的介电常数是4.7.问：为什么苯并环丁烯的介电常数这么低？从分子结构的角度理解，什么样的分子结构具有小的介电常数？9寄生电容问：现有电子封装中常用的介质？9介电常数常用物质介电常数_PDF文档10介电常数常用物质介电常数_PDF文档10偶极矩在引入介电常数、极化之前，先介绍偶极矩偶极矩（dipolemoment['daipəul]）问：定义？正、负电荷中心间的距离r和电荷中心所带电量q的乘积，叫做偶极矩μ=r×q。它是一个矢量，方向规定为从负电荷中心指向正电荷中心。极性分子的偶极距等于正负电荷中心间的距离乘以正电荷中心（或负电荷中心）上的电量。11偶极矩在引入介电常数、极化之前，先介绍偶极矩11DipoleMomentH2OCO212DipoleMomentH2O极化分子在外电场作用下，构成分子的正负电荷发生相对的位移，形成电偶极矩13极化分子在外电场作用下，构成分子的正负电荷发生相对的位移，形极化问：极化？对于由极性分子形成的介电质，假设施加外电场于这种介电质，则会出现取向极化现象。各个分子偶极矩的叠加，材料就有了极性（后问）问：导体呢？14极化问：极化？14极化_导体G在均匀电场作用下的静电感应15极化_导体G在均匀电场作用下的静电感应15介电常数介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为相对介电常数(permittivity)，又称相对电容率，以εr表示。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。介电常数（又称电容率），以ε表示ε=εr×ε0，ε0为真空绝对介电常数，ε0=8.85×e-12F/m。16介电常数介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场介电常数问：介电常数的含义？在电磁学里，介电质响应外电场的施加而电极化的衡量衡量电场怎样影响介电质，怎样被介电质影响相对介电常数是相对于真空而言对材料极化能力的度量，决定了材料的充放电能力17介电常数问：介电常数的含义？17介电常数一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍（为什么？）。所以，电子封装中，使用具有很低相对介电常数的绝缘材料18介电常数一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍（为击穿电压，breakdownvoltage电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。对于绝缘体来说是指使得绝缘体的一部分变成电导体的最小电压。The

breakdownvoltage

ofan

insulator

istheminimumvoltagethatcausesaportionofaninsulatortobecomeelectricallyconductive.对于二极管来说是指二极管反向导通的最小反向电压19击穿电压，breakdownvoltage电介质在足够强的Highvoltagedielectricbreakdownwithinablockofplexiglas有机玻璃的电击穿大气的电击穿20HighvoltagedielectricbreakdDielectricstrength，介电强度/绝缘强度Ofaninsulatingmaterial,themaximumelectric

fieldstrength

thatitcanwithstandintrinsicallywithoutbreakingdown,

i.e.,withoutexperiencing

failure

ofitsinsulatingproperties.Foragivenconfigurationofdielectricmaterialandelectrodes,theminimum

electricfield

thatproducesbreakdown.衡量绝缘性能的21Dielectricstrength，介电强度/绝缘强度O2222寄生电容问：你还有什么主意，从材料和结构的角度来减小寄生电容？提示：用介电常数小的材料；结构上如何减小介电常数？23寄生电容问：你还有什么主意，从材料和结构的角度来减小寄生电容寄生电容最好的low-k是“没有材料”，如何实现？IBM提出了用气隙代替绝缘材料的Airgap技术。Airgap的方法是在硅片上涂上一层特殊的聚合材料，这种材料通过烘焙，能够自然形成数万亿个大小均匀尺寸仅为20纳米的细孔，提高了元件与导线间的绝缘性能。仅此一项措施，就能让微芯片的运行速度再次提高三分之一，并可以节能15%。问：缺陷？它的散热效果和机械强度，不够好Airgap技术：铜导线间加入气孔，取代传统的Low-k电介质

24寄生电容最好的low-k是“没有材料”，如何实现？Airga寄生电容问：导线密度增加，寄生电容增加？导线密度的增加，寄生电容的问题越来越严重，变成了限制速度的主要因素。（为什么寄生电容能够限制速度？）导线间距变小寄生电容不仅带来信号延迟，而且增加了功率消耗。为什么？在高电容结点上减小功率消耗和信号延迟的一个方法是限制这些结点上的电压漂移。为什么？25寄生电容问：导线密度增加，寄生电容增加？25寄生电容然而，随着最小特征尺度的减小和芯片尺寸的增加，布线电容变得比器件电容更加重要。（为什么）芯片变大使得导线总长度增加，从而总布线电容也随着芯片增大而增加。26寄生电容然而，随着最小特征尺度的减小和芯片尺寸的增加，布线电寄生电容在封装设计历史上，随着设备的减小，设计者会增加芯片上的电路密度，这就伴随着布线要求的提高。27寄生电容在封装设计历史上，随着设备的减小，设计者会增加芯片上电容下表所示为各种封装组件的寄生电容焊线和封装引脚的寄生电容典型值大约是1pF。倒装芯片中焊锡凸块的寄生电容与电感最低，这也是高频组件需要使用倒装芯片技术的原因。倒装芯片中，在芯片上制作金属凸块，再利用凸块做结合各种封装组件的寄生电容28电容下表所示为各种封装组件的寄生电容各种封装组件的寄生电容2寄生电容倒装芯片由于其提供芯片至外部线路间最短的路径，有较小的寄生电容与电感，其所造成的感应噪声、信号串扰、信号传输延迟与波形失真等皆较少。通常能达到良好的电性表现，基本能满足未来产品更高性能与更低成本的需求。目前，已有业者在研究无凸块的倒装芯片，无凸块（不使用凸块）倒装芯片可更进一步降低寄生电感与电容，降低噪声。29寄生电容倒装芯片由于其提供芯片至外部线路间最短的路径，有较小寄生电容封装组件的电容、电感值与其几何设计、材质、尺寸大小与使用频率有关，上表所列的仅是一些参考数据。实际上，封装中寄生电感、电容无所不在，包括导线间的互感电容、互感电感、结合线、被动组件、贯穿孔、BGA的锡球以与倒装芯片结合的焊锡凸块等的寄生电容与电感等，而这些可用等效电路来描述，用仿真软件来计算。集成电路专用模拟程序（SPICE）30寄生电容封装组件的电容、电感值与其几何设计、材质、尺寸大小与寄生电容贯穿孔的等效模型31寄生电容贯穿孔的等效模型31寄生电容导线弯曲处的等效电路模拟32寄生电容导线弯曲处的等效电路模拟32寄生电容的影响时间延迟问：你理解的时间延迟？33寄生电容的影响时间延迟33时间延迟_选讲电阻和电容、或电阻和电感，同时存在于同一个电路系统中时，会造成时间延迟。在电阻-电容电路中的时间延迟34时间延迟_选讲电阻和电容、或电阻和电感，同时存在于同一个电路时间延迟右图，明显示出时间延迟问：缘由？在电阻-电容电路中，时间延迟实质上是由电容的充放电所导致的。问：如何理解？35时间延迟35时间延迟纯电阻电路问：开关闭合，电流变化？电路图电流的时间反应当开关钮闭合,电池的电动势会提升电流I

如右图所示,并没有可量度的时间延迟36时间延迟纯电阻电路电路图电流的时间反应当开关钮闭合电阻-电容电路问：电流变化？提示：由大到小，还是由小到大，还是不变化？当开关钮闭合,一大充电电流会因电池的电势差而流动。问：为什么会有一大充电电流？提示：电势差/电压差的角度当电容器被部分充电后,电容器与电池间的电压差减少与电流开始下降。最后当电容器被充电至与电池的电压相同时,电流跌至零。电流的时间反应电路图37电阻-电容电路电流的时间反应电路图37电阻-电容电路电容器上的电压变化（问：如何变化？）提示：由大到小，还是由小到大，还是不变化？问：曲线用什么样的数学函数来描述？38电阻-电容电路38时间延迟电容放电断开电源，电容通过RD放电两端电压Vc逐渐降低，电流逐渐减小最后，降为零，放电完毕39时间延迟电容放电断开电源，电容通过RD放电39时间延迟电容放电视频：3_1350KV1000pF轴向高压瓷介电容的放电效果40时间延迟电容放电40时间延迟问：如上所示的电阻-电容电路中，电容充放电速度或者说充放电时间与哪些因素有关？与电容自身大小有关与电阻大小有关(通过加热电阻无穷大来理解)所以，除电容自身外，RC和RD的电阻值分别影响电容的充电和放电速度。41时间延迟问：如上所示的电阻-电容电路中，电容充放电速度或者说时间延迟问：如何描述时间延迟？RC电路中，电阻值R和电容值C的乘积被称为时间常数τ，这个常数描述电容的充电和放电速度。电容器上的电压变化42时间延迟问：如何描述时间延迟？电容器上的电压变化42时间延迟充放电时间充电过程，电压逐渐升高至稳定，电流逐渐减小至零放电过程，电压逐渐减小至零，电流逐渐减小至零记忆：先思考最终状态，再分析整个过程Vc43时间延迟充放电时间Vc43时间延迟电容充电1 0.632122 0.864663 0.950214 0.981685 0.993266 0.997527 0.999098 0.999669 0.9998810 0.9999563.2%99.3%44时间延迟电容充电1 0.6321263.2%99.3%44时间延迟电容放电1 0.367882 0.135343 0.049794 0.018325 0.006746 0.002487 9.11882E-48 3.35463E-49 1.2341E-410 4.53999E-545时间延迟电容放电1 0.3678845时间延迟电阻-电感电路中的时间延迟可以类推。因此，从减小信号时间延迟的角度来讲，要最小化寄生电容、寄生电感。46时间延迟电阻-电感电路中的时间延迟可以类推。46电阻-电感电路问：开关闭合后，电流的变化？提示：由大到小，还是由小到大，还是不变化？当开关钮闭合,电流由零开始提升。线圈的自感产生反电动势,与电流的提升对抗。所以，电流要延迟一些时间才能达至稳定状态。当电流稳定后,反电动势变成零电路图电流的时间反应47电阻-电感电路电路图电流的时间反应47电阻-电感电路电感器上的电压变化提示：由大到小，还是由小到大，还是不变化？48电阻-电感电路48电阻-电感电路RL电路中，时间常数用49电阻-电感电路49电阻-电感电路计算电路的时间常数，电阻为4Ω，电感为0.2H解：50电阻-电感电路计算电路的时间常数，电阻为4Ω，电感为0.2H传输线原理__引子信号传输想象中，电传输足够快，所以发射信号就能即刻接收到信号信号传输中确实存在，时间延迟电容、电感问：还有别的因素能影响信号的传输么？51传输线原理__引子信号传输51传输线理论光的传播速度在真空中的速度：3.0×10^8m/s在水中的速度：2.25×10^8m/s在玻璃中的速度：2.0×10^8m/s问：为什么会有不同？52传输线理论52传输线理论问：电信号在介质中的传输速度？电磁波在介质中的传输速度由此，介电常数越大，传输的越慢，这样存在时间延迟53传输线理论问：电信号在介质中的传输速度？53材料的介电常数带来传输延迟1GHz下的ps/cm铝9.4102.0空气1.033.354材料的介电常数带来传输延迟1GHz下的ps/cm铝频率影响信号传输低频

波长远大于导线长高频@波长与导线相近@导线位置不同@其电压、相位

可能不同55频率影响信号传输低频55开关噪声开关噪声，又称δI噪声源自电路开关时，系统电感所产生的电压若同时启动N个驱动器，所产生的电压噪声ΔV为若传输线的阻抗为50Ω，驱动器送出5V的信号，信号上升时间为2ns，电源线寄生电感是500pH，56开关噪声开关噪声，又称δI噪声56串音串音由于传输信号的导线间距太近，相互间的互感电感和互感电容的耦合作用而产生的噪声，又称耦合噪声即由于导线的耦合作用，在原本没有信号通过的导线上引发了信号而造成线路的误动作。A、C没有信号，B有信号，但C离B太近，受到B的干扰而产生噪声57串音串音57去耦电容电子封装基片中，去耦电容的基本目的是，当电流改变时，提供大量积累电荷，以保持电压恒定。它们常常放到电子封装基片的关键点上，以减小开关噪声。去耦电容器的上述特定功能要求它们的寄生电感必须很小。遗憾的是，所有电容器都有一些寄生电感，这限制了它们快速分发电荷的能力58去耦电容电子封装基片中，去耦电容的基本目的是，当电流改变时，寄生电容小结A交变电场中的电容电容视为导体，有电流通过寄生电容存在的条