标准解读
《GB/T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管》这一标准，针对的是用于将光信号转换成电信号的半导体器件，具体涵盖了光电二极管与光电晶体管两大类。该文件详细规定了这些光电器件在设计、生产及测试过程中应遵循的技术要求、性能参数以及试验方法等。
对于光电二极管而言，标准中明确了其工作原理基于内部PN结或PIN结构对入射光子能量的吸收，并由此产生电流输出。内容包括但不限于最大反向电压、暗电流、响应度、噪声特性等方面的具体指标。此外，还定义了几种典型的光电二极管类型，如硅基、锗基以及其他化合物材料制成的产品，每种类型都有其适用范围和技术特点。
光电晶体管方面，则进一步扩展了光电效应的应用，通过结合晶体管放大功能实现了更高的灵敏度。本标准对该类器件的工作模式（共发射极、共基极）、集电极开路电流、基极开路电压等关键电气参数进行了规范说明，并提供了相应的测量指导原则。
除了基本的技术规格外，《GB/T 15651.7-2024》还特别强调了质量控制的重要性，提出了严格的可靠性评估流程，确保产品能够在预期寿命内稳定运行。这涉及到环境适应性测试（如温度循环）、机械强度验证等多个维度的考量。
最后，在附录部分，该标准列举了一些推荐使用的测试设备及其操作指南，旨在帮助制造商准确地完成各项性能检测任务。同时，也提供了关于如何正确解读测试结果的信息，以便于用户更好地理解和应用相关数据。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2024-03-15 颁布
- 2024-07-01 实施
文档简介
ICS31260
CCSL.53
中华人民共和国国家标准
GB/T156517—2024
.
半导体器件第5-7部分光电子器件
:
光电二极管和光电晶体管
Semiconductordevices—Part5-7Otoelectronicdevices—
:p
Photodiodesandphototransistors
IEC60747-5-72016MOD
(:,)
2024-03-15发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T156517—2024
.
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
光电二极管的基本额定值和特性
4………………………9
光电晶体管的基本额定值和特性
5………………………10
光敏器件的测试方法
6……………………12
参考文献
……………………16
Ⅰ
GB/T156517—2024
.
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是的第部分已经发布了以下部分
GB/T156515-7,GB/T15651:
半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件
———5:(GB/T15651—1995);
半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性
———5-2:(GB/T15651.2—
2003);
半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法
———5-3:(GB/T15651.3—2003);
半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激光器
———5-4:(GB/T15651.4—2017);
半导体器件第部分光电子器件光电耦合器
———5-5:(GB/T15651.5—2024);
半导体器件第部分光电子器件发光二极管
———5-6:(GB/T15651.6—2023);
半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管
———5-7:(GB/T15651.7—2024)。
本文件修改采用半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电
IEC60747-5-7:2016《5-7:
晶体管
》。
本文件将国际文件的第章第章调整到第章符合我国标准的要求便于标准的使用之后
4~73,,,
的章条号顺延
。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动
:
删除了资料性附录与本文件内容无关
a)A,;
将光学辐射波长位于向射线过渡区λ和向无线电波过渡区λ之间
b)“3.2X(≈1nm)(≈1mm)
的电磁辐射第二个λ改为λ改正其中的编辑性错误
”(≈1nm)(≈1mm),。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口
。
本文件起草单位中国电子技术标准化研究院厦门市产品质量监督检验院惠州仲恺高新区
:、、LED
品牌发展促进会浙江智菱科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所厦门华联电子股份有
、、、
限公司中国光学光电子行业协会四川华体照明科技股份有限公司北京大学东莞光电研究院
、、、。
本文件主要起草人刘秀娟葛莉荭成森继李俊凯刘东月郑智斌洪震段琼李俊李成明
:、、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T156517—2024
.
引言
制定系列的第部分为一般工业应用的光电二极管和光电晶体管产品的测试评
GB/T156515-7,、
价等提供适当的依据
。
是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要求基本额定值和
GB/T15651,、
特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等器件的技术要求
、、、、、、
质量保证规定等内容拟由以下几个部分构成
,。
第部分光电子器件目的在于给出半导体光电子发射器件半导体光敏元器件内部工作
———5:。、、
机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准
。
第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体
———5-2:。、
光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基
、、
本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外
,。
第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或
———5-3:。,
子系统的除外
。
第部分光电子器件半导体激光器目的在于给出半导体激光器的基本额定值特性和
———5-4:。、
测试方法
。
第部分光电子器件光电耦合器目的在于给出光电耦合器的术语基本额定值特性
———5-5:。、、、
安全试验及测量方法
。
第部分光电子器件发光二极管目的在于给出发光二极管的术语额定值和特性测
———5-6:。、、
试方法和质量评估方法
。
第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于给出光电二极管和光电晶体
———5-7:。
管的术语基本额定值和特性以及测量方法
、。
Ⅳ
GB/T156517—2024
.
半导体器件第5-7部分光电子器件
:
光电二极管和光电晶体管
1范围
本文件规定了光电二极管以下简称和光电晶体管以下简称的术语基本额定值和
(“PDs”)(“PTs”)、
特性以及测试方法
。
本文件适用于光电二极管和光电晶体管
。
2规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件
。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31物理概念
.
311
..
电磁辐射electromagneticradiation
辐射
radiation
能量以与光子有关联的电磁波的形式发射或传播
a)。
电磁波或光子
b)。
来源有修改
[:GB/T2900.65—2004,845-01-01,
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