2.3.1全控型器件概述 Recognize typical full control devices中英版_第1页
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2.3.1OverviewofFullControlledElectronicDevices2.3.1全控型器件概述Item2KnowledgeofPowerElectronicsDevices项目二认识电力电子器件TeachingResourcesDatabaseof

NationalVocationalEducationPowerSupplyTechnologyBilingualcourses.PowerElectronicsTechnology电力电子技术2.3.1概述Overview20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。Sincethe1980s,informationelectronictechnologyandpowerelectronictechnologyhavecombinedonthebasisoftheirrespectivedevelopment--high-frequency,fullycontrolled,powerelectronicdevicesusingintegratedcircuitmanufacturingprocess,thusbringingpowerelectronictechnologyintoanewera.2.3.1概述Overview全控型典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管(——GTR)、电力场效应晶体管(PowerMOSFET

)、绝缘栅双极晶体管(IGBT或IGT)。Typicalrepresentativeoffullcontrolledtype-GateTurnOffThyristor,Powertransistor(GTR),PowerFieldEffectTransistor(PowerMOSFET),InsulatedGateBipolarTransistor(IGBTorIGT).门极可关断晶闸管(GTO)在晶闸管问世后不久出现。GateTurnOffThyristor(GTOs)appearedshortlyaftertheadventofthyristors.TeachingResourcesDatabaseof

NationalVocationalEducationPowerSupplyTechnologyBilingualcourses.Thanksforwatching谢谢观看-更多内容，敬请关注国家级供用电技术专业教学资源库-Formoreinformation,pleasepayattentiontotheTeachingResourcesDatabaseof

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