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文档简介
关于半导体存储器9.1
概述
主要要求:
了解半导体存储器的作用、类型与特点。第2页,共35页,2024年2月25日,星期天
主要由与阵列、或阵列、输出缓冲级等部分组成,为大规模组合逻辑电路。二、半导体存储器的类型与特点只读存储器(ROM,
即Read-OnlyMemory)随机存取存储器(RAM,
即RandomAccessMemory)
主要由地址译码器、存储矩阵、读/写控制电路等部分组成,为大规模时序逻辑电路。一、半导体存储器的作用
存放二进制信息ROM是只读存储器,在正常工作时,其内存数据只能读出,而不能写入。但断电后其内部数据不会丢失。常用于存放一些不变的数据,如一些重要的常数、系统管理程序等。RAM是随机存取存储器,既能读出信息又能写入信息。但断电后其数据将丢失。它用于存放一些临时数据和中间处理数据结果,如计算机内存。第3页,共35页,2024年2月25日,星期天主要要求:
理解ROM的电路结构、工作原理。理解用ROM实现组合逻辑函数的方法。9.2
只读存储器(ROM)第4页,共35页,2024年2月25日,星期天按数据写入方式不同分固定ROM可编程ROM(Programmable
ROM,简称PROM)可擦除可编程ROM(ErasablePROM,简称EPROM)
其存储数据在制造时确定,用户不能改变。用于批量大的产品。其存储数据由用户写入。但只能写一次。用户可以多次改写存储的数据。ROM的类型及其特点
第5页,共35页,2024年2月25日,星期天9.2.1ROM的电路结构
由地址译码器、存储距阵和输出缓冲器组成ROM的电路结构图
存储器的存储容量为2n
m
字位。第6页,共35页,2024年2月25日,星期天1.电路组成
9.2.2固定ROM的工作原理
一、二极管ROMD0D1D2D34×4二极管ROM结构图
&A1A0字线信号位线输出信号&&&11W3W2W1W0
地址译码器。
A1、
A0为地址输入端,W3~W0为译码器输出的4条字线。
存储矩阵由二极管或门组成,D3~D0为存储矩阵输出的4条位线。第7页,共35页,2024年2月25日,星期天1.电路组成
一、二极管ROMD0D1D2D34×4二极管ROM结构图
&A1A0字线信号位线输出信号&&&11W3W2W1W09.2.2固定ROM的工作原理
在W3~W0中任一个输出高电平时,则在D3~D0
4条线上输出一组4位二进制代码,每组代码表示一个字。第8页,共35页,2024年2月25日,星期天2.读数
一、二极管ROMD0D1D2D34×4二极管ROM结构图
&A1A0字线信号位线输出信号&&&11W3W2W1W09.2.2固定ROM的工作原理
当输入一组地址码时,则在ROM的输出端可读出该地址码对应的存储内容。如A1A0=00时,则字线
W0=A1A0=1,其它字线都为0,这时和W0相连的两个二极管导通,位线D2=1、
D0=1,而D3和D1都为0,在输出端得到D3D2D1D0=0101数据输出。可见:1.交叉处接有二极管的相当于存储1,没有接二极管的相当于存储0。2.当某字线被选中时,相应存储单元数据从位线D3~D0
输出。第9页,共35页,2024年2月25日,星期天4
4存储矩阵示意图
W3W2W1W0D0D1D2D3字线位线交叉处的圆点“”表示存储“1”;交叉处无圆点表示存储“0”。交叉点的数目表示存储器存储容量。存储容量
字数位数存储矩阵可简化表示为:字线数位线数第10页,共35页,2024年2月25日,星期天3.输出逻辑表达式
D0D1D2D34×4二极管ROM结构图
&A1A0字线信号位线输出信号&&&11W3W2W1W0由此可看出,D3~D0都为最小项之和。最小项由译码器产生,而和项由或门产生。因此,二极管ROM是由译码器的与阵列和存储矩阵的或阵列级联而成的。第11页,共35页,2024年2月25日,星期天MOS管ROM电路结构图
二、
MOS管ROM
有二极管的地方对应换成了NMOS管。第12页,共35页,2024年2月25日,星期天
PROM出厂时,全部熔丝都连通,全部存储单元相当
于存储1。用户在编程时,可根据要求,借助编程工具将不需要存储单元中的熔丝烧断即可。熔丝烧断后不可恢复,故PROM只能进行一次性编程。
二极管ROM
TTL-ROM
MOS-ROM
Wi
Dj
Wi
Dj
VCC
Wi
Dj
+VDD
1熔丝熔丝熔丝9.2.3可编程只读存储器(PROM)第13页,共35页,2024年2月25日,星期天用一个特殊的浮栅MOS管替代熔丝。
用紫外线擦除信息的,称为EPROM。
用电信号擦除信息的,称为EEPROM,即E2PROM。
按擦除方式不同分
EPROM只能整体擦除,擦除时间较长。E2PROM中的存储单元可逐个擦除逐个改写,它的编程和擦除都用电信号完成,速度比EPROM快得多。9.2.4可擦除可编程只读存储器(EPROM)
第14页,共35页,2024年2月25日,星期天由于PROM中的地址译码器为固定的与阵列,输出为输入地址变量的全部最小项。存储矩阵为可编程的或阵列,它输出的为相应的输入最小项的和,为标准与–或表达式。而任何组合逻辑函数都可变换为标准与-
或式,因此,用PROM可实现组合逻辑函数。
9.2.5PROM的应用
第15页,共35页,2024年2月25日,星期天[例]
试用PROM构成一个1位全加器。解:(1)设在第i位的二进制数相加,输入变量为被加数Ai
、加数Bi,低位来的进位数为Ci-1。输出为本位和Si、向相邻高位的进位数为Ci。由此可列出全加器的真值表。1111110011101010100110110010100110000000CiSiCi-1BiAi输出输入第16页,共35页,2024年2月25日,星期天Ai≥1BiCi-1≥1m0m1m2m3m4m5m6m7地址译码器CiSi(2)
画出用PROM实现的逻辑图第17页,共35页,2024年2月25日,星期天9.3随机存取存储器
主要要求:
理解RAM的电路结构和工作原理。理解RAM的扩展存储容量的方法。第18页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM的电路结构
9.3.1RAM的电路结构
为了能方便地选择到存储器中的任一个存储单元,将地址译码器分为行、列地址译码器,然后根据行、列地址去选通相应的存储单元进行读出或写入数据。第19页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM的电路结构
由于单片ROM的存储容量是很有限的,往往不能满足计算机和其它信息处理系统的要求,因此,需用多片RAM来扩展存储容量。因此,在每片RAM上设有片选端和读/写控制端。9.3.1RAM的电路结构第20页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM的电路结构
输入/输出线数多少取决于每个地址中寄存器的位数。如在512×4位的RAM中,每个地址中有4个存储单元,所以有4条I/O线。9.3.1RAM的电路结构第21页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM的电路结构
在RAM中存储单元被排列成矩阵的形式,所以称为存储矩阵。每个存储单元只有被行输出线和列输出线同时选中的才能被访问。存储单元可以是静态的,也可以是动态的。9.3.1RAM的电路结构第22页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM与ROM的比较
相同处
★
都含有地址译码器和存储矩阵
★
寻址原理相同
相异处
★
ROM
的存储矩阵是或阵列,是组合逻辑电路。
ROM工作时只能读出不能写入。掉电后数据
不会丢失。
★
RAM
的存储矩阵由触发器或动态存储单元构
成,是时序逻辑电路。RAM工作时能读出,
也能写入。读或写由读/写控制电路进行控制。
RAM掉电后数据将丢失。第23页,共35页,2024年2月25日,星期天9.3.2RAM中的存储单元六管CMOS静态存储单元
一、静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元
由V1、V2和V3、V4两个CMOS反相器输出和输入交叉耦合组成的基本触发器,可用来存储一位二进制信息。1.电路组成第24页,共35页,2024年2月25日,星期天六管CMOS静态存储单元
一、静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元V5、V6为由行线X
控制的门控管。V7、V8为由列线Y
控制的门控管。9.3.2RAM中的存储单元1.电路组成第25页,共35页,2024年2月25日,星期天六管CMOS静态存储单元
一、静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元2.工作原理9.3.2RAM中的存储单元读操作:在X=1、Y=1时,V5、V6和V7、V8都导通,触发器和位线接通,数据线和位线也接通,这时,触发器中存储的数据通过数据线读出。第26页,共35页,2024年2月25日,星期天六管CMOS静态存储单元
一、静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元2.工作原理9.3.2RAM中的存储单元写操作:在X=1、Y=1时,将要写入存储单元的数据送到数据线D和D上。如写数据1时,由于V7、V5导通,D=1通过这两个MOS管送到Q端;由于V8、V6导通,D=0送到Q端,使V1截止、V3导通,这时Q=D=1、Q=D=0,触发器置1,表示输入的数据D=1已被写入存储单元。第27页,共35页,2024年2月25日,星期天
二、动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元9.3.2RAM中的存储单元
静态RAM存储单元的主要缺点是静态功耗大,使集成度受到限制,采用动态MOSRAM可克服这个缺点。动态RAM存储单元是利用
MOS管栅极与源极之间的高阻抗及栅极电容来存储信息的。由于电容存在漏电,栅极电容上存储的信息不可能长期保存,为了防止信息丢失,必须定时给电容补充电荷。第28页,共35页,2024年2月25日,星期天四管MOS动态存储单元
二、动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元
C1、C2为MOS管的栅极输入电容,数据以电荷的形式存储在C1、C2上。9.3.2RAM中的存储单元第29页,共35页,2024年2月25日,星期天二、动态随机存取存储器(DRAM)的存储单元单管MOS动态存储单元
9.3.2RAM中的存储单元第30页,共35页,2024年2月25日,星期天9.3.3RAM的扩展
(一)RAM的位扩展如一片RAM的字数已够用,而每个字的位数不够用,则采用位扩展的方法来扩展每个字的位数。其方法是将各片RAM的地址输入端、读/写控制端R/W和片选端CS对应地并接在一起。RAM的位扩展接法
第31页,共35页,2024年2月25日,星期天RAM的字扩展接法
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