电子陶瓷课件

第四章电子陶瓷基本性质

§4.3.2电子陶瓷的介电性能

对电介质材料，在电场E中，有电感应矢量D：

0为真空介电常数，

r为相对介电常数1第四章电子陶瓷基本性质

表征电子陶瓷材料的介电性能的主要技术参数有相对介电常数、介电损耗、绝缘强度、击穿强度。1、介电常数（DielectricConstant）

介电常数是衡量电介质储存电荷能力的参数，通常又叫介电系数（DielectricConstant）或电容率(permittivity)，也是电子陶瓷材料最重要的电学特征参数之一。2第四章电子陶瓷基本性质

设真空时介电常数等于1，对同一个真空系统和有电介质系统，有

式中Q0为真空系统电极上的电荷，Q为有电介质时电极上的电荷。表明具有同样电场和电极的系统，有介质存在时比真空情况下电极上电荷增加的倍数等于介质的介电常数。3第四章电子陶瓷基本性质ε0

为SI单位制中真空的介电常数，亦称电常数，ε0=8.85×10-12F/m；εr为相对介电常数，有时也简称为介电常数，是一个无量纲的常数.4第四章电子陶瓷基本性质真空的相对介电常数为1,其他材料的相对介电常数均大于1。对平行平板电容器：

式中，C为试样的电容量；d为试样厚度或电极距离；S为电极面积；ε0

为SI单位制中真空的介电常数5第四章电子陶瓷基本性质各种电子陶瓷室温时的介电常数如下：装置瓷、电阻瓷及电真空瓷：2~12

I型电容器瓷：6~1500II型电容器瓷：200~30000

III型电容器瓷：7000~二十几万

压电陶瓷：50~20000

6某些电子陶瓷的介电常数一览表材料主晶相化学式相对介电常数损耗角正切氧化铝瓷-Al2O38~101~310-4滑石瓷MgO•SiO25~72~510-4二氧化钛瓷TiO280~1002~510-4钛酸钙瓷CaTiO3130~1503~610-4钛酸锶铋瓷(Sr,Bi)TiO3800~9001~210-3钛酸钡瓷BaTiO32000~80001~310-2锆钛酸铅瓷Pb(Zr,Ti)O31000~50002~510-2铌镁酸铅瓷Pb(Mg1/3Nb2/3)O36000~200003~610-27第四章电子陶瓷基本性质

按照相对介电常数的大小，电子陶瓷大体可分为三类：低介电常数陶瓷：

εr在2~12之间，如氧化铝瓷、滑石瓷等，

εr与电场、频率、温度的变化关系很小。

8第四章电子陶瓷基本性质2)高介电常数陶瓷：

εr在12~1000之间，如二氧化钛瓷、钛酸锶铋瓷等εr与电场、频率的变化关系很小;εr随温度略有变化

9第四章电子陶瓷基本性质3)铁电陶瓷

εr在几千~几十万之间，如钛酸钡瓷、锆钛酸铅瓷等，εr与温度变化关系很大（在某一温度时出现峰值—该温度为居里点）；随频率的增加略有下降（频率弥散）与电场强度有关（非线性介电常数）10第四章电子陶瓷基本性质从以上数据可以看出，电子陶瓷的介电常数的数值范围很大，因材料而异，有不同的使用范围。各种材料介电常数的差异是由于其内部存在不同的极化(Polarization)形式、有不同的晶体结构等所引起的。

11第四章电子陶瓷基本性质1.1电介质的极化

点电荷

电矩多点系统：

12第四章电子陶瓷基本性质介质内质点的正负电荷重心分离可形成偶极子：偶极矩：

-Q+Ql13第四章电子陶瓷基本性质单位电场强度下，质点偶极矩的大小为质点的极化率

：

14第四章电子陶瓷基本性质定义：极化强度P为单位体积内的电偶极矩的总和：

单位为（C•m2

）15第四章电子陶瓷基本性质

+++++E1PE2E3E外16第四章电子陶瓷基本性质

E2为空球表面极化电荷作用场，又称洛伦兹场。

E3为原点附近偶极子的电场。利用电磁学知识，可以计算E2:17第四章电子陶瓷基本性质

rP

rd

rSin计算E2:18第四章电子陶瓷基本性质

设空腔处表面电荷密度为：则：

19第四章电子陶瓷基本性质

dq在球心处产生的电场：

20第四章电子陶瓷基本性质

21第四章电子陶瓷基本性质

对立方对称晶体，可以用平行的点型偶极子代替原子，则：E3=0

22第四章电子陶瓷基本性质三、克劳修斯—莫索蒂方程

23第四章电子陶瓷基本性质如单位体积内极化的粒子数为n,极化率为

则有：

24第四章电子陶瓷基本性质称为Klausius-Mosotti方程。将宏观量

与微观量

建立了关系。25第四章电子陶瓷基本性质

对具有多种极化质点的体系，有：26第四章电子陶瓷基本性质Klausius-Mosotti方程表明：如要大，则需要大、n大。Klausius-Mosotti方程可适用于气体、非极性液体、固体、NaCl型离子晶体和具有相当对称性的晶体。

27第四章电子陶瓷基本性质1.3

极化机制

电介质的极化有

电子极化、离子极化、

偶极子转向极化、界面极化、

谐振式极化、自发极化…….等多种极化机制。28第四章电子陶瓷基本性质

电子（离子）极化又可分为：位移式极化—弹性的、瞬时完成、不消耗能量；松弛式极化—与热运动有关，非弹性的、要消耗能量。29第四章电子陶瓷基本性质一、电子位移式极化在电场作用下，离子（或原子）中的电子向电场相反方向移动一个小距离，带正电的原子核将沿电场方向移动一个更小的距离，造成正负电荷中心分离，当外加电场取消后又恢复原状。离子（或原子）的这种极化称电子位移极化，是在离子（或原子）内部发生的可逆变化，不以热的形式损耗能量，不导致介质损耗。

30第四章电子陶瓷基本性质电子位移极化的主要贡献是引起陶瓷材料介电常数的增加。电子位移极化建立的时间仅为10-14~10-15秒，只要电场频率小于1015Hz（相当于可见光频），都存在这种形式的极化。电子位移极化存在于一切陶瓷材料之中。这种极化使材料的介电常数约为1到几十。31第四章电子陶瓷基本性质

可以设一个质量为m、电荷为-e的粒子为带正电的中心所束缚。弹性恢复力为-kx,其中，k—弹性恢复系数；x—表示粒子的位移。如电场为Eloc=E0exp(i

t),则电子的运动方程为：32第四章电子陶瓷基本性质

方程的解为：33第四章电子陶瓷基本性质

当

0时，有电子静态极化率：34第四章电子陶瓷基本性质

采用不同的模型，可以估算

e的大小。以BohrModel为例：设点电荷（-q）绕+q为心的圆周运行，Eloc使+q移动一定距离到M。OElocFRMdOReEloc35第四章电子陶瓷基本性质则原子感生的偶极矩为：

eEloc为电场力；FR为电子的离心力

36第四章电子陶瓷基本性质加电场FR前与电子的吸引力平衡：

37第四章电子陶瓷基本性质

表明电子的极化率与原子（离子）半径有关。38第四章电子陶瓷基本性质

如考虑到同类原子的集合，则它们所有轨道是随机取向的，则在电场方向上平均感生偶极矩为：39第四章电子陶瓷基本性质

40第四章电子陶瓷基本性质

例：Na+的离子半径为0.095nm，求其电子极化率。解：实际测量到的

e=0.19910-40(Fm2)41第四章电子陶瓷基本性质

二、离子位移极化

在电场作用下，介质中正负离子在其平衡位置附近发生可逆性位移，形成离子位移极化。离子位移极化与离子半径、晶体结构有关。有些特殊的晶体结构，如四方晶系的某些结构（金红石型、钙钛矿型等），可以在仅有电子位移和离子位移极化的情况下提供较大的介电常数，如几十~几百。42第四章电子陶瓷基本性质

离子位移极化的简化模型为：设正离子的位移为

+；负正离子的位移为

-则感生电偶极矩为：-q+q

-

+43第四章电子陶瓷基本性质正离子受到的弹性恢复力为-k(

+--);与电场方向相反；负离子受到的弹性恢复力为-k(

--

+);与电场方向相同；但离子的受力方向总与位移方向相反：

44第四章电子陶瓷基本性质

引入约化质量M*：

令：45第四章电子陶瓷基本性质

当

0时，有离子静态极化率：

k为力常数46第四章电子陶瓷基本性质

以NaCl型晶体为例：

为晶格常数aR++R-_，

n为电子层斥力指数，n=7~11,

A为马德隆常数对NaCl,A=1.7547第四章电子陶瓷基本性质

表明离子位移极化率与正负离子半径和的立方成正比；与电子位移极化率有大致相同的数量级。48第四章电子陶瓷基本性质

三、偶极子转向极化极性电介质的分子，由于热运动，在无电场时，偶极矩的取向是任意的，对外宏观电矩为零。有外电场时，偶极子会沿与外电场方向平行的方向排列，出现了与外电场同向的电矩。称为偶极子转向极化49第四章电子陶瓷基本性质

偶极子的转向极化由于受到电场力的转矩作用、分子热运动的阻碍作用以及分子间的相互作用，所需时间较长，为10-2~10–6秒或更长。当偶极子受到电场E的作用时，偶极子在电场E中的势能为：

50第四章电子陶瓷基本性质

沿E定向在

~d

之间的偶极子数为：

d

为d

所对应的立体角，A为比例系数

51第四章电子陶瓷基本性质

rErd

rsin

052第四章电子陶瓷基本性质

偶极子沿电场方向的平均偶极矩为：

53第四章电子陶瓷基本性质

54第四章电子陶瓷基本性质

一般情况下，E<107V/m,

~10-30C•m,T=300K

由于

«1:

55第四章电子陶瓷基本性质因此，偶极子转向极化率为：

56第四章电子陶瓷基本性质

四、松驰式极化

这是和离子（原子）、分子热运动有关的极化形式，在陶瓷中主要有离子松驰极化和电子松驰极化两种形式。

离子松驰极化--陶瓷晶相中的晶格缺陷，能形成一些联系弱的离子，玻璃相中也存在一些弱联系离子（如一价金属离子）。57第四章电子陶瓷基本性质

这些弱联系离子，受热运动起伏的影响，从一个平衡位置迁移到另一个平衡位置。在正常状态下，离子向各个方向迁移的几率相等，整个介质不呈现电极性。在电场作用下，离子向一个方向迁移的几率增大，使介质呈现极化。58第四章电子陶瓷基本性质

作用于离子上与电场作用力相对抗的力，不是离子间的静电力，而是不规则的热运动阻力。极化建立的过程是一种热松驰过程。由于离子松驰极化与温度有明显关系，因而介电常数与温度也有明显关系。59第四章电子陶瓷基本性质

离子松驰极化对介电常数的贡献大，介电常数可提高到几百至几千。离子松驰极化建立的时间约10-2~10-9秒。在高频电场下，离子松驰极化往往不易建立起来。因此，介电常数随频率升高而减小。同时，由于极化过程滞后，电场的变化导致介质损耗增加。

60第四章电子陶瓷基本性质

电子松驰极化--晶格热振动、晶格缺陷、杂质的引入、化学组成的局部改变等因素都能使电子能态发生改变，出现位于禁带中的局部能级，形成弱束缚的电子或空穴。例如，“F-心”的弱束缚电子为周围结点上的阳离子所共有，在晶格热振动过程中，吸收一定能量而处于激发态，由一个阳离子结点转移到另一个阳离子结点。61第四章电子陶瓷基本性质

在外加电场的作用下，弱束缚电子的运动具有方向性，而呈现极化，这种极化称为电子松驰极化。电子松驰极化可使介电常数上升到几千至几万，同时产生较大的介质损耗。

电子松驰极化主要产生在钛酸盐瓷及以铌、铋氧化物为基础的陶瓷中，62第四章电子陶瓷基本性质电子松驰极化建立的时间约需10-2~10-9秒。其介电常数随频率的升高而减小，随温度的变化有极大值。

63第四章电子陶瓷基本性质

五、界面极化界面极化是和陶瓷体内电荷分布状况有关的极化。陶瓷体内的电荷又称空间电荷或容积电荷。它的形成原因是陶瓷体内存在不均匀性和界面。晶界、相界是陶瓷中普遍存在的。

64第四章电子陶瓷基本性质

由于界面两边各相的电性质（电导率、介电常数等）不同，在界面处会积聚起电荷。不均匀的化学组成、夹层、气泡是宏观不均匀性，在界面上也有电荷积聚。某些陶瓷材料在直流电压作用下发生电化学反应，在一个电极或两个电极附近形成新的物质。称为形成层作用。陶瓷变成两层或三层电性质不同的介质。这些层间界面上也会积聚电荷。

65第四章电子陶瓷基本性质

上述各种界面上积聚电荷的结果，使电极附近电荷增加，呈现了宏观极化。这种极化可以形成很高的与外加电场方向相反的电动势——反电势，因此这种宏观极化也称为高压式极化。由夹层、气泡等形成的极化则称夹层式极化。66第四章电子陶瓷基本性质高压式和夹层式极化可以统称为界面极化。由于空间电荷积聚的过程是一个缓慢的过程，所以这种极化建立的时间较长，大约从几秒至几十小时。界面极化只对直流和低频下的介电性质有影响。67第四章电子陶瓷基本性质

六、谐振式极化

陶瓷中的电子、离子都处于周期性的振动，其固有振动频率为1012~1013Hz，即红外线、可见光和紫外线的频段。当外加电场的频率接近此固有振动频率时，将发生谐振。

68第四章电子陶瓷基本性质

电子或离子吸收电场能，使振幅加大呈现极化现象。电子或离子振幅增大后将与周围质点互作用，振动能转变成热量，或发生辐射，形成能量损耗。这种极化仅发生在光频段。69第四章电子陶瓷基本性质

七、自发极化

在铁电陶瓷中有自发存在的小电畴，当外加电场后，这些小电畴会沿外场方向取向。由于这些小电畴随电场的变化不能太快，因而这种极化对低频下和中频的介电性质有较大的影响。70第四章电子陶瓷基本性质

自发极化于温度的关系也很密切。在某个温度之上，自发极化可能会消失，该温度通常称为居里温度。在居里温度附近，铁电陶瓷的介电常数会出现很大的变化。

71第四章电子陶瓷基本性质设某离子周围其他离子的极化强度为P，产生的局部电场为：其中，ε0为真空介电常数，γ称为Lorentz系数，对于各向同性的立方晶体，其值为1，对于其他晶体，其值大于1。72第四章电子陶瓷基本性质一般地，材料的Lorentz系数越大，越容易发生自发极化。例如，由于BaTiO3晶胞中氧的分布不是立方对称的，晶体的内电场不为零，其Lorentz系数为10，容易发生自发极化。73第四章电子陶瓷基本性质八、离子跳跃极化（ionjumppolarization）

由于离子在晶格中可能从一个平衡位置跳向另一个平衡位置如果没有外加电场，离子所处的两个等价位置A和B。这两个位置间的距离为λ，能量势垒为ΔH。74第四章电子陶瓷基本性质

但如果有外加电场，A、B位置所处的能量不再等价存在一个能量差2μE，并引起离子跳跃极化。75

第四章电子陶瓷基本性质图4-18偶极极化（a）无外加电场；（b）有外加电场76第四章电子陶瓷基本性质加电场时，单位体积中离子跳跃引起的极化强度为：

其中，N=（NA+NB），为离子分别处于两个能量位置A、B的离子数的和。上式同时表明，这种偶极极化（dipolarpolarization）的强度与温度成反比。77第四章电子陶瓷基本性质总体上说，电介质的极化包含以上各部分的和，即电介质总的极化率为：78工频声频无线电频率红外紫外频率f

界面极化

松弛极化

离子位移极化

电子位移极化79第四章电子陶瓷基本性质1.4

多相陶瓷材料的介电性能

一、混合物法则由成分、结构、化学组成等不同的晶体所组成的多相陶瓷材料设只有两相组成陶瓷：

80第四章电子陶瓷基本性质

x1、x2为体积分数

1、

2为介电常数

并联时：k=1

串联时：k=-1

混合分布：k

081第四章电子陶瓷基本性质

82第四章电子陶瓷基本性质当介电常数为的球形颗粒分布在介电常数为的基相中，有：83第四章电子陶瓷基本性质

二、介电常数的温度系数

介电常数的温度系数——介电常数随温度变化而产生的相对变化率：

84第四章电子陶瓷基本性质

可以用实验的方法测试TK

:

85第四章电子陶瓷基本性质不同的极化机制，有不同的TK

:对电子式极化：T上升，降低，极化强度下降，TK

为负；对离子式极化：T上升，离子极化率增加，TK

为正。

86第四章电子陶瓷基本性质

不同的应用，要求TK

不同：如滤波旁路和隔直流的电容器，TK>0

热补偿电容器，TK<0

高精度电子仪器：TK=0

目前希望TK=0，而尽可能大。87第四章电子陶瓷基本性质

对两相复合材料：

88第四章电子陶瓷基本性质

即可以在TK>0的材料中加入适量的TK<0材料，可以达到TK=0目的。如微波通信、卫星通信、航空航天器件等。89第四章电子陶瓷基本性质2、介质损耗陶瓷介质在电导和极化过程中有能量消耗，一部分电场能转变为热能。单位时间内消耗的电能叫介质损耗。在直流下，介质损耗仅由电导引起，电导率就能表示介质损耗的大小。单位体积的介质损耗p与电场E的关系为：

p=γE2

90第四章电子陶瓷基本性质

即电场强度一定时，介质损耗与电导率成正比。在交流下，电导和极化共同引起介质损耗，可利用有损耗介质构成的电容器等效电路来研究。有耗电容器等效电路由一理想电容器（无耗电容器）和一纯电阻并联或串联组成，如图所示。91

有耗电容器等效电路示意图92

矢量图中的δ角称为损耗角，它是有耗电容器中电流超前电压的相位φ角与无耗电容器的相位角90°之间的差值。电子陶瓷的损耗角一般都小于1°。由前图的并联电路得：

tgδ=IR/Ic=1/ωCPRP

式中：

ω为角频率；Cp为等效并联电容；

Pp为等效并联电阻。

第四章电子陶瓷基本性质93

由串联电路得

tgδ=UR/Uc=ωCSRS

式中CS为等效串联电容；Rs为等效串联电阻。所以:1/ωCPRP=ωCSRS

第四章电子陶瓷基本性质94第四章电子陶瓷基本性质

tgδ又可以表示为：

tgδ=Pe/P

式中Pe为有功功率。即介质损耗的功率；Pe为无功功率。

95第四章电子陶瓷基本性质

tgδ的具体意义是有耗电容器每周期消耗的电能与其所储存电能的比值。

tgδ经常用来表示介质损耗的大小。应该注意，用tgδ表示介质损耗时必须同时指明测量（或工作）频率。因为介质损耗：

Pe=Petgδ=ωCtgδU2

单位体积的介质损耗为：

96第四章电子陶瓷基本性质p=ωεtgδE2

可见，介质损耗与频率有关。式中εtgδ称损耗因数，在外界条件一定时，它是介质本身的特定参数。97第四章电子陶瓷基本性质式中ωεtgδ称等效电导率，它不是常数。频率高时，ωεtgδ增大，介质损耗增大。因此，工作在高频高功率下的介质，要求损耗小，tgδ必须在控制很小的范围。一般高频介质tgδ应小于6×10-4，高频率高功率介质tgδ应小于3×10-4。可见生产上控制tgδ是很重要的。98第四章电子陶瓷基本性质

介质的tgδ对湿度很敏感。受潮的试样tgδ急剧增大。试样吸潮越严重，tgδ增大越厉害，常利用此性质来判断瓷体烧结的好坏。

介质损耗对化学组成、相组成、结构等因素很敏感，凡是影响电导和极化的因素都影响介质损耗。99

第四章电子陶瓷基本性质介电损耗tgδ的物理意义是在交变电场作用下电介质的电位移矢量D与电场强度E之间的相位差。100

第四章电子陶瓷基本性质介电常数表为一复数：101

第四章电子陶瓷基本性质介电常数的实部反映了电介质储存电荷的能力，虚部反映了电介质在电荷移动过程中引起的电场能量损耗，它们均与电场频率有关。电介质的损耗多来自漏电损耗：

极化损耗。

102

第四章电子陶瓷基本性质

漏电损耗是因为电介质的直流电导损耗以及由于离子迁移受阻和偶极子弛豫损耗而引起能量的损失。极化损耗是因为材料中电子和离子的非弹性位移引起的。103

第四章电子陶瓷基本性质104

第四章电子陶瓷基本性质

在交变电场作用下，不同极化机制对外电场的响应不同，或者说存在频率色散，介质中的极化是一些弛豫过程。极化过程需要经历一段时间达到平衡态，存在有介电损耗。静态介电常数与动态介电常数不相同。105

第四章电子陶瓷基本性质

考虑单一弛豫的极化过程，引入衰减函数

εs、ε∞分别为材料极低频和极高频介电常数的实部，τ代表偶极子弛豫时间，它与偶极子的惰性及基体的粘滞性有关。106

第四章电子陶瓷基本性质

Debye曾经提出一个模型，对于永久偶极矩为μ的点偶极子，如果分布均匀，其复数介电常数可写为：上式称为Debye方程，遵从该方程的效应称为Debye弛豫。107

第四章电子陶瓷基本性质

108

第四章电子陶瓷基本性质

如果弛豫时间不止一个，设F(τ)为其分布函数，那么有：

109第四章电子陶瓷基本性质

3、绝缘强度电介质能绝缘和储存电荷，是指在一定的电压范围（弱电场范围）内，介质保持介电状态。当电场强度超过某一临界值时，介质由介电状态变为导电状态，这种现象称介质的击穿。

110第四章电子陶瓷基本性质由于击穿时电流剧烈增大，在击穿处往往产生局部高温。火花，造成材料本身不可逆的破坏。可以发现，在击穿处有小孔、裂缝，或击穿时整个瓷体炸裂。

111第四章电子陶瓷基本性质击穿时的电压称击穿电压Uj，相应的电场强度称击穿电场强度或绝缘强度等，用Ej表示。在电场均匀时，

Ej=Uj/d

式中：d为击穿处介质的厚度；Ej的单位常用kV/cm。

112第四章电子陶瓷基本性质

某些陶瓷如III型电容器瓷和各种半导体瓷，击穿时往往不造成瓷体的机构破坏，电场降低后仍能恢复介电状态，这种情况也应认为击穿已经发生。

陶瓷材料的击穿电压与试样的厚度、电极的大小、形状、试验时的温度、电压的种类、加压时间、试样周围的环境等许多因素有关。113第四章电子陶瓷基本性质击穿过程进行得很快（约10-7秒），过程比较复杂。陶瓷材料的击穿强度一般在4~60kV/mm。介质击穿大致可分为电击穿和热击穿。电击穿是在电场直接作用下，介质中载流子迅速增加。这个过程约在10-7秒完成，往往击穿突然发生。114第四章电子陶瓷基本性质击穿电场强度较高，大约为106~107V/cm左右。一般认为，电击穿的发生是由于晶体能带在强电场作用下发生变化，电子直接由满带跃迁到空带发生电离所致。115第四章电子陶瓷基本性质热击穿是介质在电场作用下发生热不稳定，因温度升高而破坏。热不稳定是指在电场作用下，由于介质的电导和介质损耗，将电场能变成热能。热量在介质内部积累，温度升高，电导和损耗随温度的升高而加大，又导致温度的再升高，产生的热量大于散失的热量。由于热击穿有一个热量积累过程，所以不象电击穿那样迅速，往往介质温度急剧升高。击穿电场强度较低，104~105V/cm。116第四章电子陶瓷基本性质在直流电场下对陶瓷介质的试验表明，温度较高时可能发生热击穿，温度较低时往往发生电击穿。一般电击穿的Ej与温度无关，热击穿的Ej随温度升高而降低。但是，电击穿和热击穿温度范围的划分，并不十分准确，它与试样的组成、冷却情况、电压形式等有关，尤其电场频率对其影响很大。117第四章电子陶瓷基本性质例如，在高频交流电压下或试样散热条件不好时，热击穿的范围就能扩大到较低的温度。在均匀电场下，电性质均匀的固体介质厚度小于10-4cm时，电击穿时的Ej与试样厚度无关，热穿时的Ej

则随试样厚度增加而减小。但陶瓷是不均匀介质，通常Ej随试样厚度增加而降低。

118第四章电子陶瓷基本性质

此外，在均匀电场中，加压时间小于10-7秒时，电击穿与加压时间无关；热击穿随加压时间的增加而降低。电击穿时，Ej与试样周围媒质的温度无关；热击穿时，Ej则随周围媒质温度的增加而降低，与媒质散热情况密切关系。

119第四章电子陶瓷基本性质

§4.4光学性质（简略）

光学性质是指电子陶瓷在红外光、可见光、紫外线及各种射线作用下的一些性质。在光学领域里，主要光学材料是光学玻璃和单晶。近年来，随着遥感、计算机、激光、光纤通讯等技术的发展和“透明陶瓷”的出现，陶瓷材料在光学领域有了较重要的应用。120第四章电子陶瓷基本性质

光学材料的性质一般指它的反射、折射和吸收等性质。对陶瓷材料，主要指透光性。光照射到介质上，一部分被反射，一部分进入介质内部，发生散射和吸