阳起石磁性材料的磁畴结构与磁畴壁迁移-第1篇

18/20阳起石磁性材料的磁畴结构与磁畴壁迁移第一部分磁畴结构概述：磁性材料内部单畴结构与多畴结构。 2第二部分自旋结构：磁畴内磁矩排列方式及磁化强度。 4第三部分磁畴壁类型：布洛赫壁、尼尔壁及交叉壁等。 6第四部分磁畴壁能量：磁畴壁形成原因及能量组成。 9第五部分磁畴壁迁移机制：磁畴壁移动的方式及驱动因素。 12第六部分磁畴壁迁移速度：影响磁畴壁迁移速度的因素。 14第七部分磁畴壁迁移对磁性材料性能的影响：磁滞损耗、矫顽力等。 16第八部分磁畴壁迁移的应用：磁存储器、磁传感器等。 18

第一部分磁畴结构概述：磁性材料内部单畴结构与多畴结构。关键词关键要点单畴结构与多畴结构概述

1.单畴结构：磁畴结构的一种，其特征是整个材料中只有一个磁畴，该磁畴中的所有磁矩都沿同一方向排列。在没有外磁场的情况下，单畴结构的材料表现出磁化强度为零的特性。

2.多畴结构：磁畴结构的一种，其特征是材料中存在多个磁畴，每个磁畴中的所有磁矩都沿同一方向排列，但不同磁畴中的磁矩方向可能不同。在没有外磁场的情况下，多畴结构的材料表现出磁化强度不为零的特性。

3.磁畴壁：磁畴与磁畴之间的边界称为磁畴壁。磁畴壁的宽度很小，通常在几纳米到几微米之间。磁畴壁的性质取决于材料的类型和温度。

磁畴结构的影响因素

1.材料的成分：材料的成分会影响磁畴结构。例如，铁的磁畴结构与镍的磁畴结构不同。

2.材料的温度：材料的温度也会影响磁畴结构。随着温度的升高，磁畴的尺寸会减小，磁畴壁的数量会增加。

3.外磁场：外磁场的强度和方向会影响磁畴结构。外磁场可以改变磁畴的形状和尺寸，甚至可以导致磁畴壁的移动。

磁畴结构的应用

1.磁存储器件：磁畴结构在磁存储器件中发挥着重要作用。例如，在硬盘驱动器中，磁畴被用来存储数据。

2.磁传感器：磁畴结构在磁传感器中也发挥着重要作用。例如，霍尔效应传感器利用磁畴结构来检测磁场的强度和方向。

3.磁致伸缩材料：磁畴结构在磁致伸缩材料中也发挥着重要作用。磁致伸缩材料在磁场的作用下会发生形变，这种形变可以被用来制造执行器和传感器。磁畴结构概述：磁性材料内部单畴结构与多畴结构

磁畴是指在磁性材料内部具有自发磁化方向的区域，其磁矩方向一致。磁畴结构与材料的微观结构、热处理工艺、外加磁场等因素有关。

#单畴结构

单畴结构是指磁性材料内部只有一个磁畴，其磁矩方向一致。这种结构通常出现在颗粒尺寸较小（小于单畴临界尺寸）或外加磁场较强的材料中。在单畴结构中，材料的磁化强度与外加磁场的变化率成正比，磁滞回线呈线性。

#多畴结构

多畴结构是指磁性材料内部存在多个磁畴，其磁矩方向不一致。这种结构通常出现在颗粒尺寸较大（大于单畴临界尺寸）或外加磁场较弱的材料中。在多畴结构中，材料的磁化强度与外加磁场的变化率不呈线性关系，磁滞回线呈非线性。

磁畴结构对材料的磁性性能有很大影响。例如，单畴结构的材料具有较高的磁化强度和较低的矫顽力，而多畴结构的材料具有较低的磁化强度和较高的矫顽力。

#磁畴壁

磁畴壁是磁性材料内部相邻磁畴之间的过渡区域，其厚度约为几个纳米。磁畴壁的类型主要有三种：

布洛赫壁：布洛赫壁是最常见的磁畴壁类型，其特点是磁矩在壁面上连续变化，磁化强度从一个磁畴到另一个磁畴逐渐减小。

尼尔壁：尼尔壁是一种特殊的磁畴壁，其特点是磁矩在壁面上突然变化，磁化强度从一个磁畴到另一个磁畴发生突变。

横向壁：横向壁是一种特殊的磁畴壁，其特点是磁矩在壁面上垂直于壁面方向变化，磁化强度从一个磁畴到另一个磁畴逐渐减小。

磁畴壁的类型与材料的微观结构、热处理工艺、外加磁场等因素有关。

#磁畴壁迁移

磁畴壁迁移是指磁畴壁在材料内部的运动。磁畴壁迁移可以由外加磁场、应力、温度变化等因素引起。磁畴壁迁移可以改变材料的磁化状态，因此对材料的磁性性能有很大影响。

磁畴壁迁移的机制主要有两种：

交换作用机制：交换作用机制是指磁畴壁迁移是由相邻磁畴之间的交换作用引起的。交换作用是一种量子力学效应，其本质是电子自旋之间的相互作用。

磁晶各向异性机制：磁晶各向异性机制是指磁畴壁迁移是由材料的磁晶各向异性引起的。磁晶各向异性是指材料中某些晶体方向比其他方向更容易被磁化。

磁畴壁迁移的机制与材料的微观结构、热处理工艺、外加磁场等因素有关。第二部分自旋结构：磁畴内磁矩排列方式及磁化强度。关键词关键要点自旋结构：磁畴内磁矩排列方式及磁化强度。

1.磁畴：磁畴是磁性材料中磁矩排列整齐的区域，磁畴内的磁矩方向基本一致。磁畴的形状和大小取决于材料的类型、温度、外加磁场等因素。

2.磁化强度：磁化强度是磁性材料单位体积中磁矩的总和，表示材料的磁化程度。磁化强度的大小取决于磁畴的数量、磁畴的大小和磁畴的磁矩方向。

3.磁畴壁：磁畴壁是磁畴之间磁矩方向发生变化的区域，是磁畴结构的重要组成部分。磁畴壁的类型有多种，包括布洛赫壁、内尔壁、交叉壁等，不同类型的磁畴壁具有不同的结构和能量。

磁畴结构的磁化强度

1.磁化强度是磁性材料单位体积中磁矩的总和，表示材料的磁化程度。

2.磁畴结构的磁化强度与磁畴的数量、磁畴的大小和磁畴的磁矩方向有关。

3.在外加磁场的作用下，磁畴的磁矩方向会发生变化，从而导致材料的磁化强度发生变化。自旋结构：磁畴内磁矩排列方式及磁化强度

磁畴是磁性材料中磁化强度均匀且方向相同的区域，是磁畴壁将材料分割成的磁矩有序排列的区域。在磁畴内部，所有的磁矩都指向同一个方向，在磁畴壁处，磁矩方向发生变化，形成磁化强度的梯度。

1、磁矩排列方式

自旋结构是指磁畴内磁矩的排列方式。常见的自旋结构有：

-顺磁性自旋结构：所有磁矩都指向同一个方向，即沿着外加磁场的同一方向，材料的磁化强度与外加磁场强度成正比。

-反铁磁性自旋结构：相邻的原子磁矩大小相等，方向相反，相互抵消，材料的总磁化强度为零。

-亚铁磁性自旋结构：相邻的原子磁矩大小相等，方向相反，但是不能完全抵消，材料的总磁化强度不为零，但比顺磁性材料的磁化强度小。

-铁磁性自旋结构：相邻的原子磁矩大小相等，方向相同，材料的总磁化强度最大。

2、磁化强度

磁化强度是材料单位体积的磁矩，是描述材料磁性的重要参数。材料的磁化强度与自旋结构有关，不同的自旋结构对应不同的磁化强度。

-顺磁性材料的磁化强度与外加磁场强度成正比，材料的磁化强度随着外加磁场强度的增加而增加。

-反铁磁性材料的总磁化强度为零，因为相邻的原子磁矩相互抵消。

-亚铁磁性材料的总磁化强度不为零，但比顺磁性材料的磁化强度小，因为相邻的原子磁矩不能完全抵消。

-铁磁性材料的总磁化强度最大，因为相邻的原子磁矩大小相等，方向相同。

3、自旋结构与磁畴壁迁移

自旋结构与磁畴壁迁移密切相关。磁畴壁是将磁畴分隔开的边界，是磁化强度发生变化的区域。当外加磁场作用于材料时，磁畴壁会发生迁移，导致材料的磁化强度发生变化。

磁畴壁迁移的容易程度与自旋结构有关。在顺磁性材料中，自旋结构是无序的，磁畴壁容易迁移。在反铁磁性材料中，自旋结构是有序的，磁畴壁不容易迁移。在亚铁磁性材料中，自旋结构是有序的，但磁畴壁容易迁移。在铁磁性材料中，自旋结构是有序的，磁畴壁不容易迁移。第三部分磁畴壁类型：布洛赫壁、尼尔壁及交叉壁等。关键词关键要点布洛赫壁

1.布洛赫壁是磁畴壁的一种，以其发现者利昂·布洛赫的名字命名。

2.布洛赫壁是一种180度畴壁，这意味着相邻磁畴的磁化方向之间相差180度。

3.布洛赫壁的厚度约为几个纳米，并且通常是弯曲的，以最小化磁畴壁的能量。

尼尔壁

1.尼尔壁是磁畴壁的另一种类型，以其发现者路易斯·尼尔的名字命名。

2.尼尔壁是一种90度畴壁，这意味着相邻磁畴的磁化方向之间相差90度。

3.尼尔壁的厚度约为一个纳米，并且通常是笔直的，因为尼尔壁的能量与壁的弯曲半径无关。

交叉壁

1.交叉壁是一种特殊的磁畴壁，由布洛赫壁和尼尔壁的组合而成。

2.交叉壁通常出现在具有高磁畴壁能量的材料中，因为交叉壁可以降低壁的总能量。

3.交叉壁的形状和结构取决于材料的磁畴壁能量以及外加磁场的强度和方向。磁畴壁类型：布洛赫壁、尼尔壁及交叉壁

磁畴壁是磁畴之间磁矩方向发生变化的区域。磁畴壁的类型主要有布洛赫壁、尼尔壁和交叉壁。

1.布洛赫壁

布洛赫壁是磁畴壁中最常见的一种类型。它是由法国物理学家路易·布洛赫于1932年首次提出的。布洛赫壁的结构模型如下：

-磁矩在磁畴壁中心线处垂直于磁畴壁平面。

-磁矩在磁畴壁两侧逐渐旋转，直到与相邻磁畴的磁矩平行。

-磁畴壁的厚度约为100nm。

布洛赫壁的能量密度较低，因此它是最常见的磁畴壁类型。

2.尼尔壁

尼尔壁是由美国物理学家路易斯·尼尔于1944年首次提出的。尼尔壁的结构模型如下：

-磁矩在磁畴壁中心线处平行于磁畴壁平面。

-磁矩在磁畴壁两侧逐渐旋转，直到与相邻磁畴的磁矩平行。

-尼尔壁的厚度约为几纳米。

尼尔壁的能量密度比布洛赫壁高，因此它不如布洛赫壁常见。尼尔壁主要存在于薄磁膜材料中。

3.交叉壁

交叉壁是磁畴壁的一种特殊类型。它是由磁矩在磁畴壁平面内旋转而形成的。交叉壁的结构模型如下：

-磁矩在磁畴壁中心线处平行于磁畴壁平面。

-磁矩在磁畴壁两侧逐渐旋转，直到与相邻磁畴的磁矩平行。

-交叉壁的厚度约为几纳米。

交叉壁的能量密度比布洛赫壁和尼尔壁都要高，因此它是最不常见的磁畴壁类型。交叉壁主要存在于具有强磁各向异性的材料中。

磁畴壁的迁移

当外加磁场作用于磁畴壁时，磁畴壁会发生迁移。磁畴壁迁移的速率取决于外加磁场的强度和磁畴壁的类型。

外加磁场强度越大，磁畴壁迁移的速率就越大。这是因为外加磁场会对磁畴壁两侧的磁矩施加力，使磁畴壁发生移动。

不同类型的磁畴壁对磁畴壁迁移的反应不同。布洛赫壁对磁畴壁迁移的反应最灵敏，尼尔壁对磁畴壁迁移的反应最迟钝。

磁畴壁迁移是磁畴结构发生变化的重要机制之一。磁畴壁迁移可以通过改变磁畴的形状和尺寸来影响材料的磁性能。例如，磁畴壁迁移可以导致磁畴的消失或产生，从而改变材料的磁化强度。磁畴壁迁移还可以导致磁畴的形状发生变化，从而影响材料的磁各向异性。第四部分磁畴壁能量：磁畴壁形成原因及能量组成。关键词关键要点磁畴壁形成原因

1.自旋交换作用：磁矩相互作用的能量在磁畴壁处出现不连续变化，导致能量增加。

2.退磁效应：当磁畴壁远离畴壁中心时，磁畴壁的磁矩会因退磁效应而减小，导致能量增加。

3.磁晶各向异性：由于晶体结构的影响，磁畴壁的磁矩方向可能与优选方向不一致，导致能量增加。

4.外加磁场：外加磁场会影响磁畴壁的位置和形状，导致能量增加。

磁畴壁能量组成

1.交换作用能：磁畴壁处原子磁矩之间的相互作用能。

2.晶格畸变能：磁畴壁处晶格畸变引起的能量。

3.磁各向异性能：磁畴壁处磁矩与优选方向之间的相互作用能。

4.外加磁场能：外加磁场对磁畴壁的影响导致的能量。#磁畴壁能量：磁畴壁形成原因及能量组成

磁畴壁形成原因

1.退磁能的降低：退磁能是磁畴内磁矩与外磁场方向相反时产生的能量。当磁畴壁形成时，磁畴内磁矩与外磁场方向一致，退磁能降低。

2.交换相互作用能的增加：交换相互作用能是相邻原子磁矩之间的相互作用能。当磁畴壁形成时，相邻原子磁矩方向发生变化，交换相互作用能增加。

3.晶格畸变能的增加：当磁畴壁形成时，晶格结构发生畸变，晶格畸变能增加。

4.表面能的增加：当磁畴壁形成时，磁畴表面积增加，表面能增加。

磁畴壁能量组成

磁畴壁能量是退磁能、交换相互作用能、晶格畸变能和表面能的总和。通常，退磁能是磁畴壁能量的主要组成部分。

1.退磁能：退磁能是磁畴内磁矩与外磁场方向相反时产生的能量。当磁畴壁形成时，磁畴内磁矩与外磁场方向一致，退磁能降低。退磁能可以表示为：

```

E_d=-μ0M·H

```

式中：

*E_d是退磁能

*μ0是真空磁导率

*M是磁矩

*H是外磁场强度

2.交换相互作用能：交换相互作用能是相邻原子磁矩之间的相互作用能。当磁畴壁形成时，相邻原子磁矩方向发生变化，交换相互作用能增加。交换相互作用能可以表示为：

```

E_e=-JΣSi·Sj

```

式中：

*E_e是交换相互作用能

*J是交换相互作用常数

*Si和Sj是相邻原子磁矩

3.晶格畸变能：当磁畴壁形成时，晶格结构发生畸变，晶格畸变能增加。晶格畸变能可以表示为：

```

E_l=K(∇·M)^2

```

式中：

*E_l是晶格畸变能

*K是晶格畸变常数

*M是磁矩

4.表面能：当磁畴壁形成时，磁畴表面积增加，表面能增加。表面能可以表示为：

```

E_s=σA

```

式中：

*E_s是表面能

*σ是表面能系数

*A是表面面积第五部分磁畴壁迁移机制：磁畴壁移动的方式及驱动因素。关键词关键要点【磁畴壁去钉扎机制】：

1.磁畴壁的去钉扎是指磁畴壁从钉扎位点挣脱的过程。

2.磁畴壁的去钉扎机制包括：热激活、应力诱发、磁场诱发和电流诱发。

3.热激活是磁畴壁去钉扎的最常见机制，是指磁畴壁在热能的激励下挣脱钉扎位点。

4.应力诱发的磁畴壁去钉扎是指在应力的作用下，磁畴壁的钉扎位置发生改变，从而导致磁畴壁挣脱钉扎位点。

5.磁场诱发的磁畴壁去钉扎是指在外加磁场的作用下，磁畴壁的钉扎位置发生改变，从而导致磁畴壁挣脱钉扎位点。

6.电流诱发的磁畴壁去钉扎是指在外加电流的作用下，磁畴壁的钉扎位置发生改变，从而导致磁畴壁挣脱钉扎位点。

【磁畴壁移动机制】：

磁畴壁迁移机制：磁畴壁移动的方式及驱动因素

磁畴壁的迁移是磁畴结构改变的基本过程，也是磁性材料磁化反转的基本机制。磁畴壁迁移的方式有多种，包括：

1.交换相互作用驱动迁移：磁畴壁的迁移可以通过交换相互作用驱动。当磁畴壁移动时，相邻原子之间的交换相互作用会发生变化，从而导致磁畴壁两侧的磁矩发生重新排列，使磁畴壁移动。

2.磁场驱动迁移：磁畴壁也可以通过外加磁场驱动迁移。当外加磁场的方向与磁畴壁的磁化方向相反时，磁畴壁将向外加磁场的方向移动。这是因为外加磁场对磁畴壁两侧的磁矩施加了不同的力，从而导致磁畴壁移动。

3.应力驱动迁移：磁畴壁还可以通过应力驱动迁移。当磁性材料受到应力时，磁畴壁的结构和位置会发生变化，从而导致磁畴壁移动。这是因为应力改变了磁性材料的磁各向异性，从而导致磁畴壁移动。

4.温度驱动迁移：磁畴壁也可以通过温度驱动迁移。当磁性材料的温度升高时，磁畴壁的能量会增加，从而导致磁畴壁移动。这是因为温度升高导致磁性材料的磁各向异性减弱，从而导致磁畴壁移动。

5.磁化反转驱动迁移：磁畴壁也可以通过磁化反转驱动迁移。当磁性材料的一个磁畴发生磁化反转时，相邻磁畴的磁畴壁将移动，以适应新的磁化方向。这是因为磁化反转导致磁畴壁两侧的磁矩发生重新排列，从而导致磁畴壁移动。

磁畴壁迁移的驱动力主要包括：

1.交换相互作用：交换相互作用是磁畴壁迁移的主要驱动力。交换相互作用是磁矩之间的相互作用，它试图使相邻原子之间的磁矩平行排列。当磁畴壁移动时，相邻原子之间的交换相互作用会发生变化，从而导致磁畴壁两侧的磁矩发生重新排列，使磁畴壁移动。

2.磁场：外加磁场也可以驱动磁畴壁迁移。当外加磁场的方向与磁畴壁的磁化方向相反时，磁畴壁将向外加磁场的方向移动。这是因为外加磁场对磁畴壁两侧的磁矩施加了不同的力，从而导致磁畴壁移动。

3.应力：应力也可以驱动磁畴壁迁移。当磁性材料受到应力时，磁畴壁的结构和位置会发生变化，从而导致磁畴壁移动。这是因为应力改变了磁性材料的磁各向异性，从而导致磁畴壁移动。

4.温度：温度也可以驱动磁畴壁迁移。当磁性材料的温度升高时，磁畴壁的能量会增加，从而导致磁畴壁移动。这是因为温度升高导致磁性材料的磁各向异性减弱，从而导致磁畴壁移动。

5.磁化反转：磁化反转也可以驱动磁畴壁迁移。当磁性材料的一个磁畴发生磁化反转时，相邻磁畴的磁畴壁将移动，以适应新的磁化方向。这是因为磁化反转导致磁畴壁两侧的磁矩发生重新排列，从而导致磁畴壁移动。第六部分磁畴壁迁移速度：影响磁畴壁迁移速度的因素。关键词关键要点【磁畴壁迁移速度】：

1.磁畴壁迁移速度是一个关键的研究领域，因为它对磁性材料的性能有重大影响。磁畴壁是磁性材料中自旋方向突然变化的边界。磁畴壁的移动可以改变材料的磁化方向，从而改变材料的磁性能。

2.磁畴壁迁移速度受多种因素的影响，包括温度、磁场、材料的微观结构和畴壁的类型。温度对磁畴壁迁移速度也有很大影响，在低温下，磁畴壁迁移速度较慢，而在高温下，磁畴壁迁移速度较快。

3.磁畴壁迁移速度与材料的微观结构有关，在单晶材料中，磁畴壁迁移速度比在多晶材料中快。在多晶材料中，晶粒边界阻碍了磁畴壁的移动，导致磁畴壁迁移速度降低。

【磁畴壁迁移的热激活过程】：

磁畴壁迁移速度：影响磁畴壁迁移速度的因素

磁畴壁迁移速度是指磁畴壁在磁场作用下移动的速度。其本质是磁畴壁两侧的磁力矩在磁场作用下发生旋转，从而使磁畴壁移动。磁畴壁迁移速度受多种因素的影响，主要包括以下几个方面：

1.磁场强度：磁场强度越大，磁畴壁迁移速度越快。这是因为磁场强度越大，磁畴壁两侧的磁力矩受到的转矩越大，从而导致磁畴壁旋转速度越快。

2.磁畴壁厚度：磁畴壁厚度越小，磁畴壁迁移速度越快。这是因为磁畴壁厚度越小，磁畴壁两侧的磁力矩受到的转矩越大，从而导致磁畴壁旋转速度越快。

3.磁畴壁能垒：磁畴壁能垒越高，磁畴壁迁移速度越慢。这是因为磁畴壁能垒越高，磁畴壁两侧的磁力矩需要克服更大的阻力才能旋转，从而导致磁畴壁旋转速度越慢。

4.温度：温度越高，磁畴壁迁移速度越快。这是因为温度越高，材料中的热能越大，磁力矩更容易克服磁畴壁能垒，从而导致磁畴壁旋转速度越快。

5.晶体结构：晶体结构对磁畴壁迁移速度也有影响。一般来说，各向异性常数越小，磁畴壁迁移速度越快。这是因为各向异性常数越小，磁力矩更容易克服磁畴壁能垒，从而导致磁畴壁旋转速度越快。

6.磁畴壁缺陷：磁畴壁缺陷，如杂质、空穴等，也会影响磁畴壁迁移速度。这些缺陷会使磁畴壁旋转速度减慢，从而导致磁畴壁迁移速度减慢。第七部分磁畴壁迁移对磁性材料性能的影响：磁滞损耗、矫顽力等。关键词关键要点磁滞损耗

1.磁畴壁迁移是磁性材料中磁化反转的基本机制之一，它是磁畴壁在材料中移动的过程。磁畴壁迁移对磁性材料的性能有重要影响，其中之一就是磁滞损耗。

2.磁滞损耗是指在磁化过程中材料吸收的能量与在退磁过程中释放的能量之间的差值。磁滞损耗是磁性材料的重要性能参数，它反映了材料的能量损耗情况。

3.磁畴壁迁移对磁滞损耗的影响是复杂的，它取决于材料的微观结构、外加磁场的强度和方向以及温度等因素。一般来说，磁畴壁迁移越容易发生，磁滞损耗就越小。

矫顽力

1.矫顽力是指使材料的磁化强度从饱和状态变为零所需的磁场强度。矫顽力是磁性材料的重要性能参数，它反映了材料的抗退磁能力。

2.磁畴壁迁移对矫顽力的影响也是复杂的，它取决于材料的微观结构、外加磁场的强度和方向以及温度等因素。一般来说，磁畴壁迁移越容易发生，矫顽力就越小。

3.在某些情况下，磁畴壁迁移甚至可以导致矫顽力的消失，这种现象称为磁畴壁软化。磁畴壁软化在某些应用中是很有利的，例如，它可以降低磁性材料的能量损耗和提高材料的磁导率。磁畴壁迁移对磁性材料性能的影响：磁滞损耗、矫顽力等

#磁滞损耗

磁滞损耗是指磁性材料在磁化过程中所消耗的能量，是磁性材料性能的重要指标之一。磁滞损耗主要由磁畴壁迁移引起的，磁畴壁迁移时，需要克服晶格缺陷、原子间的相互作用等阻力，从而消耗能量。磁滞损耗的大小与磁畴壁迁移的难易程度有关，磁畴壁迁移越难，磁滞损耗就越大。

磁滞损耗的具体表现为磁滞回线的面积，磁滞回线面积越大，磁滞损耗就越大。对于传统的软磁材料，如铁、钴、镍等，其磁滞回线面积较大，磁滞损耗也较大。而对于新型软磁材料，如非晶态合金、纳米晶体合金等，其磁滞回线面积较小，磁滞损耗也较小。

磁滞损耗对磁性材料的应用性能有很大影响。磁滞损耗大的材料，在交流磁场中发热严重，效率低，不适合于高频应用。而磁滞损耗小的材料，在交流磁场中发热较小，效率高，适合于高频应用。

#矫顽力

矫顽力是指使磁性材料的磁化强度从饱和状态变为零所需的磁场强度，是磁性材料性能的另一个重要指标。矫顽力的大小与磁畴壁迁移的难易程度有关，磁畴壁迁移越难，矫顽力就越大。

矫顽力的具体表现为磁滞回线的宽度，磁滞回线越宽，矫顽力就越大。对于传统的软磁材料，如铁、钴、镍等，其磁滞回线较宽，矫顽力也较大。而对于新型软磁材料，如非晶态合金、纳米晶体合金等，其磁滞回线较窄，矫顽力也较小。

矫顽力对磁性材料的应用性能也有很大影响。矫顽力大的材料，不易退磁，适合于制作永磁体。而矫顽力小的材料，容易退磁，适合于制作软磁材料，如电感器、变压器等。

#其他性能

除了磁滞损耗和矫顽力外，磁畴壁迁移还对磁性材料的其他性能有影响，如磁导率、磁渗透率、磁热效应等。磁畴壁迁移越难，磁导率和磁渗透率就越高，磁热效应就越弱。反之，磁畴壁迁移越