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试题编号： 试题名称：半导体物理半导体物理考试试卷〔20XX-11〕填空〔134分〕

姓名 学号纯洁半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放 种杂质称 杂质；相应的半导体称 型半导体。当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 动；在半导体存在外加电压状况下，载流子将做 3．np=n2标志着半导体处于 状态，当半导体掺入的杂质含量oo i转变时，乘积np转变否？ ；当温度变化时，np转变oo oo否？ 。非平衡载流子通过 而消逝， 叫做寿命τ，寿命τ与 在 亲热相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为 ，寿命τp为 。是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 ，称为 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 和。前者在 下起主要作用，后者在15页试题编号： 试题名称：半导体物理下起主要作用。半导体中浅能级杂质的主要作用是 能级杂质所起的主要作用 。CnEE的相对位置作为衡量简并化与非简并CF化的标准，那末， 为非简并条件； 并条件； 为简并条件。，反向电流密度突然开头快速增大的现象称为 ，其种类为： 、和 。指出以下图各表示的是什么类型半导体？二、将以下英文名词翻译成中文，并解释之〔624分〕〔1〕indiectrecombination 〔2〕diffusionlength〔3〕hotcarriers 〔4〕spacechargeregion25页试题编号： 试题名称：半导体物理三、简要答复〔26分〕1．〔7〕p-n流子漂移运动和集中运动的方向〔在以下图右侧直线上添加尖头即可〕。并说明集中电流和漂移电流之间的关系。释为什么会消灭这样的变化规律。35页试题编号： 试题名称：半导体物理G，空穴的寿命为τ，则光照条件下少数载流子所遵守的运动方程为pD

2p

P E P

G，t px

p

P x 写出样品在掺杂均匀条件下的方程表达式式四、计算〔16分〕1、 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.51016cm-3,掺磷5.01015cm-3。试计算：45页试题编号： 试题名称：半导体物理室温下载流子浓度〔4分〕；室温下费米能级位置〔4分〕；室温下电导率〔4分〕；：〔4〕。：室温下n=1.51010cm-3, N=2.81019cm-3,i CN=1.01019cm-3, kT=0.026eV；V 0

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