存储行业报告：AI对存储晶圆产能消耗拉动显著

2（1）经过我们的计算，AI的增长对于服务器存储需求增量较大，计算结果如下：内存：以GB200

NVL72为例——单台GB200

NVL72

（HBM+LPDDR5x）消耗晶圆片数为15.21片。SSD：以DGXH100为例为例——单台DGXH100SSD消耗晶圆0.46片。（2）AI端侧对于存储容量的需求不断增加，所需产能的计算结果如下：手机：若内存由8GB增加至16GB，DRAM晶圆新增消耗量约3643.26千片，若闪存容量由256GB增加至512GB，NAND晶圆新增消耗量约4033.61千片。PC：若内存由16GB增加至32GB，DRAM晶圆新增消耗量约1518.03千片，若闪存由512GB增加至1TB，NAND晶圆新增消耗量约1680.67千片。（3）2023年末，全球DRAM总产能约1351千片/月，NAND总产能约1157千片/月，AI的发展对于晶圆的消耗量有着比较明显的推动。投资建议：推荐标的：兆易创新，聚辰股份，受益标的：江波龙，东芯股份，北京君正，普冉股份。风险提示：下游传统需求恢复不及预期；AI产业进度不及预期；国际贸易风险。34AI01数据来源：英伟达，国泰君安证券研究单台GB200

NVL72包含36颗Grace

CPU，72颗GPU。单颗GPU使用8颗HBM3E，单颗容量3GB，堆叠层数8层。GB200

LPDDR5x容量为480GB。HBM3ELPDDR5x5AI01内存计算（以GB200

NVL72为例）HBMB200数量（个）72单颗GPU显存容量（GB）192单层DRAM容量（GB）3堆叠层数8HBM颗数8良率65%单片12寸wafer切割颗数（3GB）800单台GB200

NVL72

HBM消耗晶圆（片）8.86单GB200卡消耗晶圆（片）0.12LPDDR单个GB200内存（GB）480单颗封装容量（GB）30单个GB200内存对LPDDR5x需求颗数16单片12寸wafer切割颗数（1βnm

DDR5

16Gb）1600良率85%单台GB200

NVL72

LPDDR5x

消耗晶圆（片）6.35合计单台GB200

NVL72

HBM+LPDDR5x消耗晶圆片数（12英寸）折合单B200卡HBM+LPDDR5x消耗晶圆片数15.210.21单台GB200

NVL72

HBM消耗晶圆（假设单片晶圆切割800颗3GB

die，整体HBM3E良率65%）=（B200数量*

单颗GPU显存容量/单层DRAM容量

）

/（单片12寸wafer切割颗数*

良率）单台GB200

NVL72

LPDDR5x消耗晶圆（假设单片12英寸wafer能切出1βnm

DDR5

16Gb

1600颗，85%良率）=

（单个GB200内存对LPDDR5x需求颗数

*

单颗封装容量）

/

（单片12寸wafer切割颗数*良率）合计单台GB200

NVL72

HBM+LPDDR5x消耗晶圆片数：=

单台GB200

NVL72

HBM消耗晶圆

+

单台GB200NVL72

LPDDR5x消耗晶圆数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究6AI01SSD由于在传输速度、可靠性等方面的优势，随着价差与HDD逐步缩小，在AI服务器领域，基本全部使用SSD。在测算AI服务器对SSD需求时，我们以DGX

H100为例，单台DGXH100服务器的SSD容量为34.56

TB（2*1.92+8*3.84）。数据来源：英伟达，国泰君安证券研究AI01SSD计算（以DGX

H100为例）H100数量（个）8单台DGX

H100

SSD容量（TB）34.56单片12寸wafer切割颗数（176L

1024Gb

TLC）700良率85%单台DGX

H100SSD消耗晶圆（片）折合单卡消耗晶圆（片）0.460.058总消耗晶圆数GPU出货量（万颗）400DRAM消耗的晶圆片数（万片）84.52NAND消耗的晶圆片数（万片）23.23单台DGX

H100

SSD消耗晶圆（假设单片12英寸wafer能切出176L

1024Gb

TLC

700颗，良率85%）=（H100数量*

单台DGX

H100

SSD容量）/（单片12寸wafer容量*良率）假设GPU出货量400万颗，对于DRAM的晶圆消耗片数为84.52万片（以GB200

NVL72为例），对于NAND消耗的晶圆片数为23.23万片（以DGX

H100为例）。7数据来源：TrendForce，国泰君安证券研究8902内存当前主流手机内存（GB）8手机内存增加量（GB）8单片12寸wafer切割颗数（1βnm

DDR5

16Gb）1600良率85%单部手机增加的内存容量对于晶圆的消耗量（片）0.003全球手机销量（亿部）12手机内存增加对于DRAM晶圆消耗量（片）3529412闪存当前主流手机闪存容量（GB）256手机闪存增加量（GB）256单片12寸wafer切割颗数（176L

1024Gb

TLC）700良率85%单部手机增加的闪存容量对于晶圆的消耗量（片）0.003全球手机销量（亿部）12手机闪存增加对于NAND晶圆消耗量（片）4033613假设当前主流手机配置为8GB（RAM）+256GB（ROM）,测算全部升级为16GB+512GB，假设全球手机销量12亿部手机内存增加对于DRAM晶圆消耗增量=全球手机销量*单部手机增加的内存容量对于晶圆的消耗量=全球手机销量*（手机内存增加量/（单片12寸wafer切割容量*良率））手机闪存增加对于NAND晶圆消耗增量=全球手机销量*单部手机增加的闪存容量对于晶圆的消耗量=全球手机销量*（手机闪存增加量/（单片12寸wafer切割容量*良率））数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究1011PC03数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究内存当前主流PC内存（GB）16PC内存增加量（GB）16单片12寸wafer切割颗数（1βnm

DDR5

16Gb）1600良率85%单台PC增加的内存容量对于晶圆的消耗量（片）0.006全球PC销量（亿台）2.5PC内存增加对于DRAM晶圆消耗量（片）1470588闪存当前主流PC闪存容量（GB）512PC闪存增加量（GB）512单片12寸wafer切割颗数（176L

1024Gb

TLC）700良率85%单台PC增加的闪存容量对于晶圆的消耗量（片）0.007全球PC销量（亿台）2.5PC闪存增加对于NAND晶圆消耗量（片）1680672假设当前主流PC配置为16GB（RAM）+512GB（ROM）,测算全部升级为32GB+1TB，假设全球PC销量2.5亿台PC内存增加对于DRAM晶圆消耗增量=全球PC销量*单部PC增加的内存容量对于晶圆的消耗量=全球PC销量*（PC内存增加量/单片12寸wafer内存容量*良率））PC闪存增加对于NAND晶圆消耗增量=全球PC销量*单部PC增加的闪存容量对于晶圆的消耗量=全球PC销量*（PC闪存增加量/（单片12寸wafer闪存容量*良率））121304数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究全球存储晶圆产能较为集中，DRAM晶圆产能主要集中在三星、海力士、美光中，NAND晶圆产能主要集中在三星、铠侠、海力士中。根据trendforce，截止2023年底DRAM月产能达到1351千片，NAND月产能达到1157千片。2023年末全球DRAM晶圆2023年末全球NAND晶圆产能1404数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究从需求侧看，DRAM晶圆需求主要集中在服务器，移动市场，PC三部分，其中服务器占比36.71%，移动占比37.67%，PC占比11.95%，NAND需求主要集中在手持设备，企业级SSD，PC

SSD三部分，其中手持设备占比32.17%，企业级SSD占比18.45%，PC

SSD占比24.82%。2023年全球DRAM晶圆需求（年/千片）2023年全球NAND晶圆需求（年/千片）151605数据来源：

TrendForce，国泰君安证券研究

•••1705当前的存储价格距离高点仍有较大空间，AI新增需求有望延续存储价格上涨趋势。我们分别为以DDR4

16Gb(2Gx8)2666Mbps、512Gb

TLC

wafer为例，其中DDR4

16Gb(2Gx8)2666

Mbps当前（2024年4月19日）的价格约为3.64美元，距离2022年高点7.89美元差距超过一倍；512Gb

TLC

wafer当前（2024年4月8日）价格为3.76美元，而2022年价格高点为4.59美元。9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.00现货平均价:DRAM:DDR4

16Gb(2Gx8)2666

Mbps（美元）5.004.504.003.503.002.502.001.501.000.500.00现货平均价:Wafer:512Gb

TLC（美元）数据来源：DRAMEXCHANGE，国泰君安证券研究181906推荐国内存储晶圆相关标的，包括存在