《变频器内部结构》

（内部资料注意保存）《中国工业自动化培训网》变频器原理应用维修ACInverterApplicationTechnology1《变频器内部结构》5/9/2024变频器内部结构6.1变频器的组成变频器为了适应工程需要，要有一系列控制端子，要有操作面板，要能够进行程序的读出写入，变频器内部，为了进行工作时的保护，要设置相应的保护电路。2《变频器内部结构》5/9/2024变频器内部结构变频器结构框图3《变频器内部结构》5/9/2024变频器内部结构4《变频器内部结构》5/9/2024变频器内部结构6.1.1主电路整流电路、起动保护、滤波电路、逆变电路、指示电路、制动单元、输入端子、输出端子。5《变频器内部结构》5/9/2024不同系列交-直-交变频器内部的主体电路基本相同，变频调速过程中出现的许多现象都可通过主体电路来进行分析。因此，熟悉主体电路的结构，透彻了解各部分的原理，具有十分重要的意义。一、交-直变换交-直变换电路就是整流和滤波电路，其任务是把电源的三相（或单相）交流电变换成平稳的直流电。由于整流后的直流电压较高，且不允许再降低，因此，在电路结构上具有特殊性。变频器内部结构6《变频器内部结构》5/9/2024变频器内部结构（补充）1.整流电路VD1—VD6整流二极管，c1、c2，滤波电容，RL，限流电阻。7《变频器内部结构》5/9/20241、全波整流电路在SPWM变频器中，大多采用桥式全波整流电路。在中、小容量的变频器中，整流器件采用不可控的整流二极管或二极管模块，如图中的VD1-VD6所示。当三相线电压为380V时，整流后的峰值电压为537V，平均电压为515V。变频器内部结构*U2

是整流变压器二次侧额定相电压的有效值。8《变频器内部结构》5/9/2024当0<

</2时，Ud0>0，晶闸管装置处于整流状态，电功率从交流侧输送到直流侧；当

/2<

<

max时，Ud0<0，装置处于有源逆变状态，电功率反向传送。为避免逆变颠覆，应设置最大的移相角限制。相控整流器的电压控制曲线如下图整流与逆变状态9《变频器内部结构》5/9/2024相控整流器的电压控制曲线

O通过设置控制电压限幅值，来限制最大触发角。逆变颠覆限制10《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构11《变频器内部结构》5/9/20242滤波及限流电路（1）滤波电路，即上图中的CF1和CF2。由于受到电解电容的电容量和耐压能力的限制，滤波电路通常由若干个电容器并联成一组，又由两个电容器组CF1和CF2串联而成。因为电解电容的电容量有较大的离散性，故电容器组CF1和CF2的电容量常不能完全相等。其结果是各电容器组承受的电压UD1和UD2不相等，使承受电压较高一测的电容器组容易损坏。

为了使UD1和UD2相等，在CF1和CF2旁各并联一个阻值相等的均压电阻RC1和RC2。第六章：变频器内部结构12《变频器内部结构》5/9/2024（2）限流电路，即如上图中，串接在整流桥和滤波电容器之间，由限流电阻RL和电路开关SL组成的并联电路。限流电阻RL的作用是：变频器在接入电源之前，滤波电容CF上的直流电压UD=0。因此，当变频器刚接入电源的瞬间，将有一个很大的冲击电流经过整流桥流向滤波电容，使整流桥可能因此而受到损坏。如果电容器的容量很大，还会使电源电压瞬间下降而形成对电网的干扰。限流电阻RL就是为了削弱该冲击电流而串接在整流桥与滤波电容之间的。短路开关SL的作用是：限流电阻RL如长期接在电路内，会影响直流电压UD和变频器输出电压的大小。所以，当UD增大到一定程度时，令短路开关SL接通，把RL切出电路。SL大多由晶闸管构成，在容量较小的变频器中，也常有接触器或继电器的触点构成。第六章：变频器内部结构13《变频器内部结构》5/9/20243、电源指示电源指示灯HL除了表示电源是否接通外，还有一个十分重要的功能，即在变频器切断电源后，表示滤波电容器CF上的电荷是否已经释放完毕。由于CF的容量较大，而切断电源又必须在逆变电路停止工作的状态下进行，所以CF没有快速放电的回路，其放电时间往往长达数分钟。又由于CF上的电压较高，如不放完，对人身安全将构成威胁。故在维修变频器时，必须等HL完全熄灭后才能接触变频器内部的导电部分，所以，HL也具有提示保护作用。14《变频器内部结构》5/9/20241、三相逆变桥电路逆变桥电路的功能是把直流电转换成三相交流电，其工作原理在本章第一节已经说明。逆变桥电路由下图中的开关器件V1-V6构成。目前中小容量的变频器中，开关器件大部分使用IGBT管。第六章：变频器内部结构15《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构16《变频器内部结构》5/9/20242、续流电路由图中的VD7-VD12构成。其功能是：（1）为电动机绕组的无功电流返回直流电路时提供通路。（2）当频率下降从而同步转速下降时，为电动机的再生电能反馈至直流电路提供通路。（3）为电路的寄生电感在逆变过程中释放能量提供通路。3、缓冲电路（R01-R06、CO1-C06、VD01-VD06）逆变管在关断和导通的瞬间，其电压和电流的变化率是很大的，有可能使逆变管受到损害。因此，每个逆变管旁还应接入缓冲电路，以减缓电压和电流的变化率。缓冲电路的结构因逆变管的特性和容量等的不同而有较大差异，下图是比较典型的一种2-27。各元件的功能如下：

17《变频器内部结构》5/9/202418《变频器内部结构》5/9/2024（1）电容C01-C06。逆变管V1-V6每次由导通状态转换成截止状态的过程中，集电极（C极）和发射极（E极）之间的电压UCE将极为迅速地由近乎0V上升至直流电压值UD。在此过程中，电压增长率是很高的，将容易导致逆变管的损坏。C01--C06的功能便是减小V1-V6在关断时的电压增长率（2）电阻R01-R06。V1-V6每次由截止状态转换为导通状态时，C01-C06上所冲的电压（等于UD）将向V1-V6放电。放电电流的初始值是很大的，并且将迭加到负载电流上，导致V1-V6损坏。电阻R01-R06就是用来限制C01-C06对V1-V6的放电电流的。（3）二极管VD01-VD02。限流电阻R01-R06的接入，又会影响C01-C06在V1-V6的关断时限制电压增长率的效果。VD01-VD02接入后，在V1-V6的关断过程中，使R01-R06不起作用。第六章：变频器内部结构19《变频器内部结构》5/9/2024实例：ABBACS80020《变频器内部结构》5/9/2024单相逆变桥原理21《变频器内部结构》5/9/2024变频的方法22《变频器内部结构》5/9/2024三相逆变桥23《变频器内部结构》5/9/2024三、能耗制动电路1、能耗制动电路的作用在变频调速系统中，电动机的降速和停机，是通过逐渐减小频率来实现的。在频率刚减小的瞬间，电动机的同步转速随之下降，而由于机械惯性的原因，电动机的转速未变。当同步转速低于这个转速时，转子绕组切割磁力线的方向相反了，转子电流的相位几乎改变了，使电动机处于发电状态，也称为再生制动状态。电动机再生的电能经下图中的续流二极管（VD7-VD12）全波整流后反馈到直流电路中，由于直流电路的电能无法回输给电网，只能由CF1和CF2吸收，使直流电压升高，称为“泵升电压”。过高的直流电压将使变流器件受到损害。因此，当直流电压超过一定值时，就要求提供一条放电回路，将再生的电能消耗掉。这一条放电回路，就是能耗制动电路。24《变频器内部结构》5/9/20242、能耗电路的构成能耗电路由制动电阻RB和制动单元BV构成，如图所示。电阻能耗制动采用的方法是在变频器直流侧加放电电阻单元组件，将再生电能消耗在功率电阻上来实现制动。这是一种处理再生能量的最直接的办法，它是将再生能量通过专门的能耗制动电路消耗在电阻上，转化为热能25《变频器内部结构》5/9/202426《变频器内部结构》5/9/2024制动电阻RB用于消耗掉直流电路中的多余电能，直流电压保持平稳。制动单元BV的功能是控制放电回路的工作。具体地说，当直流回路的电压UD超过规定的限值时，VB导通，使直流回路通过RB释放能量，降低直流电压。而当UD在正常范围内时，BV将可靠截止，以避免不必要的能量损失。第六章：变频器内部结构27《变频器内部结构》5/9/2024四、主电路将上述各部分电路汇总后成为主电路，如下图所示。28《变频器内部结构》5/9/2024五、电路结构29《变频器内部结构》5/9/2024逆变原理PWM1）逆变原理下面分析怎样将一个直流电变为正弦波的问题。①采样原理

PWM技术的理论基础是采样控制理论中的面积等效控制原理。即：加在惯性环节上的窄脉冲，尽管形状不同，只要面积相等，其作用在惯性环节上的效果相同（惯性环节就是电感、电容）。30《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构②脉宽调制波SPWM：将一个正弦波电压分为N等份，并把正弦曲线每一等份所包围的面积都用一个与其面积相等的等幅矩形脉冲来代替，脉冲的宽度与正弦波的大小成正比，这样得到的脉冲列，就是SPWM波。

实际应用中SPWM波的形成：调制方法：利用载波和调制波相比较方式来确定脉宽和间隔。调制波ur：所希望生成的等效正弦波载波uc：等腰三角波或锯齿波31《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2)sPWM波的生成按照调制脉冲的极性关系，PWM逆变电路的控制方式分为：①单极性控制:任一时刻载波与调制波的极性相同，在任意半个周期SPWM波单方向变化；正半周：ur＞uc时，有脉冲；ur＜uc时，无脉冲。副半周：ur＜uc时，有脉冲；ur＞uc时，无脉冲。32《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2)双极性控制：载波双方向变化，在任意半个周期SPWM波双方向变化；ur＞uc时，正脉冲；ur＜uc时，负脉冲33《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构3)三相逆变波形加在6只逆变管上的信号都为开关信号，6只逆变管就相当于6个开关，管子导通相当于开关闭合，截止时相当于开关断开。34《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构35《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构36《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构37《变频器内部结构》5/9/2024常用电力电子器件的类型1.按器件能够被控制电路信号所控制的程度分1）不可控器件不可控器件不能用控制信号来控制其通断。如电力二极管（PowerDiode），器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定。第六章：变频器内部结构38《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构1）二极管二极管是单向导电器件，加正向电压，导通，相当开关闭合；加反向电压，截止，相当于开关断开39《变频器内部结构》5/9/20242）半控型器件半控型器件通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。如晶闸管Thyristor及其大部分派生器件，器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定。3）全控型器件全控型器件通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。如绝缘栅双极晶体管IGBT、功率、门极可关断晶闸管GTO等。第六章：变频器内部结构40《变频器内部结构》5/9/20242.按驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质分

1）电流驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。常见的有普通晶闸管、门极可关断晶闸管GTO等。第六章：变频器内部结构41《变频器内部结构》5/9/20242）电压驱动型通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号来实现导通或者关断的控制。电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态，所以又称为场控器件或场效应器件。常见的有功率场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极晶体管IGBT等第六章：变频器内部结构42《变频器内部结构》5/9/20243.按器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分1）单极型器件只有一种载流子参与导电的器件，常见的单极型器件有功率场效应晶体管MOSFET和静电感应晶体管SIT。2）双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电的器件，常见的双极型器件有晶闸管（包括普通晶闸管SCR、双向晶闸管TRIAC、逆导晶闸管RCT、非对称晶闸管ASCR、功率晶体管GTR、门极可关断晶闸管GTO、静电感应晶闸管SITH。43《变频器内部结构》5/9/20243）复合型器件由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件，一般是以普通晶闸管、GTR或GTO为主导元件，以MOSFET为控制元件复合而成的。常见的复合型器件有绝缘栅型双极型晶体管IGBT、MOS控制晶闸管MCT以及功率集成电路。第六章：变频器内部结构44《变频器内部结构》5/9/2024图6-1电力电子器件分类树第六章：变频器内部结构45《变频器内部结构》5/9/20241.晶闸管的结构晶闸管的外形、内部结构和电气图形符号，如图6-2所示。

图6-2晶闸管的外形、内部结构和电气图形符号第六章：变频器内部结构46《变频器内部结构》5/9/20242.晶闸管的工作原理为了说明晶闸管的导电原理，可按如下图所示的电路做一个简单的实验。47《变频器内部结构》5/9/20243.晶闸管的导通条件从上述实验可以看出，晶闸管导通必须同时具备两个条件：（1）晶闸管阳极电路加适当的正向电压；（2）门极电路加适当的正向电压（实际工作中，门极加正触发脉冲信号），且晶闸管一旦导通，门极将失去控制作用。晶闸管的双晶体管模型可以用一对互补三极管代替晶闸管的等效电路来解释，如下图所示。48《变频器内部结构》5/9/2024

按照上述等效原则，可将图（a）中的结构图改画为图2-4（b）中的电路图，并用V1和V2管代替晶闸管。49《变频器内部结构》5/9/20244、晶闸管的工作状态晶体管的特性是在低发射极电流下电流放大系数α很小，而当发射极电流建立起来之后，α迅速增大。可以由此来说明晶闸管的几种工作状态：（1）正向阻断。（2）触发导通。（3）晶闸管关断。（4）反向阻断。50《变频器内部结构》5/9/2024晶闸管的动态特性晶闸管开通和关断过程的波形图，如图所示。51《变频器内部结构》5/9/20242、功率晶体管功率晶体管（GiantTransistor，简称为GTR）也称为电力晶体管PTR，是一种具有发射极E、基极B、集电极C的耐高电压、大电流的双极型晶体管，有NPN和PNP两种结构，故又称为双结型晶体管（BipolarJunctionTransistor，简称为BJT）。它既有晶体管的固有特性，又扩大了功率容量。GTR的缺点是耐冲击能力差，易受二次击穿而损坏。52《变频器内部结构》5/9/20242.1GTR的结构和工作原理

GTR是一种双极型半导体器件，即其内部电流由电子和空穴两种载流子形成。其基本结构有NPN和PNP两种。而在电力电子电路中主要采用NPN结构。为了提高GTR的耐压，一般采用NPνN三重扩散结构，如图所示。53《变频器内部结构》5/9/20242.GTR的基本特性

GTR的基本特性包括输出特性、动态特性、主要参数和安全工作区等

1）GTR的输出特性共发射极接法时，GTR的输出特性，如图所示。共发射极接法时GTR的输出特性54《变频器内部结构》5/9/20242）GTR的动态特性

GTR的动态特性与晶闸管类似，但GTR作为高频开关使用，经常处于开通和关断的动态过程中。因此，对GTR的开关特性要重视，如图所示为GTR开通和关断过程中的电流波形。图GTR开通和关断过程中的电流波形55《变频器内部结构》5/9/20243、

功率场效应晶体管功率场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFET，简称为MOSFET），与小功率场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称为FET）一样，也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型。结型电力场效应晶体管一般称为静电感应晶体管（StaticInductionTransistor，简称为SIT）。功率MOSFET是一种单极型电压控制器件，用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单、需要的驱动功率小、开关速度快、工作频率高、热稳定性优于GTR，但电流容量小、耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。56《变频器内部结构》5/9/20241.功率MOSFET的种类、结构和工作原理

1）功率MOSFET的种类功率MOSFET按导电沟道可分为P沟道类型和N沟道类型。N沟道中主要载流子是电子，P沟道中主要载流子是空穴。其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。功率MOSFET的漏极D、栅极G和源极S分别类似于晶体管中的集电极、基极和发射极。几种常用的功率场效应晶体管的外形如图所示。

几种功率MOSFET的外形57《变频器内部结构》5/9/20242）功率MOSFET的结构功率MOSFET的结构和电气图形符号，如图所示。图功率MOSFET的结构和电气图形符号58《变频器内部结构》5/9/20243）功率MOSFET的工作原理功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控制漏极电流的大小。其工作过程可分为：（1）关断。（2）导通。59《变频器内部结构》5/9/20242.功率MOSFET的基本特性

1）功率MOSFET的静态特性图

功率MOSFET的静态特性60《变频器内部结构》5/9/20242）功率MOSFET的动态特性功率MOSFET开通、关断过程的波形，如图所示。

功率MOSFET的动态特性波形61《变频器内部结构》5/9/2024

（1）功率MOSFET的开通过程。开通过程包括开通延迟时间td(on)、上升时间tr和开通时间ton。（2）功率MOSFET的关断过程。关断过程包括关断延迟时间td(off)、下降时间tf和关断时间toff。（3）功率MOSFET的开关速度。MOSFET的开关速度和栅极输入电容Cin充放电有很大关系。62《变频器内部结构》5/9/20244、

绝缘栅双极晶体管

GTR的特点是双极型电流驱动器件，有电导调制效应、通流能力很强等特点，但开关速度较低、所需驱动功率大、驱动电路复杂。MOSFET的优点是单极型电压驱动器件，开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小而且驱动电路简单。63《变频器内部结构》5/9/20241.IGBT的结构和工作原理

IGBT的开关速度低于功率MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时饱和压降比功率MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。64《变频器内部结构》5/9/20241）IGBT的结构

IGBT也是三端器件，它的三个极分别为栅极G、集电极C和发射极E。如图2-16所示为IGBT内部结构断面示意图。IGBT内部结构断面示意图65《变频器内部结构》5/9/2024IGBT也是多元集成结构，每个IGBT的简化等效电路和电气图形符号，如图所示。图IGBT的简化等效电路和电气图形符号66《变频器内部结构》5/9/20242）IGBT的工作原理

IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。给栅极施加正向电压后，MOSFET导通，从而给PNP晶体管提供了基板电流使其导通。给栅极施加反向电压后，MOSFET关断，使PNP晶体管基极电流为零而截止。其具体工作过程如下：（1）导通。uGE大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。此时由于电导调制效应使电阻RN减小，使高耐压的IGBT也有低的通态压降。（2）关断。栅射极间施加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。67《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2）绝缘栅双极晶体管（IGBT）①结构及外形IGBT是MOS和GTR取长补短相结合的产物，具有栅极G、集电极C、和发射极E的三个引出端。68《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构②工作特点：当uGE≤UGE(th)（开启电压）时，IGBT截止，无iC；当uGE﹥UGE(th)

时，uCE加正压，IGBT导通，其输出电流iC与驱动电压uGE基本呈线形关系。如图所示为IGBT的驱动电压uGE与输出电流iC的关系，此曲线称为IGBT的转移特性曲线。③参数：IGBT工作时，UGE导通电压15V、关断电压-5V。开关频率小于100kHz。69《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构70《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构71《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构72《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构73《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构74《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构75《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构（控制电路）

6.1.2控制电路

1.输入端隔离电路变频器有一系列的输入端子，这些输入端子和CPU是通过隔离电路联系的。输入端隔离电路出了问题，影响端子的正常输入，因为每个输入端子独立连接一只光电耦合器，哪一只光电耦合器出了问题，那一路输入端子不能正常工作。76《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2.I-U转换电路该电路是模拟输入电压、电流、以及模拟输出指示端子的转换电路。该电路出了问题，会影响这几路信号的正常工作。77《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构3.DC/DC电源这是变频器除了主电路之外所有电路的供电电源。它出了故障，整个变频器停止工作。因为该电源的输出端是分组输出，哪一组出了问题，影响那一组所对应的电路。78《变频器内部结构》5/9/2024开关电源电路

开关电源电路向操作面板、主控板、驱动电路及风机等电路提供低压电源。图2.5富士G11型开关电源电路组成的结构图。第六章：变频器内部结构79《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构80《变频器内部结构》5/9/2024直流高压P端加到高频脉冲变压器初级端，开关调整管串接脉冲变压器另一个初级端后，再接到直流高压N端。开关管周期性地导通、截止，使初级直流电压换成矩形波。由脉冲变压器耦合到次级，再经整流滤波后，获得相应的直流输出电压。它又对输出电压取样比较，去控制脉冲调宽电路，以改变脉冲宽度的方式，使输出电压稳定。

第六章：变频器内部结构81《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构开关电源电路图图中L1为一次电路，L2、L3、L4、L5为二次电路，工作时一次电路导通，二次电路截止，一次电路截止时，二次电路导通。二次电路的输出电压由开关管的脉冲宽度调节。开关电源容易损坏的元件是滤波电容、整流二极管、开关管。82《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构4.过压/欠压保护电路该电路是直流母线电压的检测电路，检测直流母线欠压或过压。该电路出了问题，一是不能正确的提供检测保护信号，产生误报；二是失去保护功能，使制动电阻不能工作，引起主电路过压而损坏。83《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构5.驱动电路该电路是将CPU输出的PWM信号进行放大，驱动IGBT开关工作。该电路和主电路紧密相连，是很重要，又容易出故障的一部分电路84《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构1）驱动电路隔离放大、驱动放大电路、驱动电路电源①光耦隔离电路图中IC为PWM输出和驱动电路的隔离电路。当驱动电路损坏不至于将故障扩大到PWM发生电路。②V1为第一级放大；V2、V3为输出跟随器，提高输出能力。③图中稳压管DZ使电源电压稳定在20V。注：隔离电路中的光耦隔离集成块容易损坏。85《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2）驱动电路和电源的连接电路作用：为驱动电路提供直流电源。该电路由一只5V稳压管取得5V电源，加在IGBT开关管的发射极上，使驱动信号在零时，保证IGBT控制极为5V的负电压，使管子可靠的截止。该电源需要4组，三个带浮地，一个直接接地。该电源由变频器的DC/DC直流电源提供。86《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构6.保护电路是保护逆变桥过流、过压、过载等的保护电路。它由检测、放大、模/数转换等电路组成。该电路出了故障，一是误报；二是失去保护功能，造成逆变桥的损坏。87《变频器内部结构》5/9/2024这部分电路把从DSP输出的6路PWM波经过电平提升、光电隔离后送到IGBT的驱动模块上。同时接收驱动模块提供的过流保护信号。

由驱动模块来的过流保护信号也经过了光电隔离。由驱动模块来的“过流保护信号”及从电枢电流采样电路来的“过流告警信号”都将关断PWM波。并且母线电压过压告警信号也将关断PWM波。如果发生了“关断PWM波”的事件，还将把故障类型通过编码后送到DSP的I/O端口上。以便DSP判断故障类型第六章：变频器内部结构88《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构1）电流检测电路通过检测变频器的输出电流，进行过流、过载计算，当判断为过流、过载，立即封锁变频器的输出脉冲，使PWM电路停止工作。R121为检测电阻，检测电流为1A。(检测电流为100A,R121为0.015)。89《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构2）直流电压检测电路为保证电网电压变化时，仍能保证U/f=C的控制方式，由该电路实时检测直流电路的电压Ud,根据Ud的变化调整PWM波的占空比。90《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构7.操作面板操作面版是采用接插件连接，接触不良，会引起个别功能消失，供电不良会引起黑屏。个别功能部件失灵，可能是按键接触虚。91《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构8.开路集电极输出端子该端子由隔离电路（与CPU隔离）。因为使用的原因损坏率较高。一般属于开路晶体管过流所致。判断较容易，因为其他几路如果是好的，只此一路有问题，可断定该只管子有问题；如果各只管子都有问题，则可能问题出在单片机。92《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构9.故障接点开关该开关主要为变频器的故障报警用，当变频器出现故障时，该端子输出故障信号。93《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构10.单片机单片机又称CPU，是整个变频器的核心器件，如同人的大脑，输出各种控制信号和处理输入、检测等信号。CPU是集成电路，又经过层层保护，故障率很低。正常工作时的损坏率很低，雷击、变频器电源引起的过压、工作环境潮湿、静电感应等可能引起损坏。在故障维修时，没有充分的理由，不要轻易怀疑单片机有问题。因为单片机有问题，就得换主板。94《变频器内部结构》5/9/2024第六章：变频器内部结构11.16MHz晶振晶振是CPU的主频震荡器震荡器件。它不是一个很耐用的器件。在众多的电子设备中，晶振的损坏时有发生。因为他的结构是两个金属片中夹着一块晶体，晶体怕震、怕氧化。晶振出了问题，整个变频器都不能正常工作。晶振结构95《变频器内部结构》5/9/2024其他电路---温度传感器接口电路。由于电机控制要求中经常要检测定子的温升及功率模块的温升。本控制板设计了四路温度传感器接口电路，它可以直接连接模拟电压量输出的温度传感器。它实际上是四路基准可调，放大倍数也可调的放大器。接到DSP的A/D输入端。---速度检测电路

以装在异步电动轴机上的速度检测器(TG、PLG等)的信号为速度信号，送入运算回路，根据指令和运算可使电动机按指令速度运转96《变频器内部结构》5/9/2024---主控板上通信电路

当变频器由可编程（PLC）或上位计算机、人机界面等进行控制时，必须通过通信接口相互传递信号变频器通信时，通常采用两线制的RS485接口。西门子变频器也是一样。两线分别用于传递和接收信号。变频器在接收到信号后传递信号之前，这两种信号都经过缓冲器A1701、75176B等集成电路，以保证良好的通信效果。

所以，变频器主控板上的通信接口电路主要是指这部分电路，还有信号的抗干扰电路97《变频器内部结构》5/9/2024以上电路中，外围电路全部采用15V供电，核心电路采用5V供电。DSP采用3.3V供电。两套电源是彻底隔离的。98《变频器内部结构》5/9/2024补充：高压变频器知识6.2高压变频器主电路拓补结构按照电压的划分，低于1kV，称为低压；大于lkV、小于10kV,称为中压，10kV以上，称为高压。