材基第三章习题及答案

第三章作业与习题的解答一、作业：2、纯铁的空位形成能为105kJ/mol。将纯铁加热到850℃后激冷至室温〔20℃〕，假设高温下的空位能全部保存，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。(e31.8=6.8X1013〕6、如图2-56，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环，并受到一均匀切应力τ。〔1〕分析该位错环各段位错的结构类型。〔2〕求各段位错线所受的力的大小及方向。〔3〕在τ的作用下，该位错环将如何运动？〔4〕在τ的作用下，假设使此位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应为多大？解：〔2〕位错线受力方向如图，位于位错线所在平面，且于位错垂直。〔3〕右手法那么〔P95〕：〔注意：大拇指向下，P90图3.8中位错环ABCD的箭头应是向内，即是位错环压缩〕向外扩展〔环扩大〕。如果上下分切应力方向转动180度，那么位错环压缩。(4)P103-104：；∴注：k取0.5时，为P104中式3.19得出的结果。7、在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm推进到3nm时需要用多少功〔晶体点阵常数a=0.3nm,G=7﹡1010Pa〕？(；1.8X10-9J〕8、在简单立方晶体的〔100〕面上有一个b=a[001]的螺位错。如果它(a)被〔001〕面上b=a[010]的刃位错交割。(b)被〔001〕面上b=a[100]的螺位错交割，试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折？〔〔a〕：见P98图3.21，NN′在〔100〕面内，为扭折，刃型位错；(b)图3.22，NN′垂直〔100〕面，为割阶，刃型位错〕9、一个的螺位错在〔111〕面上运动。假设在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移，请指出交滑移系统。对FCC结构：〔11-1〕或写为〔-1-11〕10、面心立方晶体中，在〔111〕面上的单位位错，在〔111〕面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反响，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出：应为〔为切变模量，为层错能〕〔P116式3.33，两个矢量相乘的积=|b1|˙|b2|˙cos(两矢量夹角)11、在面心立方晶体中，〔111〕晶面和晶面上分别形成一个扩展位错：〔111〕晶面：=A+B晶面：=C+D两个扩展位错在各自晶面上滑动时，其领先位错相遇发生位错反响，求出新位错的柏氏矢量；用图解说明上述位错反响过程；分析新位错的组态性质。(交线/位错线[-110]；4种可能反响：领先A-领先C：a/6[110],A-D：a/6[301],B-C：a/6[03-1],B-D：a/3[110]；中间两种位错不够稳定，继续分解出a/6[110]、另一分解的位错之后再与C或A反响，形成D或B；前三种反响最终结果为：B-〔111〕层错-a/6[110]-(11-1)层错-D。几乎所有教科书将该组态称为面角位错，是最低能态的稳定结构。注意：固定位错〔不能滑移，如滑移面不在FCC的{111}面的纯刃型不全位错〕〔例如：位错线方向为[-110]，柏矢为a/6[110]〕，加上两个相交{111}面〔例如交于[-110]〕上两片的层错及相应的不全位错a/6<112>的复杂位错组态称为面角位错。)后一种为A-〔111〕层错-a/3[110]-(11-1)层错-C。但从能量角度考虑，层错宽度较窄，在外力作用下易被压缩〔即分解组态--扩展位错的束集〕，面角位错组态在交线处合并成a/2[110]固定位错--压杆位错，滑移面为〔001〕。14.为什么空位是热力学稳定缺陷，而位错是非热力学稳定缺陷。15.请判定以下位错反响能否进行，假设能够进行，在晶胞图上做出矢量图。〔1〕

〔2〕〔均能〕二、习题解答解释以下根本概念及术语刃型位错螺型位错柏氏矢量混合位错割阶与扭折位错密度位错的应力场位错的弹性应变能线张力位错的滑移位错的攀移位错塞积柯氏气团完全位错不全位错堆垛层错层错能扩展位错位错反响肖克莱不全位错洛玛－柯垂耳位错束集弗兰克不全位错简述柏氏矢量的特性解：〔1〕柏氏矢量与所作的柏氏回路的起点选择、具体途径无关。〔2〕如果所作的柏氏回路包含有几个位错，那么得出的柏氏矢量是这几个位错的柏氏矢量之总和。朝向节点的各位错的柏氏矢量之总和必然等于离开节点的位错的柏氏矢量之总和。〔3〕从柏氏矢量的这些特性可知，位错线只能终止在晶体外表或晶界上，而不能中断于晶体的内部。在晶体内部，它只能形成封闭的环或与其它位错相遇于节点。证明位错线不能终止在晶体内部。解：设有一位错C终止在晶体内部，如下图，终点为A。绕位错C作一柏氏回路L1，得柏氏矢量b。现把回路移动到L2位置，按柏氏回路性质，柏氏回路在完整晶体中移动，它所得的柏氏矢量不会改变，仍为b。但从另一角度看，L2内是完整晶体，它对应的柏氏矢量应为0。这二者是矛盾的，所以这时不可能的。一个位错环能否各局部都是螺型位错，能否各局部都是刃型位错？为什么？解：螺型位错的柏氏矢量与位错线平行，一根位错只有一个柏氏矢量，而一个位错环不可能与一个方向处处平行，所以一个位错环不能各局部都是螺型位错。刃位错的柏氏矢量与位错线垂直，如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面，那么位错环处处都是刃型位错。这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面，这种位错又称棱柱位错。计算产生1cm长的直刃型位错所需要的能量，并指出占一半能量的区域半径〔设r0＝1nm，R＝1cm，G＝50GPa，b＝0.25nm，ν＝1/3〕。解：产生1cm长的直刃型位错所需要的能量W1等于1cm长的直刃型位错的应变能。设占一半能量的区域半径r为10-xcm，那么由，可解得x＝3.5，即r＝10-3.5＝3.16μm。同一滑移面上的两根正刃型位错，其柏氏矢量为，相距，当远大于柏氏矢量模时，其总能量为多少？假设它们无限靠近时，其能量又为多少？如果是异号位错结果又如何？解：当两根刃型位错相距很远时，总能量等于两者各自能量之和，无论是同号位错还是异号位错，均有当两根正刃型位错无限靠近时，相当于柏氏矢量为2的一个大位错的能量当两根异号刃型位错无限靠近时，相遇相消，其总能量为零。在如下图的立方体形晶体中，ABCD滑移面上有一个位错环，其柏氏矢量平行于AC。〔1〕指出位错环各局部的位错类型。〔2〕指出使位错环向外运动所需施加的切应力的方向。〔3〕位错环运动出晶体后晶体外形如何变化？解：〔1〕1点为正刃型位错，2点为右螺型位错，3点为负刃型位错，4点为左螺型位错，其余均为混合位错。〔2〕在晶体的上下底面施加一对平行于的切应力，且下底面内的切应力与同向平行；〔3〕滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与相同的滑移，并在晶体侧外表形成相应台阶。位错环ABCDA的柏氏矢量为，外应力为和，如下图，问：〔1〕位错环各边分别是什么位错？〔2〕如何局部滑移才能得到这个位错环？〔3〕在足够大的切应力的作用下，位错环将如何运动？晶体将如何变形？〔4〕在足够大的拉应力的作用下，位错环将如何运动？它将变成什么形状？晶体将如何变形？解：〔1〕AB是右螺型位错，CD是左螺型位错；根据右手法那么，BC是正刃型位错，DA是负刃型位错。〔2〕设想在完整晶体中有一个贯穿晶体的上、下外表的正四棱柱，它和滑移面MNPQ交于ABCDA。现让ABCDA上部的柱体相对于下部的柱体滑移，柱体外的各局部晶体均不滑移。这样，ABCDA就是在滑移面上已滑移区〔环内〕和未滑移区〔环外〕的边界，因而是一个位错环。〔3〕在切应力的作用下，位错环下部晶体的运动方向与的方向相同。根据右手定那么，这种运动必然伴随这位错环的各边向环的外侧运动，从而导致位错环扩大。当位错环滑移出晶体后，滑移面上部晶体相对于下部晶体在反向平行于的方向上滑移与大小相同的距离；同时，晶体的左右两个侧面形成两个相反的台阶，台阶的宽度与的大小相同。〔4〕在拉应力的作用下，左侧晶体的运动方向与的方向相同。根据右手定那么，BC位错受力向下，DA位错受力向上，而AB和CD两螺型位错不受力。如果拉应力足够大，而且温度足够高，那么BC位错向下负攀移，DA位错向上负攀移。由于A、B、C、D四点的钉扎作用，形成了两个B－H位错源。位错源每增殖一个位错环且位错环运动出晶体，晶体中就多一层原子面。所增多的原子面上的原子来自于晶体中其他原子的扩散，同时在晶体中产生相应的空位，因此，虽然晶体形状不变，但是y方向的厚度增大。在以下图所示的面心立方晶体的〔111〕滑移面上有两条弯折的位错线OS和O’S’，其中O’S’位错的台阶垂直于〔111〕，它们的柏氏矢量如图中箭头所示。〔1〕判断位错线上各段位错的类型。〔2〕有一切应力施加于滑移面，且与柏氏矢量平行时两条位错线的滑移特征有何差异？解：〔1〕在两根位错线上，除1～2、3～4段为刃型位错以外，其余各段均为螺型位错。〔2〕OS上的各位错段都可在该滑移面内滑移，O’S’上的1～2、3～4段位错不能运动，而其余各段都可以在该滑移面内滑移。某面心立方晶体的可动滑移系为。〔1〕指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量；〔2〕如果滑移是由纯刃型位错引起的，试指出位错线的方向；〔3〕如果滑移是由纯螺型位错引起的，试指出位错线的方向；〔4〕指出在上述〔2〕、〔3〕两种情况下滑移时位错线的滑移方向；〔5〕假定在该滑移系上作用一大小为0.7MPa的切应力，试计算单位刃型位错和单位螺型位错线受力的大小和方向〔取点阵常数a＝0.2nm〕解：〔1〕引起滑移的单位位错的柏氏矢量为，即沿滑移方向上相邻两个原子间的连线所表示的矢量。〔2〕设位错线方向为[uvw]。因刃位错线与其柏氏矢量垂直，同时也垂直于滑移面法线，即〔3〕因螺位错与其柏氏矢量平行，故。〔4〕在〔2〕时，位错线运动方向平行于；在〔3〕时，位错线的运动方向垂直于。〔5〕在外间切应力的作用下，位错线单位长度上所受的力的大小为，方向与位错线垂直。而所以F刃的方向垂直于位错线；F螺的方向也垂直于位错线。晶体滑移面上存在一个位错环，外力场在其柏氏矢量方向的切应力为〔G为剪切弹性模量〕，柏氏矢量，此位错环在晶体中能扩张的半径为多大？解：单位长度位错受力为：曲率半径为R的位错因线张力而施加于单位长度位错线的力，当此力和外加应力场对位错的力相等所对应的R就是此位错环在晶体中能扩张的半径，所以即拉伸单晶体铜，拉力轴方向为[001]，σ＝106Pa。求在〔111〕上有一个的螺型位错线上所受的力〔铜的点阵常数a＝0.36nm〕。解设外加拉应力在滑移面〔111〕上晶向的分切应力式中为[001]与〔111〕面的法线[111]间的夹角；为[001]与间的夹角。所以螺型位错线上受力为Fd根据位错滑移模型解释，为什么金属的实际屈服强度比理论屈服强度低很多。解：晶体的理论屈服强度是以刚性滑移模型为根底计算出的，该模型认为晶体是完整的，不存在任何缺陷。在外力作用下，晶体中相邻两局部晶体沿滑移面和滑移方向作整体的刚性滑移，显然，晶体滑移时外力要破坏掉滑移面上下两层原子面间的所有结合键，需要做很大的功，由此计算的理论屈服强度远高于实际屈服强度。位错滑移模型是建立在位错运动的根底上，该模型认为晶体滑移是位错在滑移面上运动的结果。当位错在滑移面上滑移时，只需要位错线中心区域的原子发生微小的移动，而远离位错线的原子位移量迅速减小，这样，位错运动仅破坏位错线中心少量原子的结合键，所做的功小得多。位错滑移使晶体滑移阻力急剧减小，所计算得屈服强度比理论屈服强度低3～4个数量级，接近于实验值。如下图，某晶体的滑移面上有一个柏氏矢量为的位错环，并受到一个均匀的切应力。试分析：〔1〕该位错环各段位错的结构类型；〔2〕求各段位错线所受力的大小及方向；〔3〕在的作用下，该位错环将要如何运动；〔4〕在的作用下，假设该位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应该是多少？解：〔1〕由柏氏矢量与位错线关系可以知道：A、B点为刃型位错，依据右手法那么，A为正刃型位错，B为负刃型位错。C点为左螺型位错，D点为右螺型位错。其他为混合位错。〔2〕各段位错所受的力的大小为，方向垂直于位错线。〔3〕外加切应力，使位错环收缩。〔4〕在外力和位错线的线张力作用下，位错环最后在晶体中稳定不动，此时由公式，在的作用下此位错环要稳定不动，其最小半径为。当位错的柏氏矢量平行轴，请证明不管位错线是什么方向，外应力场的分量都不会对位错产生作用力。解在外加应力场下单位长度位错线受的滑移方向力和垂直滑移面的力分别为和，其中是外应力场在位错滑移面滑移方向的分切应力，是外应力场在垂直滑移面和柏氏矢量的面上的正应力。可见，位错受力的大小和位错线的取向无关。现在外应力场是，在位错滑移面滑移方向的分切应力,所以位错在滑移面上所受的力为0；因位错的柏氏矢量是方向，只有才能使位错在垂直滑移面方向受力，所以在垂直滑移面方向的力亦为0。晶体中，在滑移面上有一对平行刃位错，它们的间距该多大才不致在它们的交互作用下发生移动?设位错的滑移阻力(切应力)为9.8×105Pa，ν=0.3，G=5×1010Pa。(答案以b表示)解：两个位错间在滑移方向在单位长度上的作用力为，现两个位错处于同一个滑移面，所以作用力为，其中x是两位错的距离。当这个力等于和大于位错滑移需要克服的阻力时，两个位错就能滑动，所以当时两个位错就会滑动。即假设两个位错是同号的,那么两个位错相距的距离小于上面计算的x时,2位错相斥移动到距离为x时保持不动;假设2位错是反号的,那么2个位错间的距离小于上面计算的x时,2位错相吸移动直至相对消.2个位错间的距离大于x才会保持不动.在攀移方向的作用力为0,所以不管2个位错的间距如何,都不会发生攀移。在相距为h的滑移面上，有柏氏矢量为的两个相互平行的正刃型位错A、B，如下图。假设A位错的滑移受阻，忽略派纳力，B位错需多大切应力才可滑移到A位错的正上方？解：将位错A置于坐标原点。A位错产生的应力场的诸分量中只有会引起位错B的滑移，设滑移力为，由位错线所受的力的公式：可计算出所需外加切应力的数值。为讨论问题方便，也可以采用如下图的极坐标。〔直角与圆柱坐标间换算：。〕〔三角函数：〕当，即，，两位错互相排斥，需加轴负方向的力才可使B位错向轴滑动，当时，即时，取得极大值，故B位错滑移到A位错的正上方所要克服的最大阻力为。当B位错所处的位置，即，，两位错互相吸引，如果不考虑位错运动的晶格阻力等，无需外力，就可自动滑移至A位错的上方。在面心立方晶体中把两个平行且同号的单位螺型位错以相距100nm推近到3nm时需要做多少功？〔晶体点阵常数a＝0.3nm，切变模量G＝7×1010Pa〕解：两个平行的螺型位错〔b1，b2〕间的作用力由题意知所以假设一个位错固定，将另一个位错从相距100nm处推倒相距3nm时，此时外力做的功为W，即为什么两条运动的柏氏矢量相互垂直的螺型位错交割后产生的割阶会阻碍螺型位错的滑移运动？解：根据螺型位错的柏氏矢量与位错线相互平行，以及螺型位错的位错线周围的原子面呈螺旋形的特点知道，当两条位错线相互垂直，也就是柏氏矢量相互垂直的螺型位错相遇并交割后，会在各自的位错线上产生一个刃型割阶，但是刃型割阶的滑移面与螺型位错的滑移面不平行，割阶的滑移方向与螺型位错的滑移方向垂直。在外力作用下，当螺型位错向前滑移时，割阶只能以攀移方式来配合螺型位错的滑移，在常温或低温下这是不可能的。因此，刃型割阶一定阻碍螺型位错的滑移运动。简单立方晶体〔100〕面有1个的刃型位错。〔1〕在(001)面有1个的刃型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？〔2〕在(001)面有1个的螺型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？解：两位错相割后，在位错留下一个大小和方向与对方位错的柏氏矢量相同的一小段位错，如果这小段位错在原位错的滑移面上，那么它是弯折；否那么是割阶。为了讨论方便，设(100)面上的刃型位错为A位错，〔001〕面上的刃型位错为B位错，〔001〕面上的螺位错为C位错。〔1〕A位错与B位错相割后，A位错产生方向为[010]的小段位错，A位错的滑移面是〔100〕，，即小段位错是在A位错的滑移面上，所以它是弯折；而在B位错产生方向为的小段位错，B位错的滑移面是〔001〕，，即小段位错在B位错的滑移面上，所以它是弯折。〔2〕A位错与C位错相割后，A位错产生方向为[100]的小段位错，A位错的滑移面是(100)，，即小段位错不在A位错的滑移面上，所以它是割阶；而在C位错产生方向为的小段位错，C位错的滑移面是〔001〕，，即小段位错在B位错的滑移面上，所以它是弯折。简单立方晶体(100)面有一个的螺型位错。〔1〕在〔001〕面有1个的刃型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？〔2〕在〔001〕面有一个的螺型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？解：为了讨论方便，设(100)面上的螺型位错为A位错，〔001〕面上的刃型位错为B位错，〔001〕面上的螺型位错为C位错。〔1〕A位错与B位错相割后，A位错产生方向为[010]的小段位错，A位错的滑移面是〔100〕，，即小段位错是在A位错的滑移面上，所以它是弯折；而在B位错产生方向为[001]的小段位错，B位错的滑移面是〔001〕，，即小段位错不在B位错的滑移面上，所以它是割阶。〔2〕A位错与C位错相割后，A位错产生方向为[100]的小段位错，A位错的原滑移面是〔100〕，，即小段位错不在A位错原来的滑移面上，但在(010)面上，它也是C位错的滑移面，所以它是弯结；而在C位错产生方向为[001]的小段位错，C位错的原滑移面是〔001〕，，即小段位错不在C位错的原滑移面上，但它在〔010〕面上，它也是C位错的滑移面，所以它是弯结。在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错线AB和CD以及AB和EF，设其中一条位错线AB在切应力作用下发生如下图的运动，试问交割后两条位错线的形状有何变化？各段位错线的位错类型是什么？解：〔1〕AB和CD位错线的形状都不变，但AB的长度缩短，CD的长度增加。〔2〕AB位错上形成右螺型扭折，EF位错上形成左螺型扭折。面心立方结构金属Cu的对称倾侧晶界中，两正刃型位错的间距D＝1000nm，假定刃型位错的多余半原子面为〔110〕面，，求该倾侧晶界的倾角。解：面心立方结构的单位位错为，由于{110}面有附加原子面，故由公式可求出该倾侧晶界的倾角以下图表示在滑移面上有柏氏矢量相同的2个同号刃位错AB和CD。它们处在同一根直线上，距离为x，它们作F－R源开动。〔1〕画出这2个F－R源增殖时的逐步过程，二者发生交互作用时，会发生什么情况？〔2〕假设2位错是异号位错时，情况又会怎样？解：〔1〕因为两个位错是同号的，并且柏氏矢量相同，所以，假设在外力作用下位错源开动，两个位错都会同时开动，并且两个位错都向同一方向拱弯，如以下图〔b〕所示。在外力作用下，位错会继续拱弯，在相邻的位错段靠近，它们是反号的，互相吸引，如以下图〔c〕中的P处所示。两段反号位错相吸对消后，原来两个位错连接一起，即形成AD位错，余下一段位错，即BC位错，这段位错和原来的位错反号，如以下图〔d〕所示。在外力作用下，BC位错也作位错源开动，但它的拱弯方向与原来的相反，如以下图〔e〕所示。BC位错继续拱弯，与AD位错在如图〔f〕的O及O'处相遇，因为在相遇处它们是反号的，所以相吸对消。最后，放出一个大位错环，并回复原来的AB和CD两段位错，如以下图〔g〕所示。这个过程不断重复增殖位错。〔b〕假设两个位错是反号的，当位错源开动时，两个位错向相反方向拱弯，如以下图〔b〕所示。在外力作用下，位错会继续拱弯，在相邻的位错靠近的地方，它们是反号的，互相吸引，如以下图〔c〕中的P处所示。两段反号位错相吸对消后，即形成AC和BD位错，如以下图〔d〕所示。AC和BD位错继续滑动，它们在以下图〔e〕的O及O'处又相遇，在相遇处的位错也是反号的。反号位错相吸并对消，放出一个大位错环，同时恢复原来的AB和CD两段位错，如以下图〔f〕所示。这个过程不断重复增殖位错。上述过程是两段位错间的距离x不是很大的情况下发生的，如果x很大，两个位错单独作为位错环开动，它们各自放出一个位错环，然后两个位错再合并成一个大位错环。计算铜中全位错的柏氏矢量的长度〔铜的晶格常数为0.36151nm〕。解：铜为FCC结构，点阵常数为0.36151nm，其密排方向或柏氏矢量的方向为<110>。那么面对角线为：全位错的柏氏矢量的长度为试述面心立方〔111〕面上的扩展位错交滑移到面的过程。解：〔111〕面上的扩展位错在滑移的时候受阻，可以发生束集形成螺型全位错，其位错反响为形成的螺型位错，位错线，可以交滑移到面上，并且扩展开，在面上形成扩展位错，即该扩展位错可以在上继续运动，也可以发生束集，再交滑移到〔111〕面上，再扩展开。一个的螺型位错在〔111〕面上运动。假设在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移，请写出交滑移系统。解：所有包含螺型位错方向的面都是滑移面，对于fcc晶体滑移面〔111〕来说，只有〔111〕与包含，故假设发生交滑移，一定是从〔111〕面到面。为什么说面角位错〔Lomer－Cottrel位错〕是稳定性最大的固定位错？解：固定位错是指不能滑移的位错。在晶体中可以形成多种类型的固定位错，由于它们自身的结构特点不同，阻碍滑移的能力也不同。面角位错是在面心立方晶体中形成的，当分别处在两个相交的滑移面上的扩散位错朝着滑移面的交线运动时，两个领先的肖克莱不全位错在交线处相遇并发生反响，生成柏氏矢量为的压杆位错，该位错的滑移面是{001}，而不是晶体的密排面{111}，故不能滑移，为固定位错。压杆位错在两个滑移面上分别拖着一个层错区，并在层错区的另一边与一个肖克莱不全位错相连，两个层错区又相互呈一定的角度，这样的整个位错组态称为面角位错，它既不能在{111}面上滑移，也不能在{001}面上滑移，故面角位错是面心立方结构中稳定性最大的固定位错。说明堆垛层错与不全位错的关系，指出面心立方结构中常产生的不全位错的名称、柏氏矢量和它们各自的特性。解：如果原子层的正常堆垛出现过失，即形成堆垛层错。它可通过原子层的滑移、抽出和插入形成。而堆垛层错终止在晶体内部，就会产生层错与完整晶体的交界线，该交界线即为不全位错的位错线。因此可以认为不全位错是堆垛层错的边缘。在面心立方结构中常出现的不全位错有肖克莱不全位错，一般由滑移型层错构成，其柏氏矢量为，它的特点是可以是刃型、螺型和混合型肖克莱不全位错，因为它的柏氏矢量与层错面共面，并且其滑动面是晶体的滑移面，所以它可以进行滑移运动，但刃型肖克莱不全位错不能攀移，螺型肖克莱不全位错不能交滑移运动。另外在面心立方结构中还常出现弗兰克不全位错，一般由抽出或插入型层错构成。其柏氏矢量为，由于其柏氏矢量与层错面垂直，所以它只能是刃型不全位错。但其滑动面不是晶体的滑移面，它不能进行滑移运动，只能进行攀移运动，属于固定位错。在面心立方的晶面上，有一个的扩展位错。在晶面上有一的扩展位错。当它们在两个平面的交线上相遇时，能否形成Lomer—Cottrel位错？写出位错反响式。解：面扩展位错面扩展位错当两位错在交线相遇时，可以证明有下面的位错反响因为能量是降低的由于不在滑移面上〔既不在面上又不在面上〕，因此最后形成Lomer—Cottrel位错。面心立方晶体中面上有的螺位错，假设分解为Schockley分位错。〔1〕试写出位错反响式。〔2〕点阵常数为a＝0.3nm，切变模量G＝48000MN/m2，层错能γ＝0.04J/m2，求扩展位错的宽度。〔3〕层错能的上下对螺型位错的运动有何影响？解：〔1〕〔2〕〔3〕层错能越高，扩展位错d越小，越有利于扩展位错的束集；反之，位错束集困难。因此易于束集的扩展位错，对于螺型位错的交滑移运动，以及与其它位错的交割运动都十分有利。有一面心立方晶体，在〔111〕面滑移的柏氏矢量为的右螺型位错，在与面上滑移的柏氏矢量为的另一右螺型位错相遇于此两滑移面交线。问：〔1〕此两位错能否进行下述反响：，为什么？〔2〕说明新生成的全位错属哪类位错？该位错能否滑移？为什么？〔3〕假设沿[010]晶向施加大小为17.2MPa的拉应力，试计算该新生全位错单位长度的受力大小，并说明方向〔设晶格常数a＝0.2nm〕。解：〔1〕晶体学条件能量条件根据上面两个条件，可判断上面反响可以进行。〔2〕由于位错线为两滑移面交线，故位错线：〔分别为两滑移面法线矢量〕。可见，位错线与柏氏矢量既不平行，也不垂直，该新生位错为混合型位错。该新生位错的位错线及柏氏矢量，可由它们叉乘得到新生位错滑移面的法向量：，该位错的滑移面为。因该滑移面为面心立方的密排面，故该位错可以滑移。〔3〕根据Schmid定律，作用在新生位错滑移面的滑移方向上的分切应力为：所以，作用在单位长度位错线上的力为：其方向为垂直于位错线方向，指向未滑移区。在铜单晶体中的〔111〕和滑移面上各存在一个柏氏矢量为和的全位错，当它们分解为扩展位错时，其领先位错分别为和。〔1〕求它们可能的位错分解反响。〔2〕当两领先位错在各自的滑移面上运动相遇时，发生了新的位错反响。试写出其位错反响式，判断该反响能否自发进行？并分析该新生成的位错其位错特性和运动性质。〔3〕铜单晶a＝0.36nm，切变模量G＝4×104MPa，层错能γ＝0.04J/m2，试求上述柏氏矢量为的位错形成扩展位错的宽度。解：〔1〕根据柏氏矢量的守恒性可得u＝1，v＝-2，w＝1，即，可得u＝1，v＝1，w＝2，即〔2〕晶体学条件：能量条件：根据上面两个条件，可判断上面反响可以进行。上述新生成位错的位错线即为两滑移面交线，故位错线：〔分别为两滑移面法线矢量〕。，故，该新生位错为刃型位错。该新生位错的位错线及柏氏矢量，可有它们叉乘得到新生位错滑移面的法向量：，该位错的滑移面为。因该滑移面不在密排面上，且两边都有层错区连接，形成了稳定的压杆位错，故该位错不能滑移。〔3〕假设面心立方晶体中有的单位位错及的不全位错，此二位错相遇产生位错反响。〔1〕此反响能否进行？为什么？〔2〕写出合成位错的柏氏矢量，并说明合成位错的类型。〔3〕这个位错能否滑移？并分析其原因。解：〔1〕能够进行。因为既满足几何条件：，又满足能量条件：。〔2〕；该位错为弗兰克不全位错。〔3〕新生成的弗兰克不全位错的位错线位于面上，垂直于面，故和决定的平面一定不是面心立方的密排面，故该位错不能够滑移。假定某晶格常数为a的面心立方晶体的活动滑移系为〔111〕[110],〔a〕给出引起滑移的单位位错的柏氏矢量，并说明是怎样得到的。〔b〕如果滑移是由单位纯刃型位错引起的，试指出位错线的方向。〔c〕如果滑移是由单位纯螺型位错引起的，试指出位错线的方向。〔d〕指出在上述〔b〕〔c〕两种情况下，滑移时位错线的运动方向。〔e〕假定有一