Topcon电池去绕镀工艺及原理_第1页
Topcon电池去绕镀工艺及原理_第2页
Topcon电池去绕镀工艺及原理_第3页
Topcon电池去绕镀工艺及原理_第4页
Topcon电池去绕镀工艺及原理_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

01刻蚀去PSG的目的刻蚀去PSG目的：去掉硅片边缘部分和去除PSG1.扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路，此短路通道等效于降低并联电阻。2.同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG(磷硅玻璃)PSG对电池片的影响a.PSG的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。b.死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。c.磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。02刻蚀去PSG原理及影响因素刻蚀去PSG原理①利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀，去除边缘的N型硅，使得硅片的上下表面相互绝缘；②利用HF去除掉表面的PSG；图：湿法刻蚀示意图图：湿法刻蚀实际生产状态03刻蚀的流程及各槽体的作用a.刻蚀槽：b.碱槽：c.酸槽：刻蚀机理硫酸可以增大溶液的表面张力，表面张力越大，则溶液相对于挡板、滚轮的液位就越高，由公式h=2γcosθ∕ρgr可知，如果不添加硫酸则表面张力太低，水的爬升高度太高（即其爬升能力很强），则溶液很容易反应到正面，如果硫酸太多，液面太高，溶液也会很容易反应到正面，此外循环速度太快也会导致液面太高。1、当硅片运动速度太大时，则附着力与硅片对溶液的推力的合力太大，导致溶液很容易反应到正面。2、硅片运动速率太小，则硅片在溶液中滞留时间太长，则溶液更容易反应到正面。3、如果排风太小，则溶液不容易爬升到硅片前端正面。4、如果排风太大，溶液容易反应到正面。1、排风对液体表面有与其风向相同方向的推力。2、如果排风太小，则溶液不容易爬升到硅片前端正面。3、如果排风太大，则溶液反应到正面。4、如果排风不稳定，排风对溶液的推力时有时无，则周期性的力的有

人人文库> 全部分类> 专业文献 > 工程机械

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论