【正版授权-英/法语版】 IEC 60747-8-2:1993 EN-FR Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-ra

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标准号：IEC 60747-8-2:1993 EN-FR
标准名称：半导体器件-分立器件-第8部分：场效应晶体管-第2部分：用于额定功率放大器应用的场效应晶体管的空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section two: Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
标准状态：被代替
发布日期：1993-02-15

场效应晶体管-第2部分：适用于额定功率放大器应用案例的场效应晶体管的空白详细规范内容如下：

一、概述部分

这部分主要介绍了场效应晶体管的基本信息，如名称、用途、设计、结构和材料等。此外，还对设备的额定参数进行了说明，如电压、电流、功率等。

二、设计要求

这部分详细介绍了场效应晶体管的设计要求，包括散热设计、电气性能设计、机械性能设计等。散热设计要求包括散热片形状、材料和厚度等；电气性能设计要求包括栅极电压、漏极电流、输入阻抗等；机械性能设计要求包括外壳材料、厚度、强度等。

三、材料要求

这部分主要介绍了场效应晶体管所使用的材料要求，包括金属材料、绝缘材料和半导体材料等。对于金属材料，要求具有较高的导热性能和耐腐蚀性能；对于绝缘材料，要求具有较高的电气绝缘性能和机械强度；对于半导体材料，要求具有较好的热稳定性、电学性能和可靠性。

四、机械结构要求

这部分详细介绍了场效应晶体管的机械结构要求，包括外壳形状、连接方式、密封方式等。外壳形状要求符合电气性能要求，连接方式要求安全可靠，密封方式要求防止水分和灰尘进入。

五、电气性能要求

这部分详细介绍了场效应晶体管的电气性能要求，包括栅极阈值电压、漏极电压、栅极电容等。此外，还对输入阻抗、输出阻抗等进行了说明。

六、试验方法

这部分详细介绍了对场效应晶体管进行试验的方法和标准，包括电气性能试验、机械性能试验等。此外，还介绍了试验设备和试验环境的要求，以及试验数据的处理和分析方法。

IEC60747-8-2:1993EN-FR半导体设备-分立设备-第8部分：场效应晶体管-第2部分：适用于额定功率放大器应用案例的场

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