(高清版)GBT 41275.2-2022 航空电子过程管理 含无铅焊料航空航天及国防电子系统 第2部分：减少锡有害影响

含无铅焊料航空航天及国防电子系统第2部分：减少锡有害影响containinglead-freesolder—Part2:Mitigationofdeleteriouseffectsoftin(IEC/TS62647-2:2012,MOD)国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会航空电子过程管理含无铅焊料航空航天及国防电子系统第2部分：减少锡有害影响中国标准出版社出版发行开本880×12301/16印张4字数123千字2022年3月第一版2022年3月第一次印刷关如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究IGB/T41275.2—2022 Ⅲ 1 1 1 1 4 5 5 54.1.2自制件控制等级 64.1.3COTS控制等级 64.1.4其他控制等级选择信息 6 64.2.11级控制要求 6 74.2.32B级控制要求 7 8 94.2.6缓解焊点锡须风险的要求 4.3实施方法 4.3.1向低控制等级的供应商下达要求(适用于2B级控制要求、2C级控制要求和3级控制要求) 4.3.2检测和控制无铅锡镀层的引入 4.3.3样本监测计划(适用于2B级和2C级控制) 4.3.4批次监测要求(适用于3级控制) 4.4减少无铅锡影响的方法(适用于2B级和2C级控制) 4.4.2硬灌封和包封 4.5零件选择过程 ⅡGB/T41275.2—20224.6.3其他风险分析问题 附录A(资料性)控制等级、风险评估和环节评估指南 附录B(资料性)检测方法、缓解方法和限制锡有害影响方法的技术指南 20附录C(资料性)锡须检测 附录D(资料性)分析和风险评估指南 附录E(资料性)从焊角和焊锡块材生长的锡须 40 附录G(资料性)本文件与IEC/TS62647-2:2012技术差异及其原因 Ⅲ 3个部分构成。11范围本文件适用于航空航天、国防和高性能电子应用领域，其他高性能和高可靠性电子行业可参考IPC-CC-830印制板组装件用电绝缘复合材料的鉴定与性能(Qualificationandperformanceofelectricalinsulatingcompoundsforprintedwiringassemblies)IPCJ-STD-001焊接的电气和电子组件要求(Requirementsforsolderedelectricalandelectro2(X-射线)能谱法energydispersive(X-ray)spectroscopy;EDS电子产品中含铅量(重量计)低于0.1%的状态。3减少mitigation纯锡或任何铅(Pb)含量(重量计)低于3%的锡合金。4COTS:货架产品(commercialofftheshelf)EDX:X射线能谱法(energy-dispersiveX-rayspectrosFMEA:失效模式及后果分析(failuremodeeffectsanalysis)FOD:异物损伤(foreignobjectdIMC:金属间化合物(intermetalliccomiNEMI:国际电子生产商联盟(internationalElectronicsManJEDEC:电子工程设计发展联合协会(jointElectronDeviceOEM:原始设备制造商(originalequipment5REE:稀土元素(rareearthe 控制方法与应用范围1级可以接受处于1级控制要求的锡须风险。要求主要对不在外场使用的开发模型2级可以接受处于2级控制要求的无铅锡。锡须风险主要通过结合设计规则、缓解管理。2级控制要求下的子级控制决定了对各个策略的控制方法。如果在控制文件中仅含2级控制要在2A级控制下，锡须风险主要通过锡须风险验收管理，较依赖于设计规则的使用。要用于具有较低危害性的应用。锡可在特别限制之外的所有应用中使用2B级在2B级控制下，锡须风险主要通过设计规则管理，较依赖于锡规避措施。设计此控关键电路板或单元，或失效后果从中度到重度不等的各系统中使用的6表1不同控制等级的控制方法与应用范围(续)控制方法与应用范围2C级在2C级控制下，锡须风险主要通过锡规避措施管理，在特殊情况下，通过设计规则管级主要用于失效后果从中度到重度不等的各系统中使用3级锡须控制通过锡规避措施严格管理。此控制等级用于不能接受失除非顾客要求，组装件类COTS和系统类COTS一般不在2C附录A提供了选择控制等级的额外指导。78 如果存在族系范围外的其他无铅锡使用情况，则需涵盖为确定锡 9 4.2.53级控制要求GB/T41275.2—20224.3.3样本监测计划(适用于2B级和2C级控制)零件类COTS在材料鉴定测试中可采用更大的可使用XRF(可参照JESD213)或EDS(可参照MIL-STD-1580,B版)进行检测，也可使用经顾客批4.3.4批次监测要求(适用于3级控制)量计，含铅量最低为3%)的产品。记录批次一致性要求，以确认监测计划是否合适。零件类COTS在4.4减少无铅锡影响的方法(适用于2B级和2C级控制)填料的类型。灌封和包封的成型过程不应产生会降低锡须包封有覆形涂层应至少满足IPC-CC-830和IPCJ-STD-001c)在温湿度环境恶化的情况下，覆若根据ANSI/GEIA-STD-0006或等效标准的要求，器件上的所有无铅锡镀层已通过重镀或浸焊——选用JESD213的XRF、MIL-STD-1580:2010(B版)的注释2的SEM,EDS方法评估锡或锡合金镀层和焊接区域的铅含量是否大于3%;c)锡须自由生长和形成FOD的风险小于锡须对相邻表面短路的风险。宜对光学或机电要求的也宜进行FOD风险评估。d)如证明符合4.4.5的SnPb焊接工艺或符合4.4.4的覆形涂层能够始终覆盖某些镀锡区域，则 锡银镀层(含银量1.5%～4%),特别是热浸时； 锡铋镀层(含铋量2%～4%); 铅锡镀层(含铅量至少1%); 成功通过2级控制的JESD201测试。 采取的缓解措施(一般记录组装件和系统的2B级控制要求，零件的2C级控制要求)GB/T41275.2—2022A.1概述控制等级1不会出现在决策树上。它通常适用于非现场硬件，如工程模型，或不受锡须影响的否否是是否是否否否是否否是是是是是是否否否否图A.2决策树子树1是是是是否否否否图A.3决策树子树2GB/T41275.2—2022该单元是否为失效会导致任务失败的关键单元或有限冗余单元?如果是，那么假设局部异常会影任务是否包括存储和短期停机(<5年)?或者是否计划经常更换单元或对其进行全面维护(<5年)?如果是，可以将产品视作需要经常维修的产品。故障排除和维修是你正常操作计划的一部分吗?间歇性异常被定期进行故障排查吗?单元有多经常和多彻底地被检查问题(至少每年一次)?性能有在一个固定周期进行测试或证实吗?单元或系统只是在使用前进行测试吗?问题能被及时维修吗?表A.1控制等级汇总表检测和控制说明效果分析和记录2A级控制使用无铅锡时的设计规则无应记录所有标准缓解惯例应具有有助于使用较低风险零件的零分析流程中产生2A级控制产品的原因2B级控制锡的零件族系表记录在案。部件和应用使其记录在案。础上提出监测材料的计划硬灌封或包封；●物理屏障；●表明锡须短路或FOD影响较小的电路设计和分析；●表明对锡须短路或FOD敏感的部位间隙至少为1cm的电路设计和分析；涂漆前有效涂覆面积和间隙大于或等于150μm的聚对二甲苯覆形涂层；形涂层；●经确认可进行完整涂覆的SnPb焊接工艺；●顾客认可的缓解措施或缓解措施组合应具有有助于使用较低风险零件的零件选择流程。应记录视为首选的零件●控制经销商使用和引入无铅锡的方法；●对产品中含有无铅锡镀层的各族系零件或应用采取的缓解措施；●为确定锡须生长的风险，根据4.6对使用无或分析；系范围外各零件或应用采取的缓解措施；●如果存在族系范围外的其他无铅锡使用情况，则需涵盖为确定锡须生长的风险根据4.6对各零件或应用进行的试验或分析；●表明各过程受控的验证方法，包括检验和2C级控制使用无铅锡。应记录无铅锡的个别用例并实施缓解措施，得到顾客或顾客代表的批准应对此计划达成一致●硬灌封或包封；●物理屏障；●表明锡须短路或FOD影响较小的电路设计和分析；●经确认可进行完整涂覆的SnPb焊接工艺；●涂漆前有效涂覆面积和间隙大于或等于150pm的聚对二甲苯覆形涂层；●经确认的涂覆面积和间隙大于500pm的覆形涂层；●顾客认可的缓解措施组合应具有有助于使用较低风险零件的零件选择流程。应记录视为首选的零件●对产品中含有无铅锡镀层的各零件或应用采取的缓解措施；●为确定锡须生长的风险，根据4.6对使用无●按顾客请求或要求，向其提供风险评估和GB/T41275.2—2022(资料性)B.1概述防止相邻导线锡须短路最有效的方法可能是在它们之间搭建绝缘的物理屏障。放置非导电垫圈、已发表的关于覆形涂层材料的物理和机械属性的文献少之又少。电子工业主要利用覆形涂层材为锡须相对于覆形涂层表面偏折或弯曲的研究部分临界应力刚度常数表B.1覆形涂层材料的物理属性(续)临界应力刚度常数 注：具体内容见参考文献[6]、[7]、[8]、[9]、[10]和[14],以上型号涂层仅供参表B.2覆形涂层的物理属性(多种覆形涂层)涂层A(聚氨酯丙烯酸酯)(硅树脂)酸塑料)涂层D(聚氨酯丙烯酸酯)涂层E(聚氨酯丙烯酸酯)聚对二甲苯C杨氏模量/(N/cm²)拉伸强度/(N/cm²)5邵尔D80邵尔D70洛氏R80(约为邵尔D75)25℃下的透氧性[cm³(STP)水蒸气透过性(90%RH,37℃)252聚对二甲苯C聚对二甲苯D聚对二甲苯HT丙烯酸塑料(AR)环氧树脂(ER)硅树脂(SR)聚氨酯(UR)杨氏模量/(N/cm²)拉伸强度/(N/cm²)介电强度V/mil密度/(g/cm²)吸水率(%24h后)(邵尔)(邵尔)透气性(25℃)水蒸气透过率(WVTR)注：1ppm=0.0001%。层并非人气之选，因为该工艺的费用较高，而且涂层之后难以对电路板进行维修和返工。聚氨酯是——MIL-I-46058C:电气绝缘化合物(用于涂覆电路组装件);目前正在研究一些新的涂覆工艺，例如原子层沉积用SnPb焊料对焊端进行热浸锡镀层处理能溶解锡镀层并用SnPb合金替换，能基本上消除锡须的可能导致可靠性问题。ANSI/GEIA-STD-0006是确认无铅锡镀层被替换以及零件未因该工艺而损坏风险。在不能进行热浸锡层器件内的无铅锡上还会有滋生锡须的风险。这些情况宜按正文描述的一些制造商可能愿意剥离成品中的无铅锡镀层并使用SnPb或镍等合适的可替代电镀材料进行重除了锡须的风险。将SnPb焊接工艺用作锡须缓解措施的优势在于能性短路。这个问题的相关数据似乎少之又少。大多数报告似乎均表明仅5mA或10mA的电流可使可能仅在特殊情况下才需要FOD分析，因为锡须一般不容易破裂。锡须的晶体结构使得其在轴对于2B级控制，分析结果显示与无铅锡(锡起点)的间隙至少为1cm的区域对锡须具有敏感性。B.6间距规定分布在约0.25至约1范围内的形状参数)。几乎每种情况下，分布中90%小于0.5mm,99%小于1mm。有文献表明在500d后尽管这些研究并不能代表15年或20年的实地操作经验，但大多数生长模型能显示出生长率下降解。这主要根据上述研究中至少99%的分布为1mm,有裕度允许不断生长以及锡须密度和其他变异B.7.2电镀vs热浸锡镀层电锡镀层通常比热浸锡镀层更易于产生锡须。对电镀液进行过程控制有助于降低锡须形成的风印制线路板应用的浸锡表面处理与电子元器件镀层所用的电铜基板上的薄层镍宜降低金属间化合物(IB.7.5SnAg镀层电子行业已得出SnBi表面镀层的重大研究结果。SnBi行业的研究重点是电子零件焊接完整性，但已将涉及锡须萌发/生长问题的次要结果纳入报告。SnBi表面电镀层铋含量的报告结果在1%～6%JEITA在55℃和85%RH下对SnBi(2%)零件的研究时间达10000h。最大锡须长度小于50μmNASADoD电子联盟对具有SnBi表面镀层的元器件进行了测试，TSOP元器件在4066次-55℃~B.7.7不符合要求的SnPb(1%～3%的Pb)业界共识和研究表明，锡/铅表面镀层消除了锡须的萌发和生长。向锡表面镀层添加1%～10%的铅合金这一行业锡须风险缓解方法主要根据贝尔实验室在20世纪50年代进行的研究。研究显示只要向锡镀层添加1%或2%的铅就能大大缓解锡须的萌发。根据其他极值、合金的冶金性能和一般的电镀供应商可能会生产出含有(1%～3%)Pb合金的零件，而未按计划进行电镀。需要测试各批次Pb含量且控制等级为3级的产品很可能出现这些问题。这在经共沉积的SnPb滚镀工艺中很普遍，其中充分混合。对于3级控制产品，在Pb含量小于3%的情况下(即使计划使用更多的Pb)需要放弃使用虽然锡须增长机制仍未知，但行业供应商正在使用许多零件供应商介入锡须测试方法和镀层鉴定方法的开发。其中包括JESD22-A121“锡和锡合金品的预期使用寿命为3年~7年，预计如果没有其他的缓解措施，只有上述使用寿命的产品或在该时间过测试不能减少或量化ADHP系统的风险。测试结果与实际性能相关性的数据非常有限。报告显示有零件通过JESD201后发生锡须现场失ADHP团体使用JESD201是有争议的。一些人认为使用该测试方法的供应商至少考虑了锡须问对于使用寿命较长的产品或7年内未进行彻底检查的产品，如果分析内容包括鉴定或其他测试数许多研究小组将雾锡视为风险较低的镀层。然而，亮锡和雾锡的定义因经销商而异。基本上没有对经销商产品是否符合iNEMI或其他规定进行验证的做法。由于难以分类，所以根据这些描述性术语进行采购很容易被误导。因此，如果没有能对所涉及零件和工艺进行实质性支持的数据，本文件不宜为定义具有较低风险的镀层而区分亮锡和雾锡的风险。2mm的锡须。该研究指出雾锡可能非常有效，特别是与其他缓解措施相结合的情况下水平，锡可能会从表面挤出，减轻应力并产生锡须。由于合金42和锡间的CTE不匹配，在热循环下锡镀层后的合金42引线框架很容易生长锡须。元器件进行SAC镀层趋势并非重点研究课题，因为对电子行业来说表面镀层是一个相对较新的电子行业普遍认为SAC表面镀层不会引发锡须并使锡须生长，主要是因为这些表面镀层应用的是热浸镀工艺而非电镀工艺(见B.7.2)。此外，还提出以下观点：由于表面镀层中锡含量总体降低，SAC镀层的银含量降低和/或消除锡须生长的可能性。JCAA和JGPP无铅焊接项目采用SAC焊锡合金和SAC焊锡工艺进行了一系列恶劣环境下的热循环和机械试验。试验完成后，未观察到锡须迹象。SAC镀层在热循环下可能会出现锡须问题，尤其是在覆于合金42的时候。SAC在环境条件下性能更强，但观察到锡须，并且在SAC零件上观察到的长度>10μm的锡须数量比SnPb上的要多。B.8.4锡厚度一些数据表明较厚的无铅锡镀层较不易产生锡须和/或在锡须出现之前有较长的潜伏期。宜没有镍或银镀层的零件的最小锡厚度为7μm,标称值为10μm,越厚越好。当使用镍或银镀层时，锡的最小(资料性)锡须检测虽然JESD22-A121主要用于审查试样和鉴定测试结果，但还提供了检测锡须且适用于硬件的第一次对锡须进行的重要检查宜使用立体显微镜(约50X,至少一个柔性光源)。宜采用如下的检●多角度虎钳或万向架；●立体显微镜(至少50X);●柔性鹅颈灯。图C.4涂覆覆形涂层后附着在引线框架的涂层残留物和灰尘图C.5通过光学显微镜和扫描电子显微镜进行锡须观察的比较图C.6显微镜观察的限制图C.7的a)～f)描述了未涂覆的测试试样初步锡须检测的过程。区域1区域2区域3图C.7未涂覆的测试试样初步锡须检测区域1区域3区域1区域2区域3图C.7未涂覆的测试试样初步锡须检测(续)区域1区域2区域3区域1区域2区域3图C.7未涂覆的测试试样初步锡须检测(续)区域1区城2区域3图C.7未涂覆的测试试样初步锡须检测(续)可能需要使用最小250X放大倍数的扫描电子显微镜(SEM)对所有长度和密度进行表征分析。(资料性)D.1概述a)绝大多数报告的锡须所导致的失效原因是一根导涂层的电路板应视为能够为锡须缓解2B级控制●镀层类型(纯锡或锡合金，电镀或浸渍);●基板和底镀层材料；●元器件类型；●无铅锡表面的大致面积；●内部间隙距离。●安装和处理过程中的温度暴露值；●锡须附着在无铅锡表面上的间隙距离；●自由浮动式锡须的间隙距离；●自由浮动式锡须太短时可用的电流和电压；●一般情况下，对单元的FOD的关注度；●储存温度(切记锡须在稍高于室温的温度下生长最好)、湿度、大气(压力和腐蚀)和使用现场温度(切记锡须在稍高于室温的温度下生长最好)、湿度、大气(压力和腐蚀)和使用·温度循环期望值；●预期气流(可能会破坏锡须);●预期振动(可能会破坏锡须)。且大多商业产品的预期使用寿命均在3年～7年，因此预期这些测试的积极成果通常仅适用于那些在对于使用寿命较长的产品或7年内未进行彻底检查的产品，如果分析内容包括鉴定或其他测试数利用供应商有关使用锡件硬件的历史可靠性现场数据可以观察锡须的风险情况。在这些应用中，如果有失效的可能，这些锡件的历史失效数据库可能包括一些锡须失效，但其原因可能未被追溯到小电压为12V,最小电流为0.75A。但当电路中的电感和电容能够将电压和电流提升到所需的值时，(资料性)在天弘实验室进行测试后，在焊脚上形成锡须的示例如图E.1所示。图E.1a)和图E.1b)显示了在85℃/85%RH下存储500h,然后在-55℃~85℃的温度下进行1000次空气循环后从Sn63Pb37合金焊点生长的锡须的扫描电子显微镜(SEM)照片。从SnPb焊角的富锡相生长的锡须最长不超过图E.1在85℃/85%RH下存储500h,然后在-55℃~85℃下进行1000次a)含有离子污染物的Sn-Ag-Cu焊料；E.2.2含有离子污染物的无铅焊料中的有文献报告了从SAC405焊料生长长锡须相关的第一个失效。这种锡须是从MOSFET器件的焊脚生长出来的(见图E.2)。该器件具有合金42引线框架和雾锡镀层，并使用免清洗的SAC405焊膏进行组装。采用送风的方式，在65℃和25%RH下对组装件进行了为期20d的寿命试验。由于两个单在存在污染物的SAC焊料上观察到了锡须的生长。在60℃和20%RH～30%RH条件下进行为镜(SEM)观察。详细的金相分析显示，锡须并非如预期来自元器件铅镀层，而是来自SAC405或3图E.3通过助焊剂残留物伸出和从无助焊剂残留的焊料生长出来的锡须和突起(续)得出结论：来自无铅焊料的锡须形成与腐蚀有关。腐蚀通过焊料的枝晶间空间中的共晶区域传播，伴随着焊锡块材的密集扩散，导致焊料中银和铜的消耗。耗尽的焊料区域可能会承受来自焊料其余部分的挤压应力，这可能导致再结晶(和可能的动力学再结晶),并形成突起和锡须。本研究的结果揭示了原始零件离子污染与锡须生长倾向之间的关系。该文献侧重点虽然不是焊点，但对离子污染暴露所引起的锡须生长的可能性进行了评估。用三种不同的氯溶液对在受力铜基上的电镀锡样品进行为期72h的测试，之后进行为期4000h的高温/高湿度(85℃/85%RH)。对五个指定位置进行了每间隔500h的光学与扫描电子显微镜(SEM)检查，记录了所有异常情况，锡须长度和总体密度。测试结果表明，锡须长度和总体密度均受到离子污染的影响(见图E.4和图E.5)。平均锡须长度累积小时数锡须密度锡须密度▲—▲控制值◆半饱和值▲0累积小时数在焊接前清洗元器件及组装后清洗组件以达到低于可接受等级10倍的离子污染等级，在85℃/装件和被系统污染的零件上形成了长锡须。即使是仅含有己二酸酯的无卤化物ROLo(含有0%重量锡须倾向-元器件和组件污染物锡须倾向-元器件和组件污染物清洗后接收状态具有受污染的元器件具有受污染的元器件+组装后受ROLO助焊剂污染0SOT23SOIC8焊料并利用各种市售助焊剂焊接。在60℃/90%RH和85℃/85%RH的条件下，腐蚀似乎与焊接过清洗工艺焊接的无铅组件上可能会生长锡须，可使用不会促进腐蚀的助焊剂(又一个研究报道了在85℃/85%RH测试条件下焊料上锡须的形成，通过观察回流过程的工艺气体——氮气和空气的影响及三种不同浓度HBr催化剂的影响。结果发现当使用无卤素助焊剂或氮气回流的焊点检测到有大量锡氧化物渗入焊脚(见图E.7)。锡氧化物的形成导致体积膨胀约29%~34%。因此，锡氧化物的形成可以作为作用于锡粒的压应力源。为了图E.7在85℃/85%RH下存储1000h后，在空气中采用含0.8%HBr活性助焊剂组装的焊脚微观结构锡须图E.8通过氧化作用在焊角上形成锡须的机理E.2.3含稀土元素的无铅焊料中的长锡须有文献讨论了在添加REE后的无铅焊料上锡须的生长情况。添加REE旨在改善SAC合金的机械性能和润湿性。文献发现，在室温下保存后，球栅阵列封装的Sn3Ag0.5Cu0.5Ce焊点中出现了锡须。锡须的高倾向归因于CeSn₃颗粒，其存在于回流焊后的焊料中，并在自然老化过程中迅速氧化。CeSn₃的表面氧化物消耗的铈多于锡。含有几乎纯锡的贫铈层被留在氧化层。异常的锡须生长是由于锡层中贫铈层的压应力。研究在锡和含稀土合金表面的氧化诱发锡须生长的文献得出了类似的结论。正如文献总结的那样，锡须生长的驱动力是由(La0.93Ce0.07)Sn₃体积膨胀引起的压应力。通过氧化反应释放的锡原子被挤出氧化膜。另外，通过大量氧化的金属间化合物的体积膨胀所积累的巨大压应力将氧在一些项目中，在85℃/85%RH暴露期间可检测到从含有REE的SAC105焊锡块材生长的锡须。此外，还观察到了在氮气和室温下储存121d和194d后，可从焊锡块材和焊点的横截面样品的表图E.9在氮气和室温下的SAC105焊锡块材铅焊料上形成锡须是由于在氧化和腐蚀过程中产生的局部应力引起的，是由于动力学再结晶导致富锡相变和表面应力松弛。无铅组装件的材料和工艺参数的选择与控制在锡须缓解方面至关重要，这与锡铅组装件完全不同。F.1概述样品1锡样品防锡须锡样品通过高温退火去除锡层的残留内应力，高温过程中形成一定厚度的IMC作为阻挡层降低Cu原子IMC厚度1出现较多锡须2出现少量锡须3出现极少锡须4原因1更改第1段的表述，整理提炼本文件规定的内容更改第2段的表述，整理提炼本文件的适用按GB/T1.1的要求表述本文件的具体适用范围删除缩略语MEMS和OSD4更改第2段的表述，删除解释说明性语句的应用提高易用性，便于本文件的应用更改第7段的表述，删除解释说明性语句语句精炼，提高易用性，便于本文件的应用的应用更改第1段的表述，删除解释说明性语句语句精炼，提高易用性，便于本文件的应用的应用更改第1段的表述，引用的要求更改第1段的表述，删除解释说明性语句提高易用性，便于本文件的应用的应用的应用更改第2段的表述，删除解释说明性语句提高易用性，便于本文件的应用[2]Harris,P.“TheGrowthofTinWhiskers”,InternationalTinResearchInstitute(ITRI),PublicationNo.734,1994.[3]Tobin,M.,“TinWhiskers;AnOverviewofProceedingsIPCWorksConference,Miami,[4]“NASAGoddardSpaceFlightCenterTinWhiskerHomePage”[5]“TinWhiskerConcernsand[6]Osterman,M.“TinWhiskerMitigationGuide—A3/2002Updated8/28/2002.[7]Leidecker,H.andJ.S.Kadesch,“EffectsofUralaneConformalCoatingonTinWhiskerGrowth”,ProceedingsofIMAPSNordic,The37thIMAPSNordicAnnualConference[8]Hymes,L.“ShavingTinWhiskers”,ProceedingsIPCWorksConference,Mia[9]Woodrow,T.andE.LeProceedings,February,2007.[11]Hunt2008CandM.Wickham,“Evaluwhiskering,”MAT36,September,2009.[12]Woodrow,T.etal,“EvaluationofConformalCoatingsagy,PartⅡ”,SMTAIConferenceProceedings,Se[14]Kadesch,J.S.andJ.Brusse,ControlthemwithConf[15]Panashchenko,L.etal.,“LongtermInvestigationofUrethaneConformalCoatingAgainstTinWhiskerGrowth”,IPCTinWhisk[16]McDowell,M.E.“TiIEEE,1993,pp.207-215.[17]Touw,A.andT.Lin,“TinWhiskerInteractions:AMonteCarlotionalTinWhiskerSympos[18]/whisker/p[19]Matsuoka,T.“JAXAReportonTinWhiskerTests,”GE[20]Osterman,M.etal.“ElectricalShortingPropensityofTinWhiskersonElectronicsPackagingMTransactionsonElectronicsPa[22]Han,S.etal.“ElectricalShortingPropensityofTinWhiskerstronicsPackagingManufacturingVol.33,No.3,JULY201[23]Courey,K.J.etal.“TinWhiskerElectricalTransactionsonElectronicsPackagingManufacturing[24]Dunn,B.“MechanicaltoSpacecraftSystems,”EuropeanSpaceAgency(ESA)J[25]Hada,Y.etal.“StudyofTinWhiskersonElectromagneticRelayParts,”26thAnnualNa-tionalRelayConference,pp.9.1-9.15,April25-2[26]/whisker/pho[27]Panashchenko,L.“EvaluationofEnvironmentsisforUniversityofMaryland,(/1903/10021)2009.[28]Fang,T.etal.“TinWhiskerRiskAss[29]Fukuda,Y.“ExperimentalInvestigationsofWhiskertationforUniversityofMaryland,(http://hdl.handle,net/1903/3058)2005.[30]Hilty,R.D.andN.Corman,“Ttion,”IPC/JEDECLead-FreeSymposium,Apri[31]Su,P.etal.“AStatisticalStudyoTemperatureandHumidityTests,”IEEETransactionsonElectronicsPackagi29,pp.246-251,2006.[32]Dunn,B.“15%YearsofTinWhiskerGrowth-ResultsofSEMInspectionsMadeonTinE-lectroplatedC-RingSpecimens,”[33]Dunn,B.“ALaboratoryStudySTR-223,1987,pp.1-50.TinWhiskers,UniversityofMaryland,2007.[35]Pinskey,D.,“TinWhiskerApplicationofthe2003Military&Aerospace/AvionicsCOTSConference,Au[36]Zhang,Y.“ElectroplatedTin:WhiskerTest,ResultsandWorksConference,Miami,USA,2000.[37]Dittes,M.etal.“TinWhiskerFormation-Results,TestMethodsandCountermeasuProc.53rd.ElectronicComponents&TechnologyConf[38]Oberndorff,P.etal.“IntermetallicFormationinRelationtoTinWhiskers”Proc.oftheIPC/SoldertecInternationalConference“TowardsImplementationoftheRHSDirective”June,11-122003,Brussels,Belgium,pp.170-178.[40]Oberndorff,P.etal.“WhiskerFormationonMatteSnInfluencingofHighHumidity,”IEEEElectronicComponentsandTechnologyConference2005,pp.429-433.[41]Osenbach,J.W.etal.“SnWhiskers:Material,Design,Processing,andEffectsandDevelopmentofanOverallPhenomePackagingManufacturing,vol.28,no.1,January2005.[42]Whitlaw,K.andJ.Crosby,“Aneelectrodeposits,”inProc.2002AESFSUR/FINConf.,Jun.2002,pp.19—30.[43]Osenbach,J.W.etal.“TheEffectsofBoardAttachmentProcessingonSntiononElectroplatedMatte-TinonCu[44]Fukuda,Y.,Fang,T.,Osterman,M.,andPecht,M.,“ThWhiskerGrowth,”ProceedingsofInternationalSurfaceMountTechnologyConference,Chicago,IL,pp.717-723,September26-30,2004.[45]Wei,C.C.etal.“RelievingSnWhiskerGAnnealingandReflowingTreatments,”JournalofAppliedPhysics,Vol.102,2007.[46]Lee,B.-Z.andD.N.Lee,“SpontaneousGrowthMechanismlurgica,Vol46No1[47]Kim,K.-S.etal.“TheEffectofPostbackTreatmentonWhiskerGrowthuperatureandHumidityConditionsonTin-PlatedCuSubstrates,”MaterialLetters,Vol.62,200Products,Version4,2006.[49]Oberndorff,P.etal.“WhiskerFormationonSnPlati5thInternationalCoferenc[50]Winterstein,J.etal.“CharacteristicsofTinWhiskersFormedonSputtered-Films—AnAgingStudy”,JournalofMaterialsResearch,Vol.19,200[51]Xu,C.etal.“UnderstandingWhiskerPhenomenon—DrivingForceForTheWhiskmation”,ProceedingsoftheIPCSMEMACouncilAPEX,[52]Puttlitz,K.,HandbookofLead-freeSolderTechnologyfor[53]Schetty,R.“TinWhiskerGrowthandtheMetallurgicalPropertiesofElectTin,”ProceedingsoftheIPC/JEDECInternationalCon[54]Zhang,Y.etal.“UnderstandingWTin/NickelInterface”,ProceedingsoftheIPCSMEMACoun[55]Dittes,M.etal.“TinWhiskerFormation—Results,TestMethods,andC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