SJ∕T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部发布I本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。——原规范开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规范中合并为tor(关断时间),1SJ/T1826—2016中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3DK100型NPN硅少功率开关晶体管详细规范外形符合GB/T7581-198《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的规定。1.发射极2.基极3.集电极2简略说明开关用双极型晶体管半导体材料：硅封装：金属封装(空腔应用：锋种电路中作开关及高频放大与振荡用。Vcso=20V(3DK100A、BVCBo=15V(3DK1000)VCFo=15V(3DK100A、BVcso=10V(3Dk100C)hE:25-180符号尺寸数值最小标称最大A——一jKL—L一2SJ/T1826—20164规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。章条号符号单位最小值最大值4.1工作环境温度-55℃4.2贮存温度Tstg-55℃4.3最大集电极-基极直流电压3DK100A3DK100B3DK100CVcmoV4.4最大集电极-发射极直流电压3DK100A3DK100B3DK100CVcE——V4.5最大发射极-基极直流电压VB一4V4.6最大直流集电极电流mA4.9T=25℃,不加散热片时的最大额定功率PotmW4.10最高结温—℃6电特性3SJ/T1826—2016章条号特性和条件除非另有规定，Tmb=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比d=1V,I=10mA色标：橙黄紫一A2b集电极-发射极饱和电压I=1mA,Ic=10mAyA2b基极-发射极饱和电压I=1mA,A=10mVE(atA2b集电极-基极截止电流A2b集电极-发射极截止电流A1A2b发射极-基极截止电流T=0,hx-4yAA2b高温下的集电极-基极截北电流I=0,T=125℃,h=6AC2b特征频客Va=6V,-mAf=100MHz导通时间I=1mA,=10mA关断时间I=1mA,I=10mA3DK100A3DK100B、CfMHzA4、C2aA4A4共基极输出电容V=6V,I=0,f=5MHzC—3C2a7.1器件上的标志——产品型号和分档标志，如3DK100A;——he分档色标；——质量评定类别标志Ⅱ,如3DK100AIⅡ;47.2包装盒上的标志8订货资料 9试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—1999。5检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,Vca=6VVce=1V,I=10mA短路：Icaoi≥10μA开路：hE≤5A2b分组集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比基极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝I=0,Vo=4VVe=1V,I=10mAI=1mA,I=10mAI=1mA,I=10mA一 一5580VV5A4分组特征频率导通时间关断时间3DK100A3DK100B、CGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994ⅢI,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Ke=6V,I=3mAf=100MHzI=1mA,I=10mAI=1mA,I=10mA MHz6检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tm=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位LTPDB1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD见第1章外形图B3分组引线弯曲(D)GB/T4937—1995IⅡ,1.2方法1,受试引出端数：3外加弯曲力：2.5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动，均认为器件失效B4分组可焊性GB/I4937+19952焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化(D)密封a.细检漏b.粗检漏最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比GB7T4937—1995Ⅲ,12GB/T437—1995GB/T4937--1995Ⅲ,7.3.6GB/T4587一1994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫0℃~100℃;10个循环GB/T2423.23—2013试验0方法1GB/2423.23—2013Vce=1V,I=10mA5——B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比集电极-发射极饱和电压GB/T4587-1994V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫工作寿命t=168h,Ka=0.6Vo,Pot=100mWI=0,Ya=6VVg=1V,I=10mAIg=1mA,I=10mA1442160.36—注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C组—周期检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容fGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Va=6V,I=3mA,f=100MHzVa=6V,I=0,f=5MHz—3MHzC2b分组高温下的集电极-基极截止电流GB/T4587—1994IV,1,2.1 C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1受试引出端数：3外加力：5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995I,2.2方法1A。周期=180d同B5分组最后测试 C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—199520000g同B5分组最后测试 —C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—199585℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试 —C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1工作寿命：t=1000h,Ve=0.6Vceo,Ptot=100mW同B8分组最后测试— C9分组高温贮存(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ