GBT 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2第4部分：半导体设备保护用熔断体中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局GB/T13539.4—2016/I I 2 4 4 7 8 8附录AA(资料性附录)熔断体和半导体设备的配合导则 附录BB(规范性附录)制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体的资料 22附录CC(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例 IGB/T13539.4—2016/IEC——第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示 第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似熔断器系统示例A至F;本部分为GB13539的第4部分。本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本部分代替GB/T13539.4—2009《低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要 GB/T5465.2—2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号(IEC60417DB:2007, GB13539.1—2015低压熔断器第1部分：基本要求(IEC60269-1:2009,IDT) GB/T13539.2—2015低压熔断器第2部分：专业人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至K( ⅡGB/T13539.4—2016/IEC——删除国际标准的前言1GB/T13539.4—2016/IEC60269半导体设备保护用熔断体应符合IEC60269-1:2006所有要求超过交流1000V或直流1500V的电路。如1)额定值；4)时间-电流特性；5)分断能力；6)截断电流特性和I²t特性；IEC60269-1:2006低压熔断器第1部分：基本要求(Low-voltagefuses—Part1:Generalre-IEC60269-2:2006低压熔断器第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的fusesforusebyauthorizedpersons(fusesmainlyforindustrialapplication)-Examplesofsta2GB/T13539.4—2016/IECIEC60269-3低压熔断器第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类mentsforfusesforusebyunskilledpersons(fuamplesofstandardizedsyIEC60417设备用图形符号(Graphicalsymbolsforuseonequipment)ISO3优先数优先数系列(Preferrednumbers—Seriesofpreferrednumbers)VSI熔断体VSIfuse-link3GB/T13539.4—2016/IEC由交流电压整流得到的，那么直流电压的波动不应超过平均值的5%或低于平均值的9%。4GB/T13539.4—2016/IEC60264分类a)额定电压(见5.2);b)额定电流(见IEC60269-1:2006中5.3);c)电流种类和频率(见IEC60269-1:2006中5.4);d)额定耗散功率(见IEC60269-1:2006中5.5);f)分断范围(见IEC60269-1:2006中5.7.1);g)额定分断能力(见IEC60269-1:2006中5.7.2);h)截断电流特性(见5.8.1);j)尺寸或尺码(如适用);k)电弧电压特性(见5.9)。除IEC60269-1:2006规定外，制造厂应规定额定耗散功率与50%～100%额定电流的函数关系或50%、63%、80%和100%额定电流时的额定耗散功率。GB/T13539.4—2016/IEC6026制造厂应按8.3规定的条件，提供周围空气温度为20℃~25℃时的时间-电流特性。考虑的时间-见7.4。约定时间和约定电流在表101中规定。A约定时间h“gR”型“gS”型II134注：gR和gS的解释见5.7.1。附录CC中，某些示例规定了Ia≤16的要求6GB/T13539.4—2016/IEC验证过载能力的坐标点的数量和位置应由制造厂选定。验证过载能力点的时间坐标应选择在约定过载曲线是由验证过载能力的坐标点上引出的直线段组成。从每组坐标点上，可引出两条 7GB/T13539.4—2016/IEC60269对于直流，截断电流特性应代表工作在时间常数按表105(用于aR、gS和gR熔断体)或表106(用对于直流，弧前I²t特性应以时间常数按表105(用于aR、gS和gR熔断体)或表106(用于VSI的导致最大熔断I²t特性的电流出现的瞬间为基础(见8.7)。电压参数至少应包括100%、50%和25%的对于直流，熔断I²t特性应在时间常数按表105(用于aR、gS和gR熔断体)或表106(用于VSI的aR熔断体)规定下，以外加电压为参数表示。电压参数至少应包括100%和50%额定电压。较低电压下的熔断I²t特性可以根据直流应用或VSI应用按表105或表106的试验来确定。制造厂提供的电弧电压特性应给出以熔断体所在电路的外加电压为函数的电弧电压的最大值(峰值)。对于交流，功率因数值按表104规定；对于直流，时间常数根据直流应用或VSI应用按表105或表106规定。 如下IEC60417中所示的熔断器(5016)和整流器(5186)标志的组合88根据8.7确定的熔断I²t值不应超过制9熔断体应有一个交流分断能力或一个直流分断能力或一个VSI分断能力。熔断体可有一个或多表102完整试验清单约定电缆过载试验(仅对“gR”和“gS”熔断体)111111133“gR”和“gS”分断能力和动作特性“aR”分断能力和动作特性1133对于VSI熔断体：3如果周围空气温度在10℃和30℃之间，弧前I²t特性有效。验证过载能力的点数由制造厂规定。1试验过程中周围空气温度在10℃~30℃范围内。GB/T13539.4—2016/IEC对于交流，导致实际弧前时间小于额定频率的10个周波的预期电流值至绝热熔化的电流值范围对于同一熔断体系列(见8.1.5.2),8.5的完整试验仅需在最大额定电流的熔断体上进行。对于最——Iza电流(见表104);—-20V的恢复电压。恢复电压值可以超过10%。行试验。对于直流，“aR”型熔断体应进行No.11~No.12a试验，“gR”和“gS”型熔断体应进行No.11、No.12和No.13试验，除非另有规定，应按表105规定的值进行试验。对于VSI熔断体，应根据表106规定的值进行No.21试验。No.2a“aR”“gR”和“gS”电流允差不适用电压过零后的接通角不适用不作规定电压过零后的电弧始燃角65°~90°不适用I₁:额定分断能力的电流。I₂:试验时电弧能量接近最大时的电流。作为实际应用中的指南，可以认为I₂是对应于额定频率下，时间-电流特性中半个周波弧前时间时电流值的3～4倍。I₂n:制造厂规定的在过电流范围内熔断体分断能力的最小值(见7.4)。I₅:验证熔断器在小过电流范围内是否能可靠动作的试验电流。如果制造厂认可，功率因数可以小于0.3。对于单相电路，实际应用中，外加电压的有效值等于工频恢复电压的有效GB/T13539.4—2016/IEC 表105直流熔断器分断能力试验参数No.12aI“aR”“gR”和“gS”电流允差不适用时间常数预期试验电流超过20kA:10ms～15ms预期试验电流I不超过20kA:0.5(I)0.3ms,允差+20%°(I以A为单位)I₁:额定分断能力的电流(见5.7)。I₂:试验时电弧能量接近最大时的电流。注：如果电弧出现时的电流达到0.5～0.8倍预期电流，可以认为电弧能量接近最Ig:制造厂规定的在过电流范围内熔断体分断能力的最小值(见7.4)。Is:验证熔断器在小过电流范围内是否能可靠动作的试验电流。b如果制造厂认可，可超出上限值。在某些实际应用中，可能出现时间常数比试验中规定值小，这更有利于熔断器的运行。比间常数在大多数情况下会严重影响熔断器的性能，特别是对额定电压的影响。对此类应用情况，制造厂应提按8.5进行的试验应按8.6.2进行评估。试验可用于证明同一系列全部熔断GB/T13539.4—2016/IEC60269电流允差时间常数1ms和3ms之间I₁:额定分断能力的电流(见5.7.2)。如果制造厂认可，可超出上限值。“如果制造厂认可，可超出上限值。对于直流，截断电流特性应由表105规定的N对于VSI熔断体，截断电流特性应由表106规定的No.21试验进行验证。对于交流，I²t特性应由表104规定的No.1和No.2试验进行验证。对于VSI熔断体，I²t特性应由表106规定的No.21试验进行验证。每个预期电流对应的熔断I²t值不应大于给定外加电压时的制造厂规定值。对于交流，电弧电压特性应由表104规定的No对于直流，电弧电压特性应由表105规定的No.11和对于VSI熔断体，电弧电压特性应由表106规定的No.21试验进行验证。对数对数t/s弧前特性XY对数L图101约定过载曲线(举例)(X、Y为验证过载能力的点)图102用于螺栓连接熔断体的约定试验装置示例图103用于刀型触头熔断体的约定试验装置示例下列术语和定义适用于本附录。也可见第2章术语和定义。AA.3载流能力额定电流试验是验证熔断体在规定试验条件下，至少能够重复承受100次额定电流负载。随着实在与额定电流验证条件(见8.4.3.4)相同的条件下进行验证。以这些已验证的点 等效约定过载的时间应使其I²t等于实际负载在熔断体约定时间的0.2倍时间内积分的I流)的正弦外加电压。熔断体的数据与额定电压有关。仅在额定电压值的基础上对不同厂家的熔断体在燃弧时间内，燃弧电压和外加电压的差决定了电流的变化率。该变化率一般从峰值下降到零。对于在绝热区域或绝热区域附近动作的熔断体，弧前I²t值是一个很明确的量。而GB/T13539.4—2016/IEC60269AA.4.3电弧电压由于实际电流和额定电流之间的关系对耗散功率的影响显著,可能需要使用比重复工作制和过载所确定的额定电流更大的熔断体。但较大的额定电流意味着AA.5.3相互影响AA.6.1弧前特性除上述提到的区域外，高于额定频率的任何频率的电流实际上对弧前I²t的值没有影响。对于额阻)明显高于(3倍或更多)在所考虑的电流上升率下的截断电流值。弧前I²t是根据上升率判断(见AA.6.1)的所有直流对于直流分断能力(见AA.1注),熔断体中释放出的能量在大多数情况下大于额定频率时的释放b)产品型号或目录号。d)额定电流(见3.5)。e)额定频率或其他频率(见5.4)。f)额定分断能力(额定电压下和不同的外加电压下)(见5.7.j)电弧电压特性(见5.9和8.7.5)。k)截断电流特性(见5.8.1和8.6)。1)约定试验条件下额定电流时的温升以及指明规定的m)至少50%和100%额定电流下的耗散功率，在固定点或以图表形式表示该范围内的耗散功率(附加参数可以是63%和80%)(见7.3和8.3.3)。(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例CC.1总则本附录分为如下7个具有标准尺寸的熔断体系统特殊示例：——A型螺栓连接熔断体系统英国；——B型螺栓连接熔断体系统DIN;——A型接触片式熔断体系统；——B型圆筒形帽熔断体系统法国。用于半导体设备保护的熔断体也可以具有与以下熔断体相同的尺寸：——IEC60269-2:2006中熔断器系统A、B、F和H;——IEC60269-3中熔断器系统A。熔断体的耗散功率除应满足本标准的要求外，同时不应超出配合使用的熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率。如果熔断体的耗散功率大于标准熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率，制造厂应降低其额定值。CC,2A型螺栓连接熔断体系统英国CC.2.1范围以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.1～图CC.3要求的螺栓连接熔断体。熔断体的额定电压和电流如下：●交流230V,电流不超过900A;●交流690V,电流不超过710A。CC.2.2机械设计(见IEC60269-1:2006中7.1)熔断体的标准尺寸见图CC.1～图CC.3。CC.2.3熔断体结构为了指示动作，可使用一个带撞击器的熔断体。带撞击器的熔断体的标准尺寸见图CC.4。GB/T13539.4—2016/IEC60269定电压V(交流)AABDEFGHJK44注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。定电压V(交流)AABDEFGHJK注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询定电压V(交流)AABDEFGHJK注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。图CC.3并体熔断体典型额定电压V(交流)ABDEF注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。图CC.4带撞击器的熔断体GB/T13539.4—2016/IEC60269以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.5和图CC.6要求的螺栓连接熔断体。熔断体的额定电流至1250A,额定电压至交流1250V。A约定时间h“gR”型“gS”型II1III1III63<I.≤1601234IICC.3.3机械设计(见IEC60269-1:2006中7.1)熔断体的标准尺寸见图CC.5和图CC.6。对于具有其他固定尺寸(例如延长孔、纵向或交叉狭槽)的熔断体的机械设计，用户应与制造厂 士2b099图CC.5尺码000和00的B型螺栓连接熔断体b201231)扁平端子的螺纹或相应的通孔；2)端子间距离；3)指示器或撞击器(如需要);图CC.6尺码0、1、2和3的B型螺栓连接熔断体GB/T13539.4—2016/IEC6026以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.7要求的螺栓连接熔断体。熔断体的交流额定电压(见——交流500V,电流不超过1200Ag——交流700V,电流不超过600A;——交流1000V,电流不超过800A。CC.4.2机械设计(见IEC60269-1:2006中7.1)熔断体的标准尺寸见图CC.7。CC.4.3表104工频恢复电压应为：额定电压的100±5%。CC.4.4表105恢复电压的平均值应为额定电压的100±5%。定电压V(交流)电流AABCDEFGH定电压V(交流)电流AABCDEFGH注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。图CC.7(续)CC.5A型接触片式熔断体系统CC.5.1范围以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.8要求的接触片式熔断体。熔断体的额定电流不超过5000A,额定电压不超过交流1250V。CC.5.2“gR”和“gS”型熔断体的约定时间和约定电流(见表CC.2)CC.5.3机械设计(见IEC60269-1:2006中7.1)熔断体的标准尺寸见图CC.8。A约定时间h“gR”型“gS”型III1I11234I单位为毫米DE定电压V(交流)ALBCDE最小深度555518188292929393939494949444注2:如果表面积不小于所示尺寸，端部触头允注3:直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。CC.6.1范围以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.9要求的接触片式熔断体。熔断体的交流额定电压(见 交流250/300V,电流不超过4500A; 交流600V,电流不超过2000A。GB/T13539.4—2016/IEC6026CC.6.2机械设计(见IEC60269-1:2006中7.1)熔断体的标准尺寸见图CC.9。CC.6.3表104额定电压的100±5%。CC.6.4表105额定电压的100±5%。定电压V(交流)AABCD固定螺钉数221/2“-20×1/2”41/2“-20×1/2”63/8“-24×1/2”241/2“-20×1/2”4241/2“-20×1/2”4注：直流和VSI的额定电压向制造厂咨询。CC.7A型圆筒形帽熔断体系统北美CC.7.1范围以下的补充要求适用于尺寸符合图CC.10要求的圆筒形帽熔断体。熔断体的交流额定电压(见CC.7.3)和电流如下：——交流150V,电流不超过60A;——交流600V,电流不超过30A;——交流1000V,电流不超过30A。对于直流额定电压，见CC