SJ∕T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率_第1页
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ST/T2658.16—2016第16部分：光电转换效率Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode——Part16:Photo-electricconversionefficiency中华人民共和国工业和信息化部发布IST/T2658.16—2016——第2部分：正向电压；——第3部分：反向电压和反向电流；——第5部分：串联电阻；——第7部分：辐射通量；——第8部分：辐射强度；——第9部分；辐射强度空间分布和半强度角；——第10部分：调制带宽；——第16部分光电转换效率。本部分为S/T2658的第16部分。本部分依据GB/T—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分主要起草人：张戈、赵英。1ST/T2658.16—2016半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率1范围本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率3一般要求4.1测量原理4.2测量步骤d)按公式(1)计算光电转换效率：2

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