电子行业半导体制造与封测方案

电子行业半导体制造与封测方案TOC\o"1-2"\h\u5775第一章：半导体制造概述 2267181.1半导体制造简介 24141.2半导体制造流程 3135091.2.1设计与仿真 3240131.2.2硅片制备 375961.2.3光刻 3260741.2.4刻蚀 330351.2.5离子注入 372751.2.6化学气相沉积 3103551.2.7热处理 3150731.2.8封装与测试 3207221.3半导体制造发展趋势 450911.3.1制程技术升级 4133341.3.2设备更新换代 4284421.3.3材料创新 4100201.3.4封装技术升级 420470第二章：半导体材料与设备 4322872.1半导体材料概述 4264862.2半导体设备分类 5181562.3半导体设备选型与评价 512612第三章：光刻技术 616663.1光刻技术原理 6324223.2光刻机种类及特点 6206193.2.1深紫外光（DUV）光刻机 615623.2.2极紫外光（EUV）光刻机 654143.2.3光刻机其他类型 611643.3光刻工艺优化 775953.3.1光刻胶优化 796113.3.2曝光参数优化 7144973.3.3显影工艺优化 7209753.3.4设备维护与校准 722083第四章：蚀刻与沉积技术 7165784.1蚀刻技术概述 787724.2沉积技术概述 7175224.3蚀刻与沉积工艺控制 819642第五章：掺杂与离子注入 8242145.1掺杂原理 98555.2离子注入技术 9140235.3掺杂与离子注入工艺优化 925935第六章：半导体器件制造 10136636.1器件制造流程 10203896.1.1设计与仿真 10187206.1.2硅片制备 1032566.1.3光刻 10222806.1.4刻蚀 1023646.1.5离子注入 1035586.1.6化学气相沉积（CVD） 105216.1.7热处理 10254466.1.8封装 11310866.2器件种类及特点 11283346.2.1晶体管 11306806.2.2二极管 11135126.2.3集成电路 11315156.2.4光电器件 11239136.3器件制造工艺控制 11206396.3.1环境控制 11150566.3.2设备控制 11148996.3.3工艺参数控制 1196906.3.4质量控制 1131329第七章：封装技术 12305937.1封装技术概述 1231907.2封装材料与工艺 12295187.2.1封装材料 12116657.2.2封装工艺 12211447.3封装技术的发展趋势 1218302第八章：测试与质量控制 13241998.1测试原理与方法 1349118.2质量控制策略 13141128.3测试与质量控制发展趋势 1414336第九章：半导体制造项目管理 1461379.1项目管理概述 1456849.2项目进度与成本控制 15120979.3项目风险管理 157759第十章：半导体制造与封测产业发展 1656910.1产业发展现状 162564810.2产业政策与规划 162927310.3产业发展趋势与挑战 16第一章：半导体制造概述1.1半导体制造简介半导体制造是指将半导体材料经过一系列加工处理，制成具有特定功能器件的过程。半导体器件是现代电子行业的基础，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。半导体制造技术是衡量一个国家科技实力的重要指标，也是推动全球电子行业发展的关键因素。1.2半导体制造流程半导体制造流程主要包括以下几个阶段：1.2.1设计与仿真在制造半导体器件之前，首先要进行电路设计与仿真。设计人员根据器件的功能要求，使用电子设计自动化（EDA）工具进行电路设计，并通过仿真验证电路的功能与功能。1.2.2硅片制备硅片是半导体制造的基础材料，制备过程包括切割、抛光、清洗等步骤。硅片的纯度、厚度、表面粗糙度等参数对器件功能有重要影响。1.2.3光刻光刻是将电路图案转移到硅片表面的过程。光刻机通过紫外光或其他光源照射掩模，将掩模上的电路图案投影到硅片表面，形成所需的图形。1.2.4刻蚀刻蚀是将光刻后的硅片表面暴露出的部分去除，形成电路图案的过程。刻蚀工艺分为湿法刻蚀和干法刻蚀，根据刻蚀速率、选择性和均匀性等要求选择合适的刻蚀方法。1.2.5离子注入离子注入是将特定元素的离子注入到硅片表面，改变其导电功能的过程。离子注入可以精确控制注入元素的浓度和分布，实现对器件功能的调控。1.2.6化学气相沉积化学气相沉积（CVD）是将气态化合物在硅片表面沉积，形成薄膜的过程。CVD薄膜具有良好的物理和化学功能，为器件提供保护和绝缘作用。1.2.7热处理热处理是将硅片在高温下加热，改变其内部结构的过程。热处理可以消除硅片内部的缺陷，提高器件的可靠性。1.2.8封装与测试封装是将制造好的半导体器件封装在保护壳内，防止外界环境对器件造成影响。测试是对封装后的器件进行功能检测，保证其满足设计要求。1.3半导体制造发展趋势电子行业的快速发展，半导体制造技术也在不断进步。以下是半导体制造发展趋势的几个方面：1.3.1制程技术升级制程技术是衡量半导体制造水平的重要指标。目前7纳米以下制程技术已逐步成熟，未来将继续向5纳米、3纳米甚至更小尺寸发展。1.3.2设备更新换代半导体制造设备是制约我国半导体产业发展的关键环节。未来，我国将加大对高端制造设备的研发投入，提高国产设备的竞争力。1.3.3材料创新新型半导体材料如碳纳米管、石墨烯等具有优异的功能，有望替代现有材料。材料创新将推动半导体制造技术的进步。1.3.4封装技术升级器件尺寸的减小，封装技术也面临着挑战。未来，封装技术将向三维封装、晶圆级封装等方向发展，提高封装密度和功能。第二章：半导体材料与设备2.1半导体材料概述半导体材料是电子行业发展的基础，其主要特点是导电功能介于导体和绝缘体之间。半导体材料广泛应用于各类电子器件中，如集成电路、光电器件、传感器等。以下为几种常见的半导体材料：（1）硅（Si）：硅是目前应用最广泛的半导体材料，具有良好的物理和化学性质，如高熔点、高硬度、低热膨胀系数等。硅材料在电子器件制造中具有较低的成本和较高的成品率。（2）锗（Ge）：锗是一种较早应用于半导体器件的材料，具有较小的禁带宽度，适用于制作高速、高频的电子器件。（3）砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种化合物半导体材料，具有较高的电子迁移率和较低的噪声特性，适用于高速、高频通信设备。（4）碳化硅（SiC）：碳化硅具有高硬度、高热导率、高击穿电压等特性，适用于制作高温、高压、高频的电子器件。2.2半导体设备分类半导体设备是半导体制造过程中的关键工具，主要包括以下几类：（1）晶圆制造设备：晶圆制造设备包括晶圆生长设备、晶圆切割设备、晶圆清洗设备等，用于生产半导体器件的基础材料。（2）光刻设备：光刻设备是半导体制造中的核心设备，用于将电路图案转移到晶圆上，主要包括光刻机、显影机等。（3）蚀刻设备：蚀刻设备用于在晶圆上刻蚀出所需的电路图案，包括湿法蚀刻和干法蚀刻两种方法。（4）镀膜设备：镀膜设备用于在晶圆表面沉积各种薄膜材料，如氧化膜、氮化膜等，以保护电路图案和提高器件功能。（5）检测设备：检测设备用于检测半导体器件的功能和结构，包括探针台、扫描电镜、原子力显微镜等。2.3半导体设备选型与评价半导体设备的选型与评价是保证半导体制造过程顺利进行的关键环节。以下为半导体设备选型与评价的几个方面：（1）设备功能：设备功能包括设备的工作速度、精度、稳定性等，应根据实际生产需求选择具有良好功能的设备。（2）设备兼容性：设备兼容性是指设备与其他设备或系统的配合能力，应考虑设备与现有生产线、软件系统的兼容性。（3）设备可靠性：设备可靠性是指设备在长时间运行中的故障率，应选择具有高可靠性的设备，降低生产风险。（4）设备成本：设备成本包括设备购置成本、维护成本、操作成本等，应在满足功能要求的前提下，尽量降低成本。（5）售后服务：售后服务包括设备维修、技术支持等，应选择具有良好售后服务的设备供应商，保证生产过程中出现问题的及时解决。通过对半导体设备的选型与评价，可以保证半导体制造过程的顺利进行，提高生产效率和产品质量。第三章：光刻技术3.1光刻技术原理光刻技术是半导体制造过程中的关键步骤，其原理是通过光化学反应在硅片表面形成所需的微小图形。具体过程如下：将光刻胶涂覆在硅片表面，形成一层均匀的薄膜。光刻胶是一种对光敏感的化学物质，能够在光照下发生化学变化。将带有掩模（mask）图案的光刻机对准硅片，通过紫外光或其他波长的光源照射，使光刻胶暴露在特定图案下。曝光后的光刻胶在显影液中发生溶解度变化，暴露区域与未暴露区域的溶解度差异使得显影液能够选择性地去除暴露区域的光刻胶。经过显影和清洗过程，硅片表面形成与掩模图案相对应的图形。3.2光刻机种类及特点根据曝光光源、分辨率和曝光方式的不同，光刻机可分为以下几种类型：3.2.1深紫外光（DUV）光刻机深紫外光光刻机采用波长较短的深紫外光（DUV）作为光源，具有较高的分辨率，适用于制造先进制程的半导体器件。其主要特点如下：（1）分辨率高，可达到纳米级别；（2）曝光速度快，生产效率较高；（3）设备成本较高。3.2.2极紫外光（EUV）光刻机极紫外光光刻机采用波长更短的极紫外光（EUV）作为光源，分辨率和成像质量更高，是目前最先进的光刻技术。其主要特点如下：（1）分辨率极高，可达到亚纳米级别；（2）成像质量好，适用于复杂图形的制造；（3）设备成本极高，且需要特殊的环境条件。3.2.3光刻机其他类型除DUV和EUV光刻机外，还有以下几种常见的光刻机类型：（1）可见光光刻机：采用可见光作为光源，分辨率较低，适用于成熟制程的半导体器件制造；（2）红外光光刻机：采用红外光作为光源，分辨率介于可见光和深紫外光之间，适用于特定应用场景。3.3光刻工艺优化光刻工艺优化是提高光刻效果和降低成本的关键。以下从以下几个方面进行优化：3.3.1光刻胶优化光刻胶的优化主要包括提高感光度、降低粘度、改善刻蚀选择性等。通过优化光刻胶的功能，可以提高光刻效果，降低生产成本。3.3.2曝光参数优化曝光参数包括曝光剂量、曝光速度和曝光均匀性等。通过调整曝光参数，可以优化光刻图形的质量，提高生产效率。3.3.3显影工艺优化显影工艺的优化主要包括显影液的选择、显影温度和显影时间等。通过优化显影工艺，可以保证光刻图形的精确转移，提高器件的可靠性。3.3.4设备维护与校准光刻设备的维护与校准是保证光刻工艺稳定性的重要环节。定期进行设备维护和校准，可以保证光刻机功能稳定，降低生产过程中出现的问题。第四章：蚀刻与沉积技术4.1蚀刻技术概述蚀刻技术在半导体制造过程中扮演着的角色。蚀刻是一种通过化学或等离子体方法，将半导体材料表面特定区域的材料去除的过程。蚀刻技术可分为湿法蚀刻和干法蚀刻两种。湿法蚀刻主要利用化学溶液与半导体材料之间的化学反应来实现蚀刻过程。这种方法的优点是设备简单、成本低，但缺点是蚀刻速率慢、选择性和均匀性较差。干法蚀刻则采用等离子体技术，通过物理和化学反应实现蚀刻。其优点是蚀刻速率快、选择性和均匀性好，但设备成本较高。4.2沉积技术概述沉积技术是半导体制造中的另一个关键环节。沉积是指在半导体基底表面形成一层或多层固体薄膜的过程。沉积技术可分为化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）等。化学气相沉积（CVD）是利用气态反应物在基底表面发生化学反应，固态薄膜的方法。CVD具有沉积速率快、膜层均匀性好等优点，但设备复杂、成本较高。物理气相沉积（PVD）是通过物理手段将固态材料蒸发或溅射到基底表面，形成薄膜的过程。PVD主要包括真空蒸发、磁控溅射等方法。PVD的优点是设备简单、成本低，但膜层均匀性相对较差。原子层沉积（ALD）是一种精确控制膜层生长厚度的沉积技术。ALD通过交替引入两种不同的气态反应物，在基底表面形成均匀的薄膜。ALD的优点是生长速率慢、膜层均匀性好，但设备成本较高。4.3蚀刻与沉积工艺控制在半导体制造过程中，蚀刻与沉积工艺的控制。以下是蚀刻与沉积工艺控制的关键因素：（1）选择性：选择性是指蚀刻或沉积过程中，对目标区域的针对性处理。选择性控制有助于提高蚀刻或沉积的均匀性和精确性。（2）均匀性：均匀性是指在整个基底表面，蚀刻或沉积的速率和厚度保持一致。均匀性控制有助于提高器件功能和可靠性。（3）深宽比：深宽比是指蚀刻或沉积过程中，垂直方向上的深度与水平方向上的宽度之比。深宽比控制有助于实现精细结构的制造。（4）蚀刻速率：蚀刻速率是指单位时间内蚀刻掉的材料厚度。提高蚀刻速率有助于提高生产效率。（5）沉积速率：沉积速率是指单位时间内沉积在基底表面的薄膜厚度。沉积速率控制有助于实现精确的膜层厚度控制。（6）温度控制：温度对蚀刻与沉积过程有重要影响。温度控制有助于优化反应速率和膜层质量。（7）气氛控制：气氛控制是指对反应室内气体成分和压力的调整。气氛控制有助于提高蚀刻与沉积过程的稳定性和均匀性。通过以上关键因素的控制，可以优化蚀刻与沉积工艺，为半导体制造提供高质量的基础。第五章：掺杂与离子注入5.1掺杂原理掺杂是半导体制造中的关键工艺，其目的是通过引入外来原子（掺杂剂）来调整半导体材料的电学性质。掺杂剂的选择和掺杂浓度的控制对于半导体器件的功能。掺杂原理主要基于杂质原子在半导体晶格中的替位或间隙机制。在替位机制中，掺杂剂原子替代半导体晶格中的原有原子，形成替位式杂质。这种杂质原子与原有原子形成共价键，改变了半导体的导电性。而在间隙机制中，掺杂剂原子进入晶格间隙，对半导体性质产生一定影响。5.2离子注入技术离子注入是一种有效的半导体掺杂技术，其基本原理是将掺杂剂离子加速至高能状态，然后注入到半导体材料中。离子注入技术具有以下优点：（1）高精度：通过控制离子束的扫描范围和能量，可以实现精确的掺杂区域和深度控制。（2）低温过程：离子注入过程中，半导体材料表面温度较低，有利于保护材料结构。（3）高掺杂浓度：离子注入可以实现高掺杂浓度，满足不同器件的需求。（4）可控性：通过调整离子束的能量、流量和扫描速度，可以实现掺杂浓度的精确控制。5.3掺杂与离子注入工艺优化为了提高半导体器件的功能，掺杂与离子注入工艺的优化。以下是一些常见的优化方法：（1）选择合适的掺杂剂：根据器件需求，选择具有合适电学性质的掺杂剂，以提高器件功能。（2）控制掺杂浓度：通过精确控制离子束的能量、流量和扫描速度，实现掺杂浓度的优化。（3）优化离子注入参数：调整离子束的扫描范围、能量和角度，以实现掺杂区域的优化。（4）改善离子注入后的退火处理：退火处理可以消除离子注入过程中的损伤，提高掺杂效果。通过优化退火温度、时间和气氛，可以进一步提高掺杂质量。（5）引入新型掺杂技术：半导体工艺的发展，新型掺杂技术如激光掺杂、分子束外延等逐渐应用于半导体制造，为掺杂工艺的优化提供了更多可能性。在半导体制造领域，掺杂与离子注入工艺的优化是一项持续的任务。通过不断摸索和研究，我们有望进一步提高半导体器件的功能，满足日益增长的电子行业需求。第六章：半导体器件制造6.1器件制造流程半导体器件的制造流程是一个复杂而精细的过程，主要包括以下几个关键步骤：6.1.1设计与仿真在制造半导体器件之前，首先需要进行器件的设计与仿真。设计人员根据器件的功能要求，使用电子设计自动化（EDA）工具进行电路设计和仿真，以验证器件的功能是否满足预期。6.1.2硅片制备硅片是半导体器件的基础材料，制备高质量的硅片对器件的功能。硅片制备包括切割、抛光、清洗等步骤，以保证硅片表面平整、干净。6.1.3光刻光刻是将器件图形转移到硅片上的关键步骤。光刻过程包括光刻胶涂覆、曝光、显影等步骤，通过精确控制曝光剂量和显影时间，实现器件图形的精确转移。6.1.4刻蚀刻蚀是将光刻后的图形转移到硅片表面的过程。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种，根据不同的刻蚀速率和选择ivity，选择合适的刻蚀工艺。6.1.5离子注入离子注入是将掺杂元素注入硅片的过程，以调整硅片的导电性。离子注入过程包括离子源制备、加速、注入等步骤。6.1.6化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是制备薄膜材料的重要工艺，用于制作器件的绝缘层、导电层等。CVD过程包括气体源制备、反应室加热、气体输运等步骤。6.1.7热处理热处理是半导体器件制造过程中的重要环节，用于实现掺杂元素的激活、硅片结构的优化等。热处理过程包括炉管加热、气氛控制等步骤。6.1.8封装封装是将制造好的半导体器件封装成具有一定结构、功能和使用寿命的产品。封装过程包括焊接、塑封、打印等步骤。6.2器件种类及特点6.2.1晶体管晶体管是半导体器件的基础，包括双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管具有放大、开关、调制等功能，广泛应用于各种电子设备中。6.2.2二极管二极管是一种具有单向导通特性的半导体器件，主要用于整流、稳压、开关等功能。6.2.3集成电路集成电路是将多个半导体器件集成在一个硅片上的复合器件，具有体积小、重量轻、功能强大等特点，广泛应用于各种电子设备中。6.2.4光电器件光电器件是利用光与半导体材料相互作用原理制成的器件，如发光二极管（LED）、光敏二极管等，广泛应用于显示、照明、通信等领域。6.3器件制造工艺控制在半导体器件制造过程中，工艺控制，以下为几个关键控制环节：6.3.1环境控制环境控制包括温度、湿度、洁净度等，以保证器件制造过程中不受污染和影响。6.3.2设备控制设备控制包括设备精度、稳定性、可靠性等方面的控制，以保证制造过程的顺利进行。6.3.3工艺参数控制工艺参数控制包括光刻剂量、刻蚀速率、离子注入剂量等，以保证器件功能的稳定和一致性。6.3.4质量控制质量控制包括对器件功能、可靠性等方面的检测，以保证器件满足预期要求。第七章：封装技术7.1封装技术概述封装技术是半导体制造过程中的关键环节，其主要目的是保护半导体芯片免受外界环境的影响，同时实现芯片与外部电路的连接。封装技术对提高芯片的功能、稳定性和可靠性具有重要作用。电子行业的发展，封装技术在半导体产业链中的地位日益凸显。7.2封装材料与工艺7.2.1封装材料封装材料主要包括塑料、陶瓷、金属等，它们各自具有不同的功能和特点。在选择封装材料时，需要根据芯片的功能、应用环境等因素进行综合考虑。（1）塑料封装：具有成本低、工艺简单、可靠性高等优点，广泛应用于消费电子、计算机等领域。（2）陶瓷封装：具有优异的耐热性、电气绝缘功能和机械强度，适用于高温、高压等恶劣环境。（3）金属封装：具有优良的导热功能和机械强度，适用于大功率器件和高频器件。7.2.2封装工艺封装工艺主要包括以下几种：（1）表面贴装技术（SMT）：将芯片贴装在PCB板上，通过焊锡连接。（2）插件技术（THT）：将芯片插入PCB板上的孔洞，通过焊接连接。（3）球栅阵列（BGA）技术：将芯片封装成球栅阵列，与PCB板连接。（4）倒装芯片（FC）技术：将芯片倒装在PCB板上，通过焊锡连接。7.3封装技术的发展趋势电子行业对高功能、低功耗、小型化等需求的不断提升，封装技术也在不断发展和创新。以下是封装技术的几个主要发展趋势：（1）高密度封装：为满足高功能、小型化的需求，封装技术正向高密度方向发展，如扇出型封装（FOWLP）、嵌入式封装（eWLP）等。（2）异构集成：将不同类型的芯片集成在同一封装体内，提高系统集成度和功能，如3D封装、异构集成封装等。（3）硅微孔技术：通过在硅片上制造微孔，实现芯片间的垂直互连，提高封装密度和功能。（4）新型封装材料：研发新型封装材料，如石墨烯、碳纳米管等，以提高封装功能和可靠性。（5）封装工艺创新：不断优化封装工艺，提高生产效率和产品质量，如激光焊接、紫外固化等。封装技术的不断创新和发展，将为电子行业带来更高的功能、更低的功耗和更小型化的产品。在未来，封装技术将继续发挥关键作用，推动电子行业的发展。第八章：测试与质量控制8.1测试原理与方法半导体制造与封测过程中的测试，旨在保证半导体产品的功能、可靠性与一致性。测试原理与方法主要包括以下几个方面：（1）结构测试：通过检测半导体器件的结构参数，如线宽、线间距、深宽比等，以评估其几何形状与设计要求的一致性。（2）功能测试：对半导体器件进行电学功能测试，以验证其功能是否符合设计要求。主要包括电压、电流、频率、功耗等参数的测试。（3）功能测试：对半导体器件进行功能测试，如速度、功耗、线性度、稳定性等，以评估其功能指标是否达到标准。（4）可靠性测试：对半导体器件进行长期运行测试，以评估其在实际应用环境下的可靠性。主要包括高温、高湿、振动、辐射等环境下的测试。（5）封测测试：对封装后的半导体产品进行测试，以验证封装质量与功能。主要包括外观检查、引脚连通性测试、封装强度测试等。8.2质量控制策略在半导体制造与封测过程中，质量控制策略。以下为常见的质量控制策略：（1）过程控制：通过实时监控生产过程中的关键参数，如温度、湿度、压力等，保证生产过程的稳定性。（2）数据采集与分析：收集生产过程中的数据，进行统计分析，以发觉潜在的质量问题，并制定改进措施。（3）标准化作业：制定严格的生产作业指导书，保证生产过程的规范化，降低人为误差。（4）设备维护与校准：定期对生产设备进行维护与校准，保证设备功能稳定，减少设备故障。（5）人员培训：提高操作人员的技能与素质，降低操作失误。（6）质量检验：对生产出的产品进行质量检验，保证产品符合标准。8.3测试与质量控制发展趋势半导体行业的发展，测试与质量控制领域也呈现出以下发展趋势：（1）自动化与智能化：采用自动化测试设备，提高测试效率与准确性。同时运用人工智能技术，实现测试数据的智能分析。（2）高精度与高速度：不断提高测试设备的精度与速度，以满足半导体产品的高功能需求。（3）系统集成：将测试与质量控制与生产过程紧密结合，实现全过程质量控制。（4）绿色环保：在测试与质量控制过程中，注重环保，减少污染。（5）国际化与标准化：加强国际合作，推动测试与质量控制标准的国际化。（6）创新与发展：不断研发新型测试技术与质量控制方法，推动半导体行业的发展。第九章：半导体制造项目管理9.1项目管理概述项目管理作为一种系统化的管理方法，在半导体制造领域具有重要作用。半导体制造项目通常具有高度复杂性、高风险性以及严格的时间节点要求。项目管理旨在通过合理规划、组织、领导与控制，保证项目能够按时、按质、按成本完成。在半导体制造项目中，项目管理主要包括以下几个阶段：（1）项目启动：明确项目目标、范围、时间节点、预算等要素，组建项目团队。（2）项目规划：制定项目计划，包括项目进度计划、成本计划、资源计划、质量计划等。（3）项目执行：根据项目计划，协调各种资源，推进项目进度，保证项目顺利进行。（4）项目监控：对项目进度、成本、质量等方面进行实时监控，及时发觉并解决问题。（5）项目收尾：完成项目任务后，对项目成果进行验收，总结项目经验，归档项目资料。9.2项目进度与成本控制项目进度与成本控制是项目管理中的关键环节，以下分别阐述：（1）项目进度控制：通过制定合理的进度计划，保证项目按照预定时间节点完成。进度控制主要包括以下几个方面：（1）制定项目进度计划：明确项目各阶段的开始和结束时间，确定关键路径和关键节点。（2）跟踪项目进度：实时了解项目进度情况，对项目进度进行监控。（3）调整项目进度：根据项目实际情况，适时调整进度计划，保证项目按计划进行。（2）项目成本